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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)
什么是柵極驅(qū)動(dòng),說(shuō)白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動(dòng),柵極用PWM方波驅(qū)動(dòng),但是會(huì)形成RLC振蕩電路,原因是電容是寄生的,電感受布線影響較大,但是也屬于寄生電感的范疇,這樣輸入會(huì)形成LC振蕩,導(dǎo)致MOSFET各種打開(kāi)關(guān)閉,很容易燒毀MOSFET。
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TPS2062 2通道、1A負(fù)載、1.5A ILIMIT、2.7-5.5V、70mΩ USB電源開(kāi)關(guān)、低電平有效數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS206x 配電開(kāi)關(guān)適用于可能遇到重電容負(fù)載和短路的應(yīng)用。該器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開(kāi)關(guān),適用于需要在單個(gè)封裝中集成多個(gè)功...
2025-05-27 標(biāo)簽:MOSFET功率開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān) 196 0
TPS2061 1A 負(fù)載、2.7-5.5V、70mΩ USB 電源開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS206x 配電開(kāi)關(guān)適用于可能遇到重電容負(fù)載和短路的應(yīng)用。該器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開(kāi)關(guān),適用于需要在單個(gè)封裝中集成多個(gè)功...
2025-05-27 標(biāo)簽:MOSFET電容功率開(kāi)關(guān) 225 0
TPS2043B 3通道、0.5A負(fù)載、2.7-5.5V、70mΩ USB電源開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS20xxB 配電開(kāi)關(guān)適用于可能遇到重電容負(fù)載和短路的應(yīng)用。這些器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開(kāi)關(guān),適用于需要在單個(gè)封裝中集成多...
2025-05-27 標(biāo)簽:MOSFET電容功率開(kāi)關(guān) 190 0
TPS2032-Q1 汽車級(jí) 1A 負(fù)載、2.7-5.5V、33mΩ USB 電源開(kāi)關(guān)、高電平有效數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2032 配電開(kāi)關(guān)適用于可能遇到重電容負(fù)載和短路的應(yīng)用。這些器件是 50 m控制器,過(guò)壓保護(hù),柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度 60 μA數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM74502-Q1、LM74502H-Q1 是一款符合汽車 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的控制器,可與外部背靠背連接的 N 溝道 MOSFET 配合使用,作...
TPSI3052 具有集成 15V 柵極電源的隔離式開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPSI3052 是一款完全集成的隔離式開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器,當(dāng)與外部電源開(kāi)關(guān)結(jié)合使用時(shí),可形成完整的隔離式固態(tài)繼電器 (SSR)。憑借 15V 的標(biāo)稱柵極驅(qū)動(dòng)電...
2025-05-07 標(biāo)簽:固態(tài)繼電器電源開(kāi)關(guān)灌電流 253 0
TPS4800-Q1 具有保護(hù)和診斷功能的汽車級(jí) 100V 低 Iq 高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS48000-Q1 是一款具有保護(hù)和診斷功能的 100V 低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。該器件具有 3.5V–95V 的寬工作電壓范圍,適用于 12V、...
2025-05-06 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源電壓 217 0
TPSI3050M 擴(kuò)展溫度范圍、帶集成 10V 柵極電源的隔離式開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPSI3050M 是一款完全集成的隔離式開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器,與外部電源開(kāi)關(guān)結(jié)合使用時(shí),可形成完整的隔離式固態(tài)繼電器 (SSR)。具有 10V 的標(biāo)稱柵極驅(qū)動(dòng)電...
2025-05-06 標(biāo)簽:固態(tài)繼電器電源開(kāi)關(guān)偏置電源 232 0
CSD17318Q2 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)
這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗,并針對(duì) 5V 柵極驅(qū)...
2025-04-15 標(biāo)簽:MOSFET封裝柵極驅(qū)動(dòng) 278 0
UCC28600 8 引腳準(zhǔn)諧振反激式綠色模式控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28600 是一款具有先進(jìn)能量功能的 PWM 控制器,可滿足嚴(yán)格的 全球能效要求。 UCC28600 集成了內(nèi)置的高級(jí)節(jié)能功能與高級(jí)保護(hù) 為...
2025-04-02 標(biāo)簽:頻率PWM控制器柵極驅(qū)動(dòng) 363 0
TPS51275 具有 5V 和 3.3V LDO 的 5.5V 至 24V、雙同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS51275、TPS51275B 和 TPS51275C 是高性價(jià)比的雙同步降壓控制器,適用于筆記本電腦系統(tǒng)電源解決方案。它提供 5V 和 3.3V...
2025-03-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電荷泵柵極驅(qū)動(dòng) 530 0
KP8562X 在 BLDC 驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用介紹
無(wú)刷直流電機(jī) (BLDC) 具有壽命長(zhǎng)、靜音、高動(dòng)態(tài)響應(yīng)等諸多優(yōu)點(diǎn),在各類應(yīng)用中的使用已越來(lái)越普遍。常用的 BLDC 驅(qū)動(dòng)多由控制單元、三顆半橋柵極驅(qū)動(dòng)...
2025-03-08 標(biāo)簽:MOSFETBLDC無(wú)刷直流電機(jī) 759 0
利用用于多相偏置解決方案的 GMR10Dx 模塊優(yōu)化工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率控制器
作者:Ganmar Technologies 2024-12-12 本文探討了開(kāi)發(fā)可靠安全的多相功率控制器所面臨的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和主要考慮因素。文中利用具有浮...
2025-01-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaN功率控制器 608 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的GS(柵極...
2024-09-18 標(biāo)簽:電阻MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3790 0
柵極驅(qū)動(dòng)IC虛焊是否會(huì)導(dǎo)致燒毀,這個(gè)問(wèn)題涉及到多個(gè)因素,包括虛焊的嚴(yán)重程度、工作環(huán)境條件以及柵極驅(qū)動(dòng)IC本身的特性等。以下是對(duì)這一問(wèn)題的分析: 一、虛焊...
柵極驅(qū)動(dòng)芯片提高電流的方法主要有以下幾種: 1. 增加功率管 增加MOSFET數(shù)量 :通過(guò)增加MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等功率管的數(shù)量...
2024-09-18 標(biāo)簽:芯片電流場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1208 0
柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型時(shí)考慮低功耗的原因主要有以下幾點(diǎn): 1. 降低系統(tǒng)能耗 低功耗的柵極驅(qū)動(dòng)芯片能夠顯著降低整個(gè)系統(tǒng)的待機(jī)功耗,這對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的電子設(shè)...
2024-09-18 標(biāo)簽:芯片電子設(shè)備柵極驅(qū)動(dòng) 840 0
igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分,其參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件對(duì)IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)柵極驅(qū)動(dòng) 2082 0
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵注意事項(xiàng)
為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT,必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí),會(huì)存在一個(gè)從雙極型晶體...
適配MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)GaN FETs
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì),為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵...
2024-02-29 標(biāo)簽:MOSFETGaN柵極驅(qū)動(dòng) 1368 0
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