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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能

如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能

首先需要了解的是:接下來(lái)要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng),而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,該信息...

2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 627 0

羅姆BD7682FJ-EVK-402的準(zhǔn)諧振電源軟開(kāi)關(guān)功能測(cè)試

羅姆BD7682FJ-EVK-402的準(zhǔn)諧振電源軟開(kāi)關(guān)功能測(cè)試

本文主要對(duì)電源的軟開(kāi)關(guān)功能進(jìn)行測(cè)試。當(dāng)MOSFET管所在回路的原邊繞組在過(guò)零點(diǎn)處工作時(shí),由于感應(yīng)作用在原邊副繞組上的電流也處于過(guò)零點(diǎn)。檢測(cè)通過(guò)此處的電流...

2023-02-27 標(biāo)簽:電源MOSFET軟開(kāi)關(guān) 1665 0

羅姆SiC-MOSFET開(kāi)發(fā)板開(kāi)箱測(cè)試

羅姆SiC-MOSFET開(kāi)發(fā)板開(kāi)箱測(cè)試

上周收到了羅姆的評(píng)估板,初步分析看了下需要做的技術(shù)準(zhǔn)備工作較多,同時(shí)也需要自己設(shè)計(jì)方案,需要的時(shí)間較多。所以先寫(xiě)一個(gè)測(cè)試計(jì)劃。

2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFET評(píng)估板羅姆 1179 0

SiC開(kāi)發(fā)板主要電路分析以及SiC Mosfet開(kāi)關(guān)速率測(cè)試

SiC開(kāi)發(fā)板主要電路分析以及SiC Mosfet開(kāi)關(guān)速率測(cè)試

羅姆這回提供的電路非常豐富,按由主及次的評(píng)測(cè)思路,我們需要對(duì)電路結(jié)構(gòu)有所了解才能合理設(shè)計(jì)電路實(shí)驗(yàn),特整理了電路分析的內(nèi)容。

2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFETSiC開(kāi)發(fā)板 1839 0

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。

2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFETSiC氮化鎵 614 0

功率模塊和功率IC如何區(qū)分

功率模塊一般指的是將功率MOSFET、IGBT等功率半導(dǎo)體器件與其驅(qū)動(dòng)電路、散熱器等部分集成在一起的電路模塊。這種模塊具有集成度高、可靠性好、穩(wěn)定性強(qiáng)等...

2023-02-26 標(biāo)簽:MOSFET散熱器半導(dǎo)體器件 2562 0

MOSFET和晶體管的區(qū)別

  MOSFET是一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)...

2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 3843 0

MOSFET的工作原理和特點(diǎn)

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一種金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。...

2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 6490 0

場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理和種類(lèi)

場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng) FET)是一種三端半導(dǎo)體器件,其特點(diǎn)是輸入電阻高、輸入電容小、輸出電阻低、噪聲小、速度快...

2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 3816 0

具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件

具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件稱(chēng)為全控性器件,全控型器件又稱(chēng)為自關(guān)斷器件,是指通過(guò)控制信號(hào)既可以控制其導(dǎo)通,又可以控制其關(guān)斷的電力電子器件。

2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET電力電子器件IGBT 3084 0

圖騰柱無(wú)橋PFC電路的工作原理及仿真分析

圖騰柱無(wú)橋PFC電路的工作原理及仿真分析

圖騰無(wú)橋PFC電路,自己第一次接觸,看了幾篇論文學(xué)習(xí)了一下其相關(guān)的知識(shí),簡(jiǎn)單總結(jié)一下分享出來(lái),希望對(duì)大家有所幫助。圖騰無(wú)橋是一種簡(jiǎn)單、效率高且成本低的功...

2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET整流電路PFC 6.0萬(wàn) 2

MOS管極性的判斷方法

MOS管極性的判斷方法

在場(chǎng)效應(yīng)管家族中可以分支成三類(lèi)成員,第一類(lèi)是比較常用的一類(lèi),它的大名叫“絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管”(MOSFET),它的小名叫“MOS”管,也就是題目所講的MO...

2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 5800 0

三極管的開(kāi)關(guān)電路講解

三極管的開(kāi)關(guān)電路講解

對(duì)于三極管開(kāi)關(guān)電路,要使其 ON和 OFF 時(shí)間越短越好,為防止在 OFF 是因晶體管中的殘留電荷引起的時(shí)間滯后,在基極 B和發(fā)射機(jī) E間應(yīng)加一電阻 R...

2023-02-24 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路MOSFET 4739 0

全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗

全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。

2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 988 0

何謂全SiC功率模塊

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了...

2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 740 0

SiC-MOSFET的可靠性

SiC-MOSFET的可靠性

ROHM針對(duì)SiC上形成的柵極氧化膜,通過(guò)工藝開(kāi)發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。

2023-02-24 標(biāo)簽:二極管MOSFETSiC 1462 0

SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例

SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...

2023-02-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 970 0

溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品

溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品

在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。

2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFETSiCRohm 947 0

SiC-MOSFET的體二極管的特性

SiC-MOSFET的體二極管的特性

如圖所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講,體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的,也被...

2023-02-24 標(biāo)簽:二極管MOSFETSiC 4273 0

12V1A路由器開(kāi)關(guān)電源芯片U6773S可提高WiFi速度

WiFi技術(shù)可以算的上是近幾年來(lái)偉大的發(fā)明之一。它徹底改變了人們的生活,改變了智能設(shè)備對(duì)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)的接受方式。

2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFET路由器開(kāi)關(guān)電源芯片 1719 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫(xiě),字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱(chēng)傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
    +關(guān)注
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開(kāi)關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類(lèi)數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊,屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層,功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊,內(nèi)置無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng),是實(shí)現(xiàn)無(wú)線(xiàn)智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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    LM2596
    +關(guān)注
    LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開(kāi)關(guān)電壓調(diào)節(jié)器,能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流,同時(shí)具有很好的線(xiàn)性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V,可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
  • 光立方
    光立方
    +關(guān)注
    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹(shù)”組成的,在2009年10月1日天安門(mén)廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
  • 光模塊
    光模塊
    +關(guān)注
    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說(shuō),光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過(guò)光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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    步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào),它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度(稱(chēng)為“步距角”),它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量,從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的;同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度,從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
  • CD4046
    CD4046
    +關(guān)注
    cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路,其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬(為3V-18V),輸入阻抗高(約100MΩ),動(dòng)態(tài)功耗小,在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW,屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有,CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路,CD4046無(wú)線(xiàn)發(fā)射,cd4046運(yùn)用,cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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    COMSOL
    +關(guān)注
    COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品,這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展,并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬,賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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    加速度傳感器
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    加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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    SDK
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  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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