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標(biāo)簽 > 晶圓

晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

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摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃...

2022-02-15 標(biāo)簽:晶圓襯底鍍膜 2096 0

單晶SiC晶圓加工過程中的低溫濕法蝕刻

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硅片在大口徑化的同時(shí),要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格,因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā),實(shí)現(xiàn)了無蝕刻化,無拋光化。雖然在單晶SiC...

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如何進(jìn)行晶圓檢測(cè)

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在關(guān)鍵尺寸的在線量測(cè)環(huán)節(jié),所運(yùn)用的設(shè)備主要涵蓋 CD-SEM 以及 OCD(optical critical dimention,光學(xué)關(guān)鍵尺寸)量測(cè)設(shè)備。

2025-03-06 標(biāo)簽:集成電路晶圓硅片 2087 0

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕簡(jiǎn)析

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圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。

2023-04-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓刻蝕工藝 2076 0

簡(jiǎn)述光刻工藝的三個(gè)主要步驟

“ 光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝,其中包括3大步驟的工藝:涂膠、曝光、顯影。三個(gè)步驟有一個(gè)異常,整個(gè)光刻工藝都需要返工處理,因此現(xiàn)場(chǎng)異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”

2024-10-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓硅片 2074 0

晶圓熱處理目的及主要制程

晶圓熱處理目的及主要制程

半導(dǎo)體制造過程的熱處理,指的是將矽晶圓放置在充滿氮?dú)猓∟2)或氫氣(Ar2)等惰性氣體環(huán)境中施予熱能的處理。

2024-04-15 標(biāo)簽:晶圓熱處理半導(dǎo)體制造 2062 0

基于兩步刻蝕工藝的錐形TSV制備方法研究

基于兩步刻蝕工藝的錐形TSV制備方法研究

以硅通孔(TSV)為核心的 2.5D/3D 封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號(hào)傳輸。

2024-02-25 標(biāo)簽:晶圓信號(hào)傳輸電感耦合 2043 0

半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝

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在前幾篇文章(點(diǎn)擊查看),我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說到,為制作巧克力夾心,需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分,...

2023-06-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓工藝 2042 0

Maxim晶圓級(jí)封裝組裝指南

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本文檔介紹Maxim WLP的印刷電路板(PCB)布局和裝配工藝開發(fā)。請(qǐng)注意,它適用于初始PCB布局設(shè)計(jì)和組裝工藝開發(fā),不承擔(dān)客戶最終產(chǎn)品的任何可靠性目...

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晶圓鍵合的種類和應(yīng)用

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晶圓鍵合技術(shù)是將兩片不同結(jié)構(gòu)/不同材質(zhì)的晶圓,通過一定的物理方式結(jié)合的技術(shù)。晶圓鍵合技術(shù)已經(jīng)大量應(yīng)用于半導(dǎo)體器件封裝、材料及器件堆疊等多種半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。

2023-10-24 標(biāo)簽:CMOS晶圓半導(dǎo)體器件 2018 0

半導(dǎo)體封裝的發(fā)展趨勢(shì)、結(jié)構(gòu)及類型

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經(jīng)過半導(dǎo)體制造(FAB)工序制備的電路圖形化晶圓容易受溫度變化、電擊、化學(xué)和物理性外部損傷等各種因素的影響。為了彌補(bǔ)這些弱點(diǎn),將芯片與晶圓分離后再進(jìn)行包...

2023-07-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓封裝 2013 0

先進(jìn)封裝之面板芯片級(jí)封裝(PLCSP)簡(jiǎn)介

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簡(jiǎn)述晶圓減薄的幾種方法

減薄晶片有四種主要方法,(1)機(jī)械研磨,(2)化學(xué)機(jī)械平面化,(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成:研...

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晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用

晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用

先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)朝著連接密集化、堆疊多樣化和功能系統(tǒng)化的方向發(fā)展,探索了扇出型封裝、2.5D/3D、系統(tǒng)級(jí)封 裝等多種封裝工藝。晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)已被廣泛應(yīng)...

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晶圓切割技術(shù)知識(shí)大全

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晶圓切割劃片技術(shù)作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其技術(shù)水平直接關(guān)聯(lián)到芯片的性能、良率及生產(chǎn)成本。

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扇入型晶圓級(jí)封裝是什么?

晶圓級(jí)封裝技術(shù)可定義為:直接在晶圓上進(jìn)行大部分或全部的封裝、測(cè)試程序,然后再進(jìn)行安裝焊球并切割,從而產(chǎn)出一顆顆的IC成品單元。

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IGBT模塊結(jié)構(gòu)及老化簡(jiǎn)介

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對(duì)于工程設(shè)計(jì)人員來講,IGBT芯片的性能,可以從規(guī)格書中很直觀地得到。但是,系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí),這些性能能夠發(fā)揮出來多少,就要看“封裝“了,畢竟夏天穿著棉襖工作...

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EUV 光刻制造全流程設(shè)計(jì)解析

其全流程涉及了從 EUV 光源到反射鏡系統(tǒng),再到光掩模,再到對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),再到晶圓載物臺(tái),再到光刻膠化學(xué)成分,再到鍍膜機(jī)和顯影劑,再到計(jì)量學(xué),再到單個(gè)晶圓。

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深入探索:晶圓級(jí)封裝Bump工藝的關(guān)鍵點(diǎn)

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隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,晶圓級(jí)封裝(WLP)作為先進(jìn)封裝技術(shù)的重要組成部分,正逐漸成為集成電路封裝的主流趨勢(shì)。在晶圓級(jí)封裝過程中,Bump工藝扮演著至...

2025-03-04 標(biāo)簽:晶圓封裝wlp 1964 0

封裝技術(shù)在負(fù)載開關(guān)中的應(yīng)用

從智能手機(jī)到汽車,消費(fèi)者要求將更多功能封裝到越來越小的產(chǎn)品中。為了幫助實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),TI 優(yōu)化了其半導(dǎo)體器件(包括用于子系統(tǒng)控制和電源時(shí)序的負(fù)載開關(guān))的...

2022-04-27 標(biāo)簽:ti晶圓負(fù)載開關(guān) 1943 0

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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