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用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評(píng)估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個(gè)以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成,...
2025-02-21 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 324 0
技術(shù)資料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電流檢測(cè)
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 344 0
BOOSTXL-LMG2100-MD 評(píng)估模塊的用戶指南
BOOSTXL - LMG2100 - MD 評(píng)估模塊,在本文檔中也稱為 “EVM”,通過(guò)基于分流器的精確電流檢測(cè),實(shí)現(xiàn)了具有精確相電流控制的氮化鎵(G...
技術(shù)資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) ...
技術(shù)資料#UCG28826 集成GaN的自偏置高頻QR反激式轉(zhuǎn)換器(65W)
UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT),可將交流轉(zhuǎn)換為直流,以實(shí)現(xiàn)高達(dá) 65W 的功...
2025-02-21 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器反激式轉(zhuǎn)換器晶體管 324 0
應(yīng)用筆記:LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 347 0
LMG3624EVM-081評(píng)估模塊:用于帶 USB Type-C? PD 的 65W 準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器
LMG3624EVM-081 使用具有電流感應(yīng)仿真功能的 LMG3624 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C? 功率傳輸 (PD...
2025-02-21 標(biāo)簽:適配器反激式轉(zhuǎn)換器FET 284 0
LMG3614 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 170mΩ GaN FET概述
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 ...
2025-02-21 標(biāo)簽:FETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 286 0
LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過(guò)在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋...
2025-02-21 標(biāo)簽:FETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 311 0
LMG342x 評(píng)估模塊LMG342X-BB-EVM概述
LMG342X-BB-EVM 是一款易于使用的分線板,可將任何 LMG342xR0x0 半橋板(如 LMG3422EVM-043)配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。...
2025-02-21 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 315 0
LMG3650R035 650V 35mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)概述
LMG365xR035 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 334 0
LMG3650R070 650V 70mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)介紹
LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 334 0
LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器介紹
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 323 0
LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)介紹
LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:封裝電源轉(zhuǎn)換器FET 317 0
LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述
LMG2652 是一個(gè) 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過(guò)在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 295 0
TIDA-010936 適用于集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的48V/16A小型三相GaN逆變器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)展示了采用三個(gè)具有集成式 GaN FET、驅(qū)動(dòng)器和自舉二極管的 100V、35A GaN 半橋 LMG2100R044 的高功率密度 12V ...
2025-02-21 標(biāo)簽:逆變器GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 360 0
TIDA-010042 基于GaN的400W MPPT充電控制器和電源優(yōu)化器參考設(shè)計(jì)
該參考設(shè)計(jì)是一款適用于 12V 和 24V 電池的最大功率點(diǎn)跟蹤 (MPPT) 太陽(yáng)能充電控制器,未來(lái)可用作電源優(yōu)化器。該參考設(shè)計(jì)布局緊湊,適用于中小型...
PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 1/8 磚型電源模塊參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)展示了高性能 GaN 如何為中間總線轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)高效率和小外形尺寸。 *附件:PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48...
TIDA-010933 基于GaN的 1.6kW 雙向微型逆變器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)展示了一款具有儲(chǔ)能功能的基于 GaN 的四輸入雙向 1.6kW 微型逆變器。
PMP31349 具有GaN開關(guān)的30V至60V輸入、240W 降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)是一種可從標(biāo)稱 48V 電池輸入(30V 至 60V 范圍)生成 12V 穩(wěn)壓輸出的電源。該電路設(shè)計(jì)為支持 20A 的連續(xù)輸出電流。LM514...
2025-02-21 標(biāo)簽:電源降壓轉(zhuǎn)換器GaN 280 0
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