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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動
什么是柵極驅(qū)動,說白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動,柵極用PWM方波驅(qū)動,但是會形成RLC振蕩電路,原因是電容是寄生的,電感受布線影響較大,但是也屬于寄生電感的范疇,這樣輸入會形成LC振蕩,導(dǎo)致MOSFET各種打開關(guān)閉,很容易燒毀MOSFET。
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TPS2062 2通道、1A負(fù)載、1.5A ILIMIT、2.7-5.5V、70mΩ USB電源開關(guān)、低電平有效數(shù)據(jù)手冊
TPS206x 配電開關(guān)適用于可能遇到重電容負(fù)載和短路的應(yīng)用。該器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開關(guān),適用于需要在單個封裝中集成多個功...
2025-05-27 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)電源開關(guān) 196 0
TPS2061 1A 負(fù)載、2.7-5.5V、70mΩ USB 電源開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS206x 配電開關(guān)適用于可能遇到重電容負(fù)載和短路的應(yīng)用。該器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開關(guān),適用于需要在單個封裝中集成多個功...
2025-05-27 標(biāo)簽:MOSFET電容功率開關(guān) 224 0
TPS2043B 3通道、0.5A負(fù)載、2.7-5.5V、70mΩ USB電源開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS20xxB 配電開關(guān)適用于可能遇到重電容負(fù)載和短路的應(yīng)用。這些器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開關(guān),適用于需要在單個封裝中集成多...
2025-05-27 標(biāo)簽:MOSFET電容功率開關(guān) 189 0
TPS2032-Q1 汽車級 1A 負(fù)載、2.7-5.5V、33mΩ USB 電源開關(guān)、高電平有效數(shù)據(jù)手冊
TPS2032 配電開關(guān)適用于可能遇到重電容負(fù)載和短路的應(yīng)用。這些器件是 50 m控制器,過壓保護(hù),柵極驅(qū)動強(qiáng)度 60 μA數(shù)據(jù)手冊
LM74502-Q1、LM74502H-Q1 是一款符合汽車 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的控制器,可與外部背靠背連接的 N 溝道 MOSFET 配合使用,作...
TPSI3052 具有集成 15V 柵極電源的隔離式開關(guān)驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPSI3052 是一款完全集成的隔離式開關(guān)驅(qū)動器,當(dāng)與外部電源開關(guān)結(jié)合使用時,可形成完整的隔離式固態(tài)繼電器 (SSR)。憑借 15V 的標(biāo)稱柵極驅(qū)動電...
2025-05-07 標(biāo)簽:固態(tài)繼電器電源開關(guān)灌電流 253 0
TPS4800-Q1 具有保護(hù)和診斷功能的汽車級 100V 低 Iq 高壓側(cè)驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS48000-Q1 是一款具有保護(hù)和診斷功能的 100V 低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動器。該器件具有 3.5V–95V 的寬工作電壓范圍,適用于 12V、...
TPSI3050M 擴(kuò)展溫度范圍、帶集成 10V 柵極電源的隔離式開關(guān)驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPSI3050M 是一款完全集成的隔離式開關(guān)驅(qū)動器,與外部電源開關(guān)結(jié)合使用時,可形成完整的隔離式固態(tài)繼電器 (SSR)。具有 10V 的標(biāo)稱柵極驅(qū)動電...
2025-05-06 標(biāo)簽:固態(tài)繼電器電源開關(guān)偏置電源 230 0
CSD17318Q2 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊
這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗,并針對 5V 柵極驅(qū)...
UCC28600 8 引腳準(zhǔn)諧振反激式綠色模式控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28600 是一款具有先進(jìn)能量功能的 PWM 控制器,可滿足嚴(yán)格的 全球能效要求。 UCC28600 集成了內(nèi)置的高級節(jié)能功能與高級保護(hù) 為...
TPS51275 具有 5V 和 3.3V LDO 的 5.5V 至 24V、雙同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS51275、TPS51275B 和 TPS51275C 是高性價比的雙同步降壓控制器,適用于筆記本電腦系統(tǒng)電源解決方案。它提供 5V 和 3.3V...
2025-03-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電荷泵柵極驅(qū)動 525 0
KP8562X 在 BLDC 驅(qū)動中的應(yīng)用介紹
無刷直流電機(jī) (BLDC) 具有壽命長、靜音、高動態(tài)響應(yīng)等諸多優(yōu)點(diǎn),在各類應(yīng)用中的使用已越來越普遍。常用的 BLDC 驅(qū)動多由控制單元、三顆半橋柵極驅(qū)動...
2025-03-08 標(biāo)簽:MOSFETBLDC無刷直流電機(jī) 758 0
利用用于多相偏置解決方案的 GMR10Dx 模塊優(yōu)化工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率控制器
作者:Ganmar Technologies 2024-12-12 本文探討了開發(fā)可靠安全的多相功率控制器所面臨的設(shè)計挑戰(zhàn)和主要考慮因素。文中利用具有浮...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的GS(柵極...
2024-09-18 標(biāo)簽:電阻MOS管場效應(yīng)晶體管 3790 0
柵極驅(qū)動IC虛焊是否會導(dǎo)致燒毀,這個問題涉及到多個因素,包括虛焊的嚴(yán)重程度、工作環(huán)境條件以及柵極驅(qū)動IC本身的特性等。以下是對這一問題的分析: 一、虛焊...
柵極驅(qū)動芯片提高電流的方法主要有以下幾種: 1. 增加功率管 增加MOSFET數(shù)量 :通過增加MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等功率管的數(shù)量...
2024-09-18 標(biāo)簽:芯片電流場效應(yīng)晶體管 1207 0
柵極驅(qū)動芯片選型時考慮低功耗的原因主要有以下幾點(diǎn): 1. 降低系統(tǒng)能耗 低功耗的柵極驅(qū)動芯片能夠顯著降低整個系統(tǒng)的待機(jī)功耗,這對于需要長時間運(yùn)行的電子設(shè)...
igbt柵極驅(qū)動的參數(shù)要求和驅(qū)動條件
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分,其參數(shù)要求和驅(qū)動條件對IGBT的...
IGBT柵極驅(qū)動關(guān)鍵注意事項(xiàng)
為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT,必須在每個方向上硬驅(qū)動?xùn)艠O電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動為高電平時,會存在一個從雙極型晶體...
適配MOSFET柵極驅(qū)動器以驅(qū)動GaN FETs
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢,為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時超出了專門為GaN設(shè)計的柵...
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