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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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TPS28225-Q1 具有 4V UVLO 的汽車類 4A、27V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS28225-Q1 是一款高速驅(qū)動(dòng)器,適用于具有自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制的 N 溝道互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過(guò)優(yōu)化,適用于各種大電流、單相和...
2025-05-20 標(biāo)簽:二極管MOSFET驅(qū)動(dòng)器 293 0
L5980 最高0.7 A步降開關(guān)穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
L5980 是一款降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器,具有 1 A(最?。┫蘖髑度胧焦β?MOSFET,因此它能夠根據(jù)應(yīng)用條件向負(fù)載提供超過(guò) 0.7 A 的直流電流。 ...
2025-04-01 標(biāo)簽:MOSFET嵌入式開關(guān)穩(wěn)壓器 293 0
UCC27444 具有-5V輸入能力的 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27444 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為 4 ...
2025-05-15 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)GaN 293 0
TPS22919 具有可調(diào)輸出放電的 5.5V、1.5A、90mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22919 器件是一款小型單通道負(fù)載開關(guān),具有受控的轉(zhuǎn)換速率。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 1.6 V 至 5.5 V 的輸入電壓...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)短路 293 0
UCC5350L-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 ±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC5350L-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 Si...
Analog Devices Inc. ADPL13602 同步降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. ADPL13602同步降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器是集成有MOSFET的高效元件,可在3.5V至36V輸入電壓范圍內(nèi)工作...
2025-06-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET同步降壓 293 0
TPS54622-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 17V、6A 同步降壓開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS54622-EP 器件采用熱增強(qiáng)型 3.5mm × 3.5mm VQFN 封裝,是一款功能齊全的 17V、6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,通過(guò)高效率并集成高...
LMR14030 具有 40uA IQ 的 SIMPLE SWITCHER? 40V、3.5A、2.2MHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LMR14030 是一款 40V、3.5A 降壓型穩(wěn)壓器,集成了高側(cè) MOSFET。該器件具有 4V 至 40V 的寬輸入范圍,專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)...
2025-06-23 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓電源降壓穩(wěn)壓器 292 0
UCD74120 14 V、25 A 同步降壓功率級(jí),帶輸出電流監(jiān)控技術(shù)資料
UCD74120 是一款多芯片模塊,將一個(gè)驅(qū)動(dòng)器器件和兩個(gè) NexFET 功率 MOSFET 集成到一個(gè)熱增強(qiáng)型緊湊型 5 mm × 7 mm QFN ...
2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器降壓轉(zhuǎn)換器 292 0
車載充電器 (OBC)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器都受益于 SiC,正在進(jìn)行的工藝和架構(gòu)改進(jìn)肯定會(huì)增加其已經(jīng)相當(dāng)可觀的吸引力。這種增強(qiáng)將擴(kuò)大這種寬帶...
2023-02-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET碳化硅 292 0
TPSM63603E 36V、3A 降壓電源模塊,采用小型 4mm x 6mm x 1.8mm 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPSM63603E 同步降壓電源模塊是一種高度集成的 36V、3A DC/DC 解決方案,將功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無(wú)源器件組合在一個(gè)增強(qiáng)型...
TLVM13630 高密度、3V 至 36V 輸入、1V 至 6V 輸出、3A 降壓電源模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
TLVM13630 同步降壓電源模塊是一種高度集成的 36V、3A DC/DC 解決方案,將功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無(wú)源器件組合在一個(gè)增強(qiáng)型 ...
TPSM64404 0.8V 至 16V 輸出,雙通道 2A 高密度電源模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPSM6440xx 是一款高度集成的 36V 輸入直流/直流設(shè)計(jì),將功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無(wú)源器件組合在一個(gè)增強(qiáng)型 HotRod? QFN...
LMR14020-Q1 具有 40uA IQ 的 SIMPLE SWITCHER? 汽車級(jí) 40V、2A、2.2MHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LMR14020-Q1 是一款 40V、2A 降壓穩(wěn)壓器,集成了高壓側(cè) MOSFET。該器件具有 4V 至 40V 的寬輸入范圍,專為從工業(yè)到汽車的各種...
2025-06-20 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓電源降壓穩(wěn)壓器 290 0
LM5060系列 5.5V 至 65V 高壓側(cè)保護(hù)控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5060 高側(cè)保護(hù)控制器可在正常開/關(guān)轉(zhuǎn)換和故障條件下對(duì)高側(cè) N 溝道 MOSFET 進(jìn)行智能控制。浪涌電流由輸出電壓的幾乎恒定的上升時(shí)間控制。PO...
UCC21551-Q1 汽車級(jí) 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21551x-Q1 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),用于驅(qū)動(dòng)功率 ...
CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊(cè)
這款 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化,可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)...
LMR36006-Q1 4.2V 至 60V、0.6A 超小型同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LMR36006-Q1 穩(wěn)壓器是一款易于使用的同步降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。通過(guò)集成的高壓側(cè)和低壓側(cè)功率 MOSFET,可在 4.2 V 至 60 V ...
LMG1020 具有 5V UVLO 的 7A/5A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LMG1020 器件是一款單通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于在高速應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) GaN FET 和邏輯電平 MOSFET,包括 LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別以及...
NSG4427柵極驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品特性
NSG4427是低電壓功率MOSFET和IGBT同相位柵驅(qū)動(dòng)器。專有的閂鎖免疫CMOS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)高魯棒性。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTT...
2025-05-30 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 288 0
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