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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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2022半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)內(nèi)外格局生變
美國(guó)“2022芯片與科學(xué)法案”或?qū)θ虬雽?dǎo)體格局產(chǎn)生影響。該法案主要包括兩方面內(nèi)容：一是向半導(dǎo)體行業(yè)提供約527億美元的資金支持，并為企業(yè)提供價(jià)值240...
2022-09-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)氮化鎵 1229 0
氮化鎵高電子遷移率晶體管CGH55030F1/CGH55030P1介紹
Wolfspeed的CGH55030F1/CGH55030P1是專門為高效率而設(shè)計(jì)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和寬帶寬性能；促...
__[導(dǎo)讀]__Nexperia 是基本半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家，最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來(lái)越多的分立器件中，該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無(wú)引...
貿(mào)澤電子備貨Qorvo的QPA1314T 功率放大器(PA)
貿(mào)澤備貨的Qorvo QPA1314T PA具有12.75至15.35GHz的擴(kuò)展頻率范圍，并在13.75至14.5GHz的標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)55W的飽和輸出功率。
蘇州高新區(qū)與水芯電子合作簽約儀式暨水芯與Baseus倍思聯(lián)合新品發(fā)布會(huì)開幕！
9月20日，蘇州高新區(qū)水芯電子合作簽約儀式暨水芯電子Baseus倍思聯(lián)合新品發(fā)布會(huì)在江蘇蘇州日航酒店成功舉辦。會(huì)議主要就消費(fèi)類電子領(lǐng)域首次采用水芯數(shù)字電...
氮化鎵射頻開關(guān)在高功率射頻設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
然而，一個(gè)諧波濾波器需要一個(gè)保護(hù)帶，以達(dá)到對(duì)帶內(nèi)頻率低端的二次諧波的最小抑制要求。例如，如圖2所示，第一個(gè)頻段不能是30至60MHz，或一個(gè)倍頻程，因?yàn)?..
2022-09-20 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵射頻開關(guān) 2544 0
納微半導(dǎo)體GaNSense半橋芯片達(dá)到更高層級(jí)的效率和節(jié)能水平
GaNSense半橋氮化鎵功率芯片集成了兩個(gè)GaN FETs 和驅(qū)動(dòng)器，以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護(hù)功能，為電子元件創(chuàng)建了一個(gè)易于使用的系統(tǒng)構(gòu)建塊。相...
2022-09-09 標(biāo)簽：芯片驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1695 0
前言 氮化鎵技術(shù)在消費(fèi)類電源領(lǐng)域的大規(guī)模商用，帶來(lái)了電源配件產(chǎn)品功率密度的一次大提升。借助GaN功率器件高頻、高效的特性，體積小巧、更加便攜的高密度快充...
中瓷電子擬斥資38億元將進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體
氮化鎵企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布收購(gòu)GeneSiC Semiconductor（GeneSiC），加速向高功率市場(chǎng)擴(kuò)張。納微半導(dǎo)體稱，合并后的公司將在下一代功率...
碳化硅MOS管在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的應(yīng)用前景
自從碳化硅MOS管在Model3牽引電驅(qū)中使用后，整個(gè)世界對(duì)碳化硅的討論就沒有停過，也促進(jìn)了碳化硅MOS管在充電樁與新能源汽車中的應(yīng)用，從而提高充電速度...
寬帶隙器件對(duì)于下一代空間系統(tǒng)的發(fā)展具有重要意義
長(zhǎng)期以來(lái)，硅基器件一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的基準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。從 2007 年開始，由于摩爾定律的失敗，復(fù)合材料被開發(fā)出來(lái)，特別關(guān)注寬帶隙半導(dǎo)體，因?yàn)樗鼈兝昧酥匾?..
2022-09-11 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵半導(dǎo)體器件 839 0
中微公司氮化鎵外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
第四屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會(huì)在青島成功舉辦。中微公司參加了此次研討會(huì)，并受邀發(fā)表主題演講，與產(chǎn)業(yè)鏈上下游、設(shè)備及關(guān)鍵零部件研究、生產(chǎn)單位專家代...
隨著PD快充技術(shù)的普及以及氮化鎵快充市場(chǎng)的爆發(fā)，消費(fèi)類電源市場(chǎng)對(duì)高頻率、高效率、小體積的產(chǎn)品需求量日益提升。而在開發(fā)高頻率快充電源時(shí)，找元器件現(xiàn)貨上唯樣...
氮化鎵功率器件：從消費(fèi)電子向數(shù)據(jù)中心邁進(jìn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體材料得以大力發(fā)展，譬如氮化鎵功率器件在充電器和手機(jī)等消費(fèi)類電子上得到越來(lái)越多的采用。在經(jīng)...
QPA3908 和 QPA3810 為集成式兩級(jí) PAM，專為大規(guī)模 MIMO 應(yīng)用而設(shè)計(jì)，器件輸出具有 8 瓦 RMS。QPA3908 的工作頻率范圍...
兩款氮化鎵8瓦功率放大器模塊(PAM)QPA3908和QPA3810
日本電氣股份有限公司 (NEC) 擁有追求技術(shù)創(chuàng)新以及與領(lǐng)先行業(yè)供應(yīng)商合作的悠久傳統(tǒng)。NEC 已與 Qorvo 合作實(shí)施 QPA3908 和 QPA38...
加賀富儀艾電子加快基于氮化鎵USB-C PD電源適配器的研發(fā)
近日，加賀富儀艾電子旗下代理品牌Transphorm宣布推出七款參考設(shè)計(jì)，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計(jì)組合包括廣泛的...
納微半導(dǎo)體助力一加ACE手機(jī)首款標(biāo)配氮化鎵充電器發(fā)布
GaNFast?功率芯片為一加ACE手機(jī)實(shí)現(xiàn)超快充，電量從1%到100%只需充電17分鐘 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多 2022年8月11號(hào)訊 - 納微半...
2022-08-12 標(biāo)簽：手機(jī)氮化鎵納微半導(dǎo)體 9586 0
在當(dāng)今的電力電子產(chǎn)品中，質(zhì)量和可靠性是既定的，設(shè)計(jì)重點(diǎn)是最大限度地提高效率和功率密度，同時(shí)最大限度地降低成本。工作頻率的急劇增加挑戰(zhàn)了當(dāng)前的設(shè)計(jì)實(shí)踐，以...
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