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標(biāo)簽 > 晶圓

晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

什么是溝道通孔?溝道通孔刻蝕需要考慮哪些方面?

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溝道通孔(Channel Hole)指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面,穿過多層存儲(chǔ)單元的細(xì)長(zhǎng)孔洞。

2024-03-20 標(biāo)簽:晶圓ICP 1935 0

Al2O3鈍化PERC太陽能電池的工業(yè)清洗序列

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摘要 在本文中,我們研究了測(cè)試晶圓和PERC太陽能電池的不同工業(yè)適用清洗順序,并與實(shí)驗(yàn)室類型的RCA清洗進(jìn)行了比較。清潔順序pSC1、HF/HCl、HF...

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模擬IC往往需要采用能夠優(yōu)化性能和精度的特殊IC工藝技術(shù)。這種獨(dú)立設(shè)計(jì)最終在系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)方案中獲得了廣泛的應(yīng)用。

2012-03-15 標(biāo)簽:模擬IC晶圓加工工藝 1914 0

單晶圓系統(tǒng)的多晶硅沉積方法

單晶圓系統(tǒng)也能進(jìn)行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場(chǎng)進(jìn)行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵...

2022-09-30 標(biāo)簽:多晶硅晶圓 1912 0

光刻可制造性檢查如何檢測(cè)掩模版質(zhì)量

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隨著工藝節(jié)點(diǎn)不斷變小,掩模版制造難度日益增加,耗費(fèi)的資金成本從數(shù)十萬到上億,呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),同時(shí)生產(chǎn)掩模版的時(shí)間成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保...

2023-11-02 標(biāo)簽:探測(cè)器晶圓光刻 1909 0

晶圓到晶圓混合鍵合的前景和工藝流程

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3D集成是實(shí)現(xiàn)多芯片異構(gòu)集成解決方案的關(guān)鍵技術(shù),是業(yè)界對(duì)系統(tǒng)級(jí)更高功耗、性能、面積和成本收益需求的回應(yīng)。3D 堆疊正在電子系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu)的不同級(jí)別(從封裝...

2024-02-22 標(biāo)簽:芯片晶圓鍵合 1908 0

半導(dǎo)體制造過程解析

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在這篇文章中,我們將學(xué)習(xí)基本的半導(dǎo)體制造過程。為了將晶圓轉(zhuǎn)化為半導(dǎo)體芯片,它需要經(jīng)歷一系列復(fù)雜的制造過程,包括氧化、光刻、刻蝕、沉積、離子注入、金屬布線...

2024-10-16 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶圓 1902 0

國(guó)產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實(shí)驗(yàn)

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SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種,其中化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...

2023-06-19 標(biāo)簽:新能源汽車晶圓SiC 1896 0

晶圓生產(chǎn)的目標(biāo)及術(shù)語介紹

芯片的制造分為原料制作、單晶生長(zhǎng)和晶圓的制造、集成電路晶圓的生產(chǎn)和集成電路的封裝階段。本節(jié)主要講解集成電路封裝階段的部分。 集成電路晶圓生產(chǎn)是在晶...

2023-05-06 標(biāo)簽:芯片集成電路晶圓 1863 0

晶圓級(jí)封裝的關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)

晶圓級(jí)封裝的關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)

射頻前端(RFFE,Radio Frequency Front-End)模組國(guó)內(nèi)外手機(jī)終端中廣泛應(yīng)用。它將功率放大器(PA,Power Amplifie...

2023-07-08 標(biāo)簽:晶圓封裝射頻前端 1861 0

芯片制作流程分解說明

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芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y(cè)試,其又可分為一般測(cè)試和特殊測(cè)試,前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性,如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。

2024-03-25 標(biāo)簽:芯片NAND晶圓 1857 0

晶圓為什么是圓形的?

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當(dāng)硅的溫度達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí),將一個(gè)有適當(dāng)方向(如晶向?yàn)椤?11〉)的硅籽晶(seed)放入熔融硅中,作為后續(xù)生長(zhǎng)較大晶體的起始點(diǎn)。當(dāng)籽晶的底部開始在熔融硅...

2023-12-25 標(biāo)簽:芯片晶體晶圓 1853 0

一顆MEMS聲學(xué)傳感器典型的產(chǎn)品構(gòu)造圖詳解

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MEMS芯片負(fù)責(zé)感知信號(hào),將測(cè)量量轉(zhuǎn)化為電阻、電容等信號(hào)變化;ASIC芯片負(fù)責(zé)將電容、電阻等信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),其中涉及到信號(hào)的轉(zhuǎn)換和放大等功能。

2023-11-01 標(biāo)簽:傳感器集成電路asic 1852 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡(jiǎn)述(2)

嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量,所以如果沒有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng),晶圓溫度就會(huì)提高。對(duì)于圖形化刻蝕,晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層,如果晶圓溫度超過1...

2023-03-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體等離子體晶圓 1836 0

一種在單個(gè)晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法

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提供了一種在單個(gè)晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開始于向設(shè)置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后,在基板的表面和鄰近頭的相對(duì)表面之間產(chǎn)生...

2022-03-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓工藝 1834 0

LTCC/HTCC基板在晶圓測(cè)試探針卡中的應(yīng)用

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在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制造流程上,主要可分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制程、晶圓測(cè)試及晶圓封裝四大步驟。 其中所謂的晶圓測(cè)試,就是對(duì)晶圓上的每顆晶粒進(jìn)行電性特性檢測(cè),以檢測(cè)...

2023-05-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓LTCC 1816 0

如何確認(rèn)硅晶材料與硅晶片的檢測(cè)純度?

晶圓,是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅芯片,是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料。

2023-05-23 標(biāo)簽:晶圓硅芯片 1815 0

浸沒式光刻,拯救摩爾定律

浸沒式光刻,拯救摩爾定律

2000年代初,芯片行業(yè)一直致力于從193納米氟化氬(ArF)光源光刻技術(shù)過渡到157納米氟(F 2 )光源光刻技術(shù)。

2023-08-23 標(biāo)簽:編碼器晶圓交換機(jī) 1814 0

通過表面分析評(píng)估Cu-CMP工藝

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半導(dǎo)體裝置為了達(dá)成附加值高的系統(tǒng)LSI,需要高集成化,高速化,這其中新的布線材料,絕緣膜是不可缺少的。其中,具有低電阻的Cu,作為布線材料受到關(guān)注?;瘜W(xué)...

2022-04-26 標(biāo)簽:晶圓工藝CMP 1813 0

蘋果新款iPhone 17系列將沿用3納米制程技術(shù)

隨著智能手機(jī)技術(shù)的快速發(fā)展,消費(fèi)者對(duì)于手機(jī)的性能要求也日益提高。近日,關(guān)于蘋果即將推出的iPhone 17系列芯片組的消息引起了廣泛關(guān)注。

2024-04-17 標(biāo)簽:臺(tái)積電iPhone晶圓 1811 0

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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