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氮化鎵(GaN)功率器件系列能夠設計出體積更小,成本更低,效率更高的電源系統(tǒng),從而突破基于硅的傳統(tǒng)器件的限制。 這里我們給大家介紹一下GaNPX?和PD...
TIDA-00909 適用于高速驅(qū)動器的 48V/10A 高頻 PWM 三相 GaN 逆變器參考設計
低電壓、高速驅(qū)動器和/或低電感無刷電機需要在 40 kHz 至 100 kHz 范圍內(nèi)具有更高的逆變器開關(guān)頻率,以最大限度地減少電機中的損耗和轉(zhuǎn)矩紋波。...
產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級
LMG5200器件是一個 80V、10A 驅(qū)動器和 GaN 半橋功率級,使用增強型氮化鎵 (GaN) FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個 80...
技術(shù)資料#LMG3410R070 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-26 標簽:GaN電力電子系統(tǒng)輸出電容 320 0
技術(shù)資料#LMG3411R070 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-26 標簽:過流保護GaN電力電子系統(tǒng) 701 0
技術(shù)資料#LMG3410R050 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
PMP20873 效率為99%的1kW基于GaN的CCM圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 轉(zhuǎn)換器參考設計
連續(xù)導通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種簡單但高效的功率轉(zhuǎn)換器。為了達到 99% 的效率,需要考慮許多設計細節(jié)。PMP20873...
2025-02-25 標簽:功率因數(shù)功率轉(zhuǎn)換器PFC 435 0
技術(shù)資料#LMG3411R050 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-25 標簽:電子系統(tǒng)PFCGaN 599 0
適用于集成驅(qū)動器的三相1.25kW、200VAC 小型 GaN逆變器參考設計
此參考設計是一款三相逆變器,在 50°C 環(huán)境溫度下的連續(xù)額定功率為 1.25 kW,在 85°C 環(huán)境溫度下的連續(xù)額定功率為 550 W,用于驅(qū)動 2...
技術(shù)資料#LMG3411R150 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
2025-02-25 標簽:MOSFET電子系統(tǒng)GaN 387 0
技術(shù)資料#LMG3422R030 具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告的 600V 30mΩ GaN FET
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健? LMG3...
2025-02-25 標簽:tiGaN開關(guān)模式電源 748 0
具有集成驅(qū)動器和自我保護功能的GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設計
德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級產(chǎn)品家族,該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無引線(OFN)封裝,封裝尺寸為12毫米x12毫米...
應用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結(jié)
德州儀器(TI)提供的一種新的驅(qū)動器集成氮化鎵(GaN)功率級產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳(QFN)封裝中實現(xiàn),該封裝尺寸為12mm x ...
PMP22244:具有 GaN 的 60W USB Type-C? 高密度有源鉗位反激式參考設計
此參考設計是一款適用于 USB Type-C 應用的高密度 60W 115VAC 輸入電源,使用 UCC28782 有源鉗位反激式控制器、LMG2610...
PMP23146:45W高功率密度有源箝位反激式GaN參考設計用于服務器輔助電源
此參考設計是基于 GaN 的 45W 有源鉗位反激式 (ACF),旨在實現(xiàn)最大功率密度。該電源旨在為服務器和電信電源單元 (PSU) 提供輔助電源。UC...
TIDA-050074:140W 基于 GaN 的 USB PD3.1 USB-C? 適配器參考設計
此參考設計是基于氮化鎵 (GaN) 的 140W AC-DC 電源,具有高效率和功率密度。它支持寬輸入(90V~交流~至 264V ~交流~ ) 和輸出...
技術(shù)資料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋,具有集成驅(qū)動器、保護和電流感應功能
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關(guān)模式電源應用中的 75W 有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器<。該LMG2...
PMP40988:可變頻率、ZVS、5kW、基于 GaN 的兩相圖騰柱PFC參考設計
此參考設計是一種高密度、高效率的 5kW 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 設計。該設計使用兩相圖騰柱 PFC,以可變頻率和零電壓開關(guān) (ZVS) 運行。...
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