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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱(chēng)為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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引言 Cu作為深度亞微米的多電級(jí)器件材料,由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低,與鋁相比的時(shí)間延遲。本文從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機(jī)械平坦化后二...
離子在非晶態(tài)材料內(nèi)的投影射程通常遵循高斯分布,即所謂的常態(tài)分布。單晶硅中的晶格原子整齊排列,而且在特定的角度具有很多通道。
2023-05-15 標(biāo)簽:晶圓 1782 0
MEMS的相關(guān)術(shù)語(yǔ)及MEMS芯片制造過(guò)程
ALD是Atomic Layer Deposition(原子層沉積)的縮寫(xiě),是通過(guò)重復(fù)進(jìn)行材料供應(yīng)(前體)和排氣,利用與基板之間的表面反應(yīng),分步逐層沉積...
從實(shí)際情況上看,目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn),而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍,這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降...
本文主要介紹??????晶圓 (wafer)/晶粒 (die)/芯片 (chip)之間的區(qū)別和聯(lián)系。 ? 晶圓(Wafer)——原材料和生產(chǎn)平臺(tái)?? 晶...
一般的半導(dǎo)體封裝都類(lèi)似于下面的結(jié)構(gòu),將裸片安裝到某個(gè)基板上,裸片的引腳通過(guò)內(nèi)部連接路徑與基板相連,通過(guò)塑封將內(nèi)部封裝好后,基板再通過(guò)封裝提供的外部連接路...
2023-02-24 標(biāo)簽:三極管晶圓半導(dǎo)體封裝 1766 0
使用GaN(氮化鎵)的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會(huì)的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù),解決了導(dǎo)致其全面推廣的問(wèn)題。
5D 封裝和 3D 封裝是兩種常用的晶圓級(jí)多層堆疊技術(shù)。2. 5D 封裝是將芯片封裝到 Si 中介層上,并利用 Si 中介層上的高密度走線進(jìn)行互連。
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來(lái)獲得獨(dú)特的性質(zhì),特別是,當(dāng)用紫外光、可見(jiàn)光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí),金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而,...
此節(jié)以半導(dǎo)體的代表,CMOS-半導(dǎo)體為例,對(duì)前段制程FEOL進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。此說(shuō)明將依照FEOL主要制程的剖面構(gòu)造模型,說(shuō)明非常詳細(xì),但一開(kāi)始先掌握大概即可。
摘要:論述了傳統(tǒng)的集成電路裝片工藝面臨的挑戰(zhàn)以及現(xiàn)有用DAF膜(DieAttachmentFilm,裝片膠膜)技術(shù)進(jìn)行裝片的局限性;介紹了一種先進(jìn)的、通...
過(guò)去三十年,碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問(wèn)題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在N...
在半導(dǎo)體行業(yè)中,芯片晶圓是核心組件,而在展示這些精密的科技產(chǎn)品時(shí),人們常常會(huì)發(fā)現(xiàn)它們呈現(xiàn)出五彩斑斕的外觀。這一現(xiàn)象并非偶然,而是由多種因素共同作用的結(jié)果...
2024-08-12 標(biāo)簽:芯片晶圓半導(dǎo)體封裝 1689 0
第四篇:了解不同類(lèi)型的半導(dǎo)體封裝(第二部分)
想象一下,在一個(gè)由多棟低層樓房組成的住宅綜合體內(nèi),若要容納數(shù)千名居民,則需要占據(jù)非常大的面積才能滿足需求。
2024-01-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器晶圓半導(dǎo)體封裝 1684 0
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