mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) MOSFET選型

mosfet技術(shù)

TPS22810 具有可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電的 18V、3A、79mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22810 是一款單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，具有可配置的上升時(shí)間，并集成了快速輸出放電（QOD）。此外，該器件還具有熱關(guān)斷功能，以保護(hù)器件免受高結(jié)溫的影響...

2025-05-10 標(biāo)簽：MOSFET 封裝負(fù)載開(kāi)關(guān) 273 0

LMR14020-Q1 具有 40uA IQ 的 SIMPLE SWITCHER? 汽車(chē)級(jí) 40V、2A、2.2MHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMR14020-Q1 是一款 40V、2A 降壓穩(wěn)壓器，集成了高壓側(cè) MOSFET。該器件具有 4V 至 40V 的寬輸入范圍，專為從工業(yè)到汽車(chē)的各種...

2025-06-20 標(biāo)簽：MOSFET 穩(wěn)壓電源降壓穩(wěn)壓器 273 0

TPS22963C 5.5V、3A、14mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22963/64 是一款小型、超低的 R~上~負(fù)載開(kāi)關(guān) 受控打開(kāi)。該設(shè)備包含低 R~DSON 系列~N 溝道 MOSFET 可在 1 V 至 5....

2025-05-12 標(biāo)簽：MOSFET NMOS 負(fù)載開(kāi)關(guān) 273 0

UCC5880-Q1 具有高級(jí)保護(hù)功能的汽車(chē)級(jí) 20A 實(shí)時(shí)可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5880-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。...

2025-05-15 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電阻器 273 0

UCC23313-Q1 具有 8V/12V UVLO 的汽車(chē)級(jí) 3.75kVrms、4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23313-Q1 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5A 拉電流和 5.3...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 電源電壓 FET 272 0

LMZM33602 4V 至 36V、2A 降壓型 DC/DC 電源模塊，采用緊湊的 7x9x4mm QFN 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMZM33602 電源模塊是一種易于使用的集成電源解決方案，它將 2A 降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器與功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無(wú)源器件組合到一個(gè)扁平...

2025-04-21 標(biāo)簽：MOSFET 封裝直流轉(zhuǎn)換器 272 0

UCC27423 具有 5V UVLO、使能和反相輸入的 4A/4A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2742x 系列高速雙通道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器可向電容性負(fù)載提供較大的峰值電流。提供三種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng) – 雙反相、雙同相以及單相和單同相驅(qū)動(dòng)器。...

2025-05-21 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器引腳 272 0

TPS22997 具有電源正常功能的 5.5V 10A 4mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22997 是一款單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，可提供可配置的上升時(shí)間，以最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 0.1 V 至 ...

2025-05-07 標(biāo)簽：MOSFET 負(fù)載開(kāi)關(guān)輸入電壓 271 0

TPS43350-Q1 40V 雙通道同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS43350-Q1 和 TPS43351-Q1 包括兩個(gè)電流模式同步降壓控制器專為汽車(chē)應(yīng)用中的惡劣環(huán)境而設(shè)計(jì)。這些器件非常適合用于具有低靜態(tài)要求...

2025-04-27 標(biāo)簽：MOSFET 穩(wěn)壓器軟啟動(dòng) 271 0

LMZ31506H 具有 4.5V-14.5V 輸入的 6A 電源模塊，采用 QFN 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMZ31506H 電源模塊是一種易于使用的集成電源解決方案，它將 6A 直流-直流轉(zhuǎn)換器與功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無(wú)源器件組合到一個(gè)扁平的 ...

2025-04-22 標(biāo)簽：MOSFET 電感器直流轉(zhuǎn)換器 271 0

LMG1020 具有 5V UVLO 的 7A/5A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMG1020 器件是一款單通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于在高速應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) GaN FET 和邏輯電平 MOSFET，包括 LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別以及...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET FET GaN 270 0

ISO5451 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，具有主動(dòng)保護(hù)功能數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5451 是一款 5.7kV RMS 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 IGBT 和 MOSFET，具有 2.5A 拉電流和 5A 灌電流。輸入側(cè)采...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 隔離器 270 0

UCC21542 5.7kVrms，4A/6A 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器晶體管 270 0

CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)

這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18...

2025-04-16 標(biāo)簽：MOSFET 封裝導(dǎo)通電阻 270 0

TPS22992 5.5V 6A 8.7mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)，具有可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22992x 產(chǎn)品系列由兩個(gè)器件組成：TPS22992 和 TPS22992S。每個(gè)器件都是一個(gè)單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，帶有一個(gè) 8.7mΩ 功率 MOS...

2025-05-08 標(biāo)簽：MOSFET 負(fù)載開(kāi)關(guān)引腳 270 0

LM25066IA 具有 I2C 和 PMBus 的 2.9V 至 17V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

雖然 LM25066I/A 在功能上與 LM25066/A 相似，但 LM25066I/A 完全符合 Intel Node Manager 2.0、2...

2025-05-12 標(biāo)簽：MOSFET 接口 SMBus 270 0

UCC27282-Q1 具有 5V UVLO、互鎖和使能功能的汽車(chē)類 3A、120V 半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27282 -Q1 是一款堅(jiān)固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，最大開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS）額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電源電壓 270 0

TPSM84A21 8V 至 14V、0.508V 至 1.35V 輸出、10A 電源模塊，集成輸入和輸出電容器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPSM84A21 是一款易于使用的集成電源解決方案，它將 [TPS54A20](http://www.ti.com/lit/pdf/SLVSCQ8)（...

2025-04-21 標(biāo)簽：電容器 MOSFET 電阻器 269 0

Analog Devices Inc. LTC4381低靜態(tài)電流電子保險(xiǎn)絲數(shù)據(jù)手冊(cè)

Analog Devices Inc. LTC4381低靜態(tài)電流電子保險(xiǎn)絲是一款集成解決方案，具有一個(gè)內(nèi)部9m Ω N溝道MOSFET。通過(guò)鉗位內(nèi)部9...

2025-06-05 標(biāo)簽：MOSFET 保險(xiǎn)絲 Analog 269 0

ISO5852S-Q1 汽車(chē)5.7kVrms 2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5852S-Q1 器件的電壓為 5.7kV ~RMS~ ，用于 IGBT 和 MOSFET 的增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有分離輸出 OUTH 和 ...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 單電源 269 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說(shuō)，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，通過(guò)光纖傳送后，接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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