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標(biāo)簽 > 晶圓

晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱(chēng)為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

什么是晶圓級(jí)扇入封裝技術(shù)

什么是晶圓級(jí)扇入封裝技術(shù)

在微電子行業(yè)飛速發(fā)展的背景下,封裝技術(shù)已成為連接芯片創(chuàng)新與系統(tǒng)應(yīng)用的核心紐帶。其核心價(jià)值不僅體現(xiàn)于物理防護(hù)與電氣/光學(xué)互聯(lián)等基礎(chǔ)功能,更在于應(yīng)對(duì)多元化市...

2025-06-03 標(biāo)簽:芯片晶圓封裝 373 0

基于機(jī)器視覺(jué)的碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)設(shè)計(jì)與厚度均勻性控制

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一、引言 碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,以其卓越的物理化學(xué)性能,在新能源汽車(chē)、軌道交通、5G 通信等關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出不可替代的作用。然而,...

2025-06-30 標(biāo)簽:晶圓機(jī)器視碳化硅 370 0

激光劃片的技術(shù)原理與核心優(yōu)勢(shì)

激光劃片作為新興材料加工技術(shù),近年來(lái)憑借非接觸式加工特性實(shí)現(xiàn)快速發(fā)展。其工作機(jī)制是將高峰值功率激光束經(jīng)擴(kuò)束、整形后,精準(zhǔn)聚焦于藍(lán)寶石基片、硅片、碳化硅(...

2025-04-19 標(biāo)簽:激光器晶圓激光劃片 367 0

高精度晶圓劃片機(jī)切割解決方案

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高精度晶圓劃片機(jī)切割解決方案為實(shí)現(xiàn)高精度晶圓切割,需從設(shè)備精度、工藝穩(wěn)定性、智能化控制等多維度優(yōu)化,以下為關(guān)鍵實(shí)現(xiàn)路徑及技術(shù)支撐:一、核心精度控制技術(shù)?...

2025-03-11 標(biāo)簽:晶圓劃片機(jī) 365 0

晶圓接受測(cè)試中的閾值電壓測(cè)試原理

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在芯片制造的納米世界里,閾值電壓(Threshold Voltage, Vth)如同人體的“血壓值”——微小偏差即可導(dǎo)致系統(tǒng)性崩潰。作為晶圓接受測(cè)試(W...

2025-05-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓芯片制造 361 0

臺(tái)灣精銳APEX減速機(jī)在半導(dǎo)體制造設(shè)備中的應(yīng)用案例

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半導(dǎo)體制造設(shè)備對(duì)傳動(dòng)系統(tǒng)的精度、可靠性和穩(wěn)定性要求極高,臺(tái)灣精銳APEX減速機(jī)憑借其低背隙、高精度和高剛性等優(yōu)勢(shì),在半導(dǎo)體制造設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。

2025-02-06 標(biāo)簽:晶圓減速機(jī)半導(dǎo)體制造 360 0

TPS631011 1.5A 輸出電流降壓-升壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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TPS631010 和 TPS631011 是采用微型晶圓芯片級(jí)封裝的恒頻峰值電流模式控制降壓-升壓轉(zhuǎn)換器。它們具有 3A 峰值電流限制 (典型值) 和...

2025-06-05 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器晶圓升壓轉(zhuǎn)換器 356 0

深視智能SCI系列光譜共焦位移傳感器以亞微米精度測(cè)量晶圓平整度

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項(xiàng)目背景晶圓作為半導(dǎo)體芯片的核心載體,其表面平整度直接影響芯片性能、封裝良率及產(chǎn)品可靠性。傳統(tǒng)接觸式測(cè)量容易導(dǎo)致晶圓劃傷或污染,而常規(guī)光學(xué)傳感器受鏡面反...

2025-04-21 標(biāo)簽:位移傳感器晶圓測(cè)量 321 0

TPS631010 3A 峰值電流、高效、超小解決方案尺寸的降壓-升壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2025-06-06 標(biāo)簽:晶圓升壓轉(zhuǎn)換器輸出電壓 316 0

TPS22914 5.5V、2A、37mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

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TPS22914/15 是一個(gè)小而低的 R ~上~ ,具有受控轉(zhuǎn)換速率的單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 1.05 V 至 ...

