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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢、實際應(yīng)用案例、設(shè)計考量
介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應(yīng)用，對比傳統(tǒng)硅基解決方案，闡述了其優(yōu)勢、實際應(yīng)用案例、設(shè)計考量及結(jié)論。 *附件：Driving-Elec...
納微 NV6169 # 45mΩ低導(dǎo)阻、800V耐壓、GaNSense智能保護技術(shù)
這是一款采用 GaNSense技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast芯片，可滿足高功率應(yīng)用，例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器...
寬電壓范圍是指設(shè)備或系統(tǒng)能夠在較寬的電壓區(qū)間內(nèi)正常工作的能力。這意味著，當(dāng)電網(wǎng)電壓或供電電壓在一定范圍內(nèi)波動時，具備寬電壓范圍的設(shè)備仍能保持穩(wěn)定運行，不...
HMC8415 40W（46 dBm），9GHz至10.5GHz，GaN功率放大器技術(shù)手冊
HMC8415LP6GE 是一款氮化鎵 （GaN） 功率放大器，可在 9 GHz 至 10.5 GHz 的帶寬范圍內(nèi)提供 40 W （46 dBm） 的...
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計技術(shù)手冊免費下載
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計.pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場景 ?：并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用...
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充...
硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級
LMG5200器件是一個 80V、10A 驅(qū)動器和 GaN 半橋功率級，使用增強型氮化鎵 （GaN） FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個 80...
應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結(jié)
德州儀器（TI）提供的一種新的驅(qū)動器集成氮化鎵（GaN）功率級產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳（QFN）封裝中實現(xiàn)，該封裝尺寸為12mm x ...
TIDA-050074：140W 基于 GaN 的 USB PD3.1 USB-C? 適配器參考設(shè)計
此參考設(shè)計是基于氮化鎵 （GaN） 的 140W AC-DC 電源，具有高效率和功率密度。它支持寬輸入（90V~交流~至 264V ~交流~ ） 和輸出...
TIDA-010236：適用于電器的 4kW GaN 圖騰柱 PFC參考設(shè)計
此參考設(shè)計是一款 4kW 連續(xù)導(dǎo)通模式 （CCM） 圖騰柱功率因數(shù)校正 （PFC），具有頂部冷卻的氮化鎵 （GaN） 子板和TMS320F280025C...
海凌科40WACDC系列氮化鎵電源模塊，具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優(yōu)點，轉(zhuǎn)換效率高達91%，應(yīng)用廣泛，性價比高...
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，...
2025-02-21 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 323 0
用戶指南：LMG2100EVM-097 LMG2100R026評估模塊介紹
LMG2100R026 評估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級模塊，通過外部 PWM 信號進行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的...
2025-02-21 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管氮化鎵 380 0
技術(shù)資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 （GaN） 功率級
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
LMG342X-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG342xR0x0 半橋板（如 LMG3422EVM-043）配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。...
2025-02-21 標(biāo)簽：降壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 315 0
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
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