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機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35%

據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce估算，市場(chǎng)對(duì)HBM需求呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)，加上HBM利潤(rùn)高，故三星、SK海力士及美光國(guó)際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片

2024-05-22 標(biāo)簽：DRAM 晶圓 HBM 895 0

臺(tái)積電準(zhǔn)備生產(chǎn)HBM4基礎(chǔ)芯片

在近日舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電透露了關(guān)于HBM4基礎(chǔ)芯片制造的新進(jìn)展。據(jù)悉，未來(lái)HBM4將采用邏輯制程進(jìn)行生產(chǎn)，臺(tái)積電計(jì)劃使用其N12和...

2024-05-21 標(biāo)簽：臺(tái)積電 HBM HBM4 1013 0

AI芯片需求猛增，CoWoS封裝供不應(yīng)求，HBM技術(shù)難度升級(jí)

行業(yè)觀察者預(yù)測(cè)，英偉達(dá)即將推出的B系列產(chǎn)品，如GB200， B100， B200等，將對(duì)CoWoS封裝產(chǎn)能產(chǎn)生巨大壓力。據(jù)IT之家早前報(bào)道，臺(tái)積電已計(jì)劃...

2024-05-20 標(biāo)簽：CoWoS HBM AI芯片 932 0

SK海力士與臺(tái)積電攜手量產(chǎn)下一代HBM

近日，SK海力士與臺(tái)積電宣布達(dá)成合作，計(jì)劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項(xiàng)合作中，臺(tái)積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEO...

2024-05-20 標(biāo)簽：臺(tái)積電 SK海力士 HBM 805 0

臺(tái)積電將采用HBM4，提供更大帶寬和更低延遲的AI存儲(chǔ)方案

在近期舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電透露了即將用于HBM4制造的基礎(chǔ)芯片的部分新信息。據(jù)悉，未來(lái)HBM4將采用邏輯制程生產(chǎn)，而臺(tái)積電計(jì)劃利用其...

2024-05-20 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電 HBM 1458 0

三星電子考慮采用1c nm DRAM裸片生產(chǎn)HBM4內(nèi)存

早前在Memcon 2024行業(yè)會(huì)議上，三星電子代表曾表示，該公司計(jì)劃在年底前實(shí)現(xiàn)對(duì)1c納米制程的大規(guī)模生產(chǎn)；而關(guān)于HBM4，他們預(yù)見(jiàn)在明年會(huì)完成研發(fā)，...

2024-05-17 標(biāo)簽：三星電子納米制程 HBM 838 0

臺(tái)積電在歐洲技術(shù)研討會(huì)上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝

目前，我們正在攜手眾多HBM存儲(chǔ)伙伴（如美光、三星、SK海力士等）共同推進(jìn)HBM4在先進(jìn)制程中的全面集成。12FFC+基礎(chǔ)Dies在滿足HBM性能需求的...

2024-05-17 標(biāo)簽：臺(tái)積電先進(jìn)制程 HBM 1008 0

三星HBM3E芯片驗(yàn)證仍在進(jìn)行，英偉達(dá)訂單分配備受關(guān)注

業(yè)內(nèi)評(píng)論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問(wèn)題，主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺(tái)積電在驗(yàn)證過(guò)程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方...

2024-05-16 標(biāo)簽：gpu 英偉達(dá)HBM 1562 0

又一家代工廠準(zhǔn)備上市，國(guó)產(chǎn)HBM真要來(lái)了？

來(lái)源：國(guó)芯網(wǎng)，謝謝編輯：感知芯視界 Link 近日，武漢新芯集成電路股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“武漢新芯”）在湖北證監(jiān)局披露IPO輔導(dǎo)備案報(bào)告，標(biāo)志著武漢...

2024-05-16 標(biāo)簽：傳感器晶圓 HBM 4429 0

SK海力士HBM4E存儲(chǔ)器提前一年量產(chǎn)

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國(guó)際存儲(chǔ)研討會(huì)上，由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK海力士計(jì)劃從...

2024-05-15 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 SK海力士 HBM 1143 0

SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲(chǔ)器

據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層，而SK海力士原本計(jì)劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外，該公司還暗示，有可能從HBM4...

2024-05-15 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 SK海力士 HBM 766 0

SK海力士HBM4E內(nèi)存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)

值得注意的是，目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開(kāi)始量產(chǎn)1c nm（第六代10+nm級(jí)）制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報(bào)道，三星電子與SK海力士預(yù)計(jì)今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)1c...

2024-05-14 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM 1047 0

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā)，預(yù)計(jì)2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場(chǎng)需求，SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程，預(yù)計(jì)最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 H...

2024-05-14 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM 740 0

三星電子組建HBM4團(tuán)隊(duì)，旨在縮短開(kāi)發(fā)周期，提升競(jìng)爭(zhēng)力

據(jù)此，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將主要負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的開(kāi)發(fā)和優(yōu)化，而今年三月份新設(shè)立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專攻下一代技術(shù)——HBM4。

2024-05-11 標(biāo)簽：DRAM 三星電子 HBM 1744 0

三星電子組建HBM4獨(dú)立團(tuán)隊(duì)，力爭(zhēng)奪回HBM市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

具體而言，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專注于開(kāi)發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。

2024-05-10 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM 876 0

在機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存的AI時(shí)代，三星如何在DRAM領(lǐng)域開(kāi)拓創(chuàng)新？

2024-05-09 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)AI 709 0

產(chǎn)能之外，HBM先進(jìn)封裝的競(jìng)爭(zhēng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）作為存儲(chǔ)行業(yè)當(dāng)下的新寵，HBM在AI的推動(dòng)下，已經(jīng)陷入了前所未有的市場(chǎng)狂熱。最大的噱頭自然是產(chǎn)能之爭(zhēng)，比如SK海力士表示明...

2024-05-10 標(biāo)簽：DRAM HBM 先進(jìn)封裝 3208 0

三星將未來(lái)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)重心放在企業(yè)市場(chǎng)

5月8日，據(jù)最新消息，三星在近期的財(cái)報(bào)電話會(huì)議中宣布，其存儲(chǔ)業(yè)務(wù)將逐漸轉(zhuǎn)向關(guān)注于企業(yè)市場(chǎng)，如HBM、DDR5服務(wù)器內(nèi)存以及企業(yè)級(jí)SSD等產(chǎn)品線。

2024-05-08 標(biāo)簽：SSD HBM 三星 477 0

消息稱三星組建百人工程師團(tuán)隊(duì)

近日，三星電子宣布組建了一支由精英工程師組成的新團(tuán)隊(duì)，專注于HBM（高帶寬內(nèi)存）的研發(fā)和生產(chǎn)。這一舉措被看作是三星為確保與英偉達(dá)達(dá)成數(shù)十億美元的重大合約...

2024-05-08 標(biāo)簽：三星電子 HBM 802 0

SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄

SK海力士近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績(jī)主要?dú)w功于人工智能（AI）技術(shù)的蓬勃發(fā)展，極大地推動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)HBM芯片的需

2024-05-07 標(biāo)簽：芯片 SK海力士 HBM 723 0

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光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說(shuō)，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，通過(guò)光纖傳送后，接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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