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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體
國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應(yīng)用場景上的優(yōu)勢,使其在汽車、工業(yè)和新能源領(lǐng)域...
在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究,2010年本研究團(tuán)隊優(yōu)化制程達(dá)到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VCSEL,此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?...
香港科技大學(xué)陳敬教授課題組公布氮化鎵與碳化硅領(lǐng)域多項最新研究成果
? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉: 香港科技大學(xué)電子與計算機工程系陳敬教授課題組 ,在第70屆國際電子器件大會(IEEE International Electro...
突破電力效能邊界:ZN70C1R460D 氮化鎵晶體管重磅登場!
?在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,電子元件的創(chuàng)新成為推動各領(lǐng)域進(jìn)步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(...
電激發(fā)式藍(lán)紫光垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)
上述實驗結(jié)果為近年來局限在光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL?的結(jié)果,一直到2008年,作者實驗室首次在77 K?下成功制作出第一個電激發(fā)氮化鎵VCSEL,其雷...
在氮化鎵藍(lán)光?VCSEL?發(fā)展方面,1996年?Redwing?等人成功制作了第一個室溫下光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL,其元件結(jié)構(gòu)由10?μm?厚的GaN...
前言 近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充電器,這款產(chǎn)品基于華源智信氮化鎵方案設(shè)計,因此整體做到相當(dāng)小巧,搭配可折疊插腳,便攜性很好。...
隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展,第三代半導(dǎo)體——氮化鎵(GaN)正迎來前所未有的發(fā)展機遇。聞泰科技已布局GaN領(lǐng)域多年,憑借卓越的...
科雅X2安規(guī)電容器在氮化鎵充電器中的應(yīng)用
和樂電子是一家集生產(chǎn)、研發(fā)、銷售于一體的企業(yè),專注于無線音頻設(shè)備的生產(chǎn),并成功培育出核心品牌QCY,擁有先進(jìn)的研發(fā)團(tuán)隊和超過3000名員工,公司實力特別強大。
深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵芯片2025年持續(xù)發(fā)力
深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵芯片2025年持續(xù)發(fā)力氮化鎵芯片YLB銀聯(lián)寶/YINLIANBAO無線通信領(lǐng)域,設(shè)備往往需要在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)強大的信號傳輸功能,氮...
不同的氮化鎵襯底的吸附方案,對測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響
在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中,氮化鎵(GaN)襯底宛如一顆耀眼的新星,憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能,在眾多高端芯片制造領(lǐng)域,尤其是光電器件、功率器件等...
氮化鎵襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對于測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響
在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中,氮化鎵(GaN)襯底正憑借其優(yōu)異的性能,如高電子遷移率、寬禁帶等特性,在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場景中嶄露頭角,成為推動行...
PI公司誠邀您報名參加電子研習(xí)社主辦的線上直播。我們的技術(shù)專家將為您帶來專題演講,介紹新的氮化鎵耐壓基準(zhǔn)。
1月8日消息,日本豐田合成株式會社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm(8英寸)氮化鎵 (Ga...
英諾賽科登陸港交所,氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域明星企業(yè)閃耀登場
近日,全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板,為港股市場增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。 英諾賽科作為全...
2025-01-06 標(biāo)簽:電壓氮化鎵功率半導(dǎo)體 565 0
破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴張減速——盤點2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)剛剛過去的2024年里,第三代半導(dǎo)體迎來了更大規(guī)模的應(yīng)用,在清潔能源、新能源汽車市場進(jìn)一步滲透的同時,數(shù)據(jù)中心電源、機器人...
2025-01-05 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 4869 0
快節(jié)奏的時代,在旅游、辦公等場景下,一款高效、便捷的充電器可以讓我們的生活更便捷、高效。今天就給大家推薦一款倍思氮化鎵充電器——Super GaN伸縮線...
英諾賽科香港上市,國內(nèi)氮化鎵半導(dǎo)體第一股誕生
近日,國內(nèi)氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者——英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司,在香港聯(lián)合交易所主板成功掛牌上市。此舉標(biāo)志著國內(nèi)氮化鎵半導(dǎo)體第一股正式誕生,...
2025-01-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體數(shù)據(jù)中心氮化鎵 576 0
能源為我們的生活提供動力,而生成能源以及儲存能源的技術(shù),對于可持續(xù)發(fā)展更是具有不可估量的價值。一方面通過更有效地利用、存儲和分配能源,能源被高效利用從而...
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