2025-05-12 標(biāo)簽:MOSFET電阻器晶圓 305 0

什么是晶圓貼膜

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貼膜是指將一片經(jīng)過(guò)減薄處理的晶圓(Wafer)固定在一層特殊的膠膜上,這層膜通常為藍(lán)色,業(yè)內(nèi)常稱(chēng)為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割(劃片)工藝做準(zhǔn)備。

2025-06-03 標(biāo)簽:芯片晶圓工藝 304 0

Moritex大靶面遠(yuǎn)心鏡頭 助力晶圓外觀(guān)檢測(cè)

Moritex大靶面遠(yuǎn)心鏡頭 助力晶圓外觀(guān)檢測(cè)

在半導(dǎo)體制造工藝中,為了形成精細(xì)的圖案和結(jié)構(gòu),通常要求更高。高分辨率工業(yè)鏡頭的作用也是為了實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)成像。通過(guò)高品質(zhì)的光學(xué)元件和優(yōu)秀設(shè)計(jì),來(lái)實(shí)現(xiàn)工業(yè)鏡頭的...

2025-04-18 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體制造遠(yuǎn)心鏡頭 299 0

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基于量子點(diǎn)RSOAs的1.3 μm芯片級(jí)可調(diào)諧窄線(xiàn)寬混合集成二極管激光器通過(guò)端面耦合到硅氮化物光子集成電路得以實(shí)現(xiàn)?;旌霞す馄鞯木€(xiàn)寬約為85 kHz,調(diào)...

2025-04-21 標(biāo)簽:二極管激光器晶圓 297 0

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試圖形技術(shù)解析

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在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試中,測(cè)試圖形(Test Pattern)是檢測(cè)故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測(cè)試序列長(zhǎng)度與存儲(chǔ)單元數(shù)N的關(guān)系,測(cè)試圖形可分為N型、N...

2025-05-07 標(biāo)簽:測(cè)試存儲(chǔ)器晶圓 269 0

晶圓清洗設(shè)備概述

晶圓經(jīng)切割后,表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等組成的顆粒物,這些物質(zhì)會(huì)對(duì)后續(xù)工序中芯片的幾何特征與電性能產(chǎn)生不良影響。顆粒物與晶圓表面的粘...

2025-06-13 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體晶圓 258 0

一種低翹曲扇出重構(gòu)方案

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翹曲(Warpage)是結(jié)構(gòu)固有的缺陷之一。晶圓級(jí)扇出封裝(FOWLP)工藝過(guò)程中,由于硅芯片需通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂(EMC)進(jìn)行模塑重構(gòu)成為新的晶圓,使其新的...

2025-05-14 標(biāo)簽:晶圓封裝 256 0

在晶圓襯底上生長(zhǎng)外延層的必要性

本文從多個(gè)角度分析了在晶圓襯底上生長(zhǎng)外延層的必要性。

2025-04-17 標(biāo)簽:CMOS晶圓工藝 255 0

從開(kāi)槽到分層切割:劃片機(jī)階梯式進(jìn)刀技術(shù)對(duì)刀具磨損的影響分析

從開(kāi)槽到分層切割:劃片機(jī)階梯式進(jìn)刀技術(shù)對(duì)刀具磨損的影響分析

劃片機(jī)分層劃切工藝介紹?一、?定義與核心原理?分層劃切工藝是一種針對(duì)硬脆材料(如硅晶圓、陶瓷)的精密切割技術(shù),通過(guò)分階段控制切割深度和進(jìn)給速度,減少材料...

2025-04-21 標(biāo)簽:晶圓劃片機(jī) 251 0

晶圓劃切過(guò)程中怎么測(cè)高?

晶圓劃切過(guò)程中怎么測(cè)高?

01為什么要測(cè)高晶圓劃片機(jī)是半導(dǎo)體封裝加工技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)重要的加工設(shè)備,目前市場(chǎng)上使用較多的是金剛石刀片劃片機(jī),劃片機(jī)上高速旋轉(zhuǎn)的金剛石劃片刀在使用過(guò)程中會(huì)...

2025-06-11 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體封裝劃片機(jī) 208 0

晶圓邊緣 TTV 測(cè)量的意義和影響

晶圓邊緣 TTV 測(cè)量的意義和影響

摘要:本文探討晶圓邊緣 TTV 測(cè)量在半導(dǎo)體制造中的重要意義,分析其對(duì)芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響,同時(shí)研究測(cè)量方法、測(cè)量設(shè)備精度等因素對(duì)測(cè)...

2025-06-14 標(biāo)簽:晶圓測(cè)量TTV 154 0

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