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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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首先需要了解的是:接下來(lái)要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng),而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,該信息...
羅姆BD7682FJ-EVK-402的準(zhǔn)諧振電源軟開(kāi)關(guān)功能測(cè)試
本文主要對(duì)電源的軟開(kāi)關(guān)功能進(jìn)行測(cè)試。當(dāng)MOSFET管所在回路的原邊繞組在過(guò)零點(diǎn)處工作時(shí),由于感應(yīng)作用在原邊副繞組上的電流也處于過(guò)零點(diǎn)。檢測(cè)通過(guò)此處的電流...
2023-02-27 標(biāo)簽:電源MOSFET軟開(kāi)關(guān) 1665 0
羅姆SiC-MOSFET開(kāi)發(fā)板開(kāi)箱測(cè)試
上周收到了羅姆的評(píng)估板,初步分析看了下需要做的技術(shù)準(zhǔn)備工作較多,同時(shí)也需要自己設(shè)計(jì)方案,需要的時(shí)間較多。所以先寫(xiě)一個(gè)測(cè)試計(jì)劃。
SiC開(kāi)發(fā)板主要電路分析以及SiC Mosfet開(kāi)關(guān)速率測(cè)試
羅姆這回提供的電路非常豐富,按由主及次的評(píng)測(cè)思路,我們需要對(duì)電路結(jié)構(gòu)有所了解才能合理設(shè)計(jì)電路實(shí)驗(yàn),特整理了電路分析的內(nèi)容。
2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFETSiC開(kāi)發(fā)板 1839 0
憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。
功率模塊一般指的是將功率MOSFET、IGBT等功率半導(dǎo)體器件與其驅(qū)動(dòng)電路、散熱器等部分集成在一起的電路模塊。這種模塊具有集成度高、可靠性好、穩(wěn)定性強(qiáng)等...
2023-02-26 標(biāo)簽:MOSFET散熱器半導(dǎo)體器件 2562 0
MOSFET是一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 3843 0
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一種金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 6490 0
場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理和種類(lèi)
場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng) FET)是一種三端半導(dǎo)體器件,其特點(diǎn)是輸入電阻高、輸入電容小、輸出電阻低、噪聲小、速度快...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 3816 0
具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件稱(chēng)為全控性器件,全控型器件又稱(chēng)為自關(guān)斷器件,是指通過(guò)控制信號(hào)既可以控制其導(dǎo)通,又可以控制其關(guān)斷的電力電子器件。
圖騰無(wú)橋PFC電路,自己第一次接觸,看了幾篇論文學(xué)習(xí)了一下其相關(guān)的知識(shí),簡(jiǎn)單總結(jié)一下分享出來(lái),希望對(duì)大家有所幫助。圖騰無(wú)橋是一種簡(jiǎn)單、效率高且成本低的功...
在場(chǎng)效應(yīng)管家族中可以分支成三類(lèi)成員,第一類(lèi)是比較常用的一類(lèi),它的大名叫“絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管”(MOSFET),它的小名叫“MOS”管,也就是題目所講的MO...
2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 5800 0
對(duì)于三極管開(kāi)關(guān)電路,要使其 ON和 OFF 時(shí)間越短越好,為防止在 OFF 是因晶體管中的殘留電荷引起的時(shí)間滯后,在基極 B和發(fā)射機(jī) E間應(yīng)加一電阻 R...
2023-02-24 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路MOSFET 4739 0
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 970 0
溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
12V1A路由器開(kāi)關(guān)電源芯片U6773S可提高WiFi速度
WiFi技術(shù)可以算的上是近幾年來(lái)偉大的發(fā)明之一。它徹底改變了人們的生活,改變了智能設(shè)備對(duì)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)的接受方式。
2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFET路由器開(kāi)關(guān)電源芯片 1719 0
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