mosfet

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簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) MOSFET選型

mosfet技術(shù)

CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊(cè)

這款 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計(jì)和優(yōu)化，可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)...

2025-04-15 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電阻器 289 0

UCC27222 高效預(yù)測(cè)同步降壓驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27221 和 UCC27222 是高速同步降壓驅(qū)動(dòng)器，適用于當(dāng)今的高效率、低輸出電壓設(shè)計(jì)。這些驅(qū)動(dòng)器采用預(yù)測(cè)柵極驅(qū)動(dòng)? （PGD）控制技術(shù)，可...

2025-05-21 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 PWM 288 0

LMG1020 具有 5V UVLO 的 7A/5A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMG1020 器件是一款單通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于在高速應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) GaN FET 和邏輯電平 MOSFET，包括 LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別以及...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET FET GaN 288 0

LM5134系列具有 4V UVLO 和互補(bǔ)導(dǎo)頻輸出的 7.6A/4.5A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5134 是一款能夠吸收和拉出 7.6A 電流的高速單通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器和 4.5A 峰值電流。LM5134 具有反相和同相輸入，可為用戶提供在控制...

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 FET 288 0

UCC27423 具有 5V UVLO、使能和反相輸入的 4A/4A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2742x 系列高速雙通道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器可向電容性負(fù)載提供較大的峰值電流。提供三種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng) – 雙反相、雙同相以及單相和單同相驅(qū)動(dòng)器。...

2025-05-21 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器引腳 288 0

NSG4427柵極驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品特性

NSG4427是低電壓功率MOSFET和IGBT同相位柵驅(qū)動(dòng)器。專有的閂鎖免疫CMOS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)高魯棒性。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTT...

2025-05-30 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 IGBT 288 0

UCC37322 具有分離輸出、25ns 屬性延遲和啟用功能的 9A/9A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2732x/UCC3732x 系列高速驅(qū)動(dòng)器采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局，可提供 9A 的峰值驅(qū)動(dòng)電流。這些驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)最大的 MOSFET，適用于由于...

2025-05-22 標(biāo)簽：電路 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 288 0

LM5105系列具有 8V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間的 1.8A、1.6A 100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5105 是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng)高側(cè)和采用同步降壓或半橋配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電...

2025-05-21 標(biāo)簽：電容器 MOSFET 電源電壓 288 0

L5981 最高1 A步降開關(guān)穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

L5981 是一款降壓開關(guān)穩(wěn)壓器，具有 1.5 A（最?。┫蘖髑度胧焦β?MOSFET，因此它能夠根據(jù)應(yīng)用條件向負(fù)載提供超過 1 A 的直流電流。 ...

2025-04-01 標(biāo)簽：MOSFET 嵌入式開關(guān)穩(wěn)壓器 288 0

LMR16010 SIMPLE SWITCHER 60V、1A 降壓轉(zhuǎn)換器，具有 40uA Iq數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMR16010 為 60 V、1 A 簡單帶集成高壓側(cè) MOSFET 的 SWITCHER 降壓穩(wěn)壓器。輸入范圍廣范圍為 4.3 V 至 60 V...

2025-06-19 標(biāo)簽：MOSFET 穩(wěn)壓電源降壓穩(wěn)壓器 287 0

TPS43351-Q1 具有頻率擴(kuò)頻的 40V 雙通道同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS43350-Q1 和 TPS43351-Q1 包括兩個(gè)電流模式同步降壓控制器專為汽車應(yīng)用中的惡劣環(huán)境而設(shè)計(jì)。這些器件非常適合用于具有低靜態(tài)要求...

2025-04-27 標(biāo)簽：MOSFET 穩(wěn)壓器過流保護(hù) 287 0

ISOM8600 功能隔離、直流輸入、常開輸出、單通道隔離開關(guān)光仿真器數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISOM8600 是一款 80V 單刀常開開關(guān)，帶有光仿真器輸入。光仿真器輸入控制背靠背 MOSFET，無需在次級(jí)側(cè)提供任何電源。這些器件與許多傳統(tǒng)光耦...

2025-05-06 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 光耦合器 287 0

ME8701 X電容自動(dòng)放電芯片概述

ME8701是一款X電容自動(dòng)放電芯片，兩端接入AC電壓后，會(huì)有極低的電流流進(jìn)芯片，可在230V AC輸入時(shí)將功率損耗降至5mW以下。當(dāng)AC斷電后，ME8...

2025-05-19 標(biāo)簽：電源芯片 MOSFET 287 0

TPS22998 5.5V、10A、4mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22998 是一款單通道負(fù)載開關(guān)，可提供可配置的上升時(shí)間，以最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 0.2 V 至 ...

2025-05-08 標(biāo)簽：MOSFET 封裝負(fù)載開關(guān) 286 0

UCC27288 具有 8V UVLO 且無內(nèi)部自舉二極管的 2.5A 至 3.5A 120V 半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27288 是一款堅(jiān)固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，最大開關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS）額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓?fù)?..

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器下拉電阻 286 0

電源管理芯片U3205A擁有良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率

電源管理芯片U3205A擁有良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率銀聯(lián)寶電源管理芯片U3205A通過實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)負(fù)載狀態(tài)，自動(dòng)調(diào)節(jié)MOSFET的開關(guān)頻率，輕載或空載時(shí)...

2025-04-17 標(biāo)簽：MOSFET 監(jiān)測(cè)電源管理芯片 286 0

UCC5880-Q1 具有高級(jí)保護(hù)功能的汽車級(jí) 20A 實(shí)時(shí)可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5880-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。...

2025-05-15 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電阻器 286 0

TPS5120-Q1 汽車級(jí) 4.5V 至 28V 雙通道兩相同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS5120 是一款雙通道、高效同步降壓控制器，其中輸出異相 180 度運(yùn)行，從而降低了輸入電流紋波，從而降低了輸入電容成本。PWM/SKIP 引腳允...

2025-04-02 標(biāo)簽：MOSFET PWM 同步整流器 286 0

TLVM13610 36V 輸入、1V 至 10V 輸出、8A 電源模塊，采用7.5mm x 6.5mm HotRod? QFN封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)

TLVM13610 是一款高度集成的 36V、8A DC/DC 解決方案，將功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無源器件組合在一個(gè)增強(qiáng)型 HotRod? ...

2025-04-18 標(biāo)簽：電容器 MOSFET 電感器 285 0

UCC23514 5kVrms 4A/5A，單通道光學(xué)兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，帶有鉗位和分割輸出選項(xiàng)數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23514 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5A 的拉電流和 5.3A ...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET FET SiC 285 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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UHD是”超高清“的意思UHD的應(yīng)用在電視機(jī)技術(shù)上最為普遍，目前已有不少廠商推出了UHD超高清電視。
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LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，通過光纖傳送后，接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過控制脈沖個(gè)數(shù)來控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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