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mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

AiP44531/AiP44532通用單通道低邊柵驅(qū)動器參數(shù)

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AiP44531/AiP44532是一款通用單通道低邊柵驅(qū)動器,可以替代由分立元件組成的推挽電路,直接驅(qū)動IGBT,功率MOSFET,繼電器等功率開關(guān)。...

2024-12-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器電源管理 708 0

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一般來說,工頻逆變器是選用IGBT單管來應(yīng)用的。但對于低壓工頻逆變器而言,選擇MOS管似乎是更具有性價(jià)比的選擇。畢竟市場中也有很多款是非常成熟的MOS管...

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如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器

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在工業(yè)電子設(shè)備中,過壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器,以應(yīng)對長時(shí)間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌...

2024-12-22 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管浪涌抑制器 498 0

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各位小伙伴,不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?》后反響熱烈,很多朋友留言詢問課件...

2024-12-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 1917 0

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電機(jī)控制器是新能源汽車電控系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分之一,它負(fù)責(zé)將電池的直流電轉(zhuǎn)換成交流電以驅(qū)動電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。在這個(gè)過程中,核心功率器件一般是 SiC 或者 GaN...

2024-12-19 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET電機(jī)控制器 1500 0

一文了解三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)

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三菱電機(jī)開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET,并將其產(chǎn)品化,率先將其應(yīng)用于驅(qū)動鐵路車輛的變流器中,是一家在市場上擁有良好業(yè)績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你...

2024-12-18 標(biāo)簽:芯片二極管MOSFET 1302 0

智能照明電源芯片U3205產(chǎn)品介紹

光與照明息息相關(guān),燈具的發(fā)展應(yīng)該其實(shí)就是在模擬自然光的變化,追求更高的調(diào)光深度和精度。品控是燈光保障的重要問題,也需要芯片產(chǎn)品提供更高的解決方案。今天給...

2024-12-17 標(biāo)簽:MOSFET智能照明電源芯片 797 0

飛虹MOS管FHP1906V在逆變模塊中的應(yīng)用

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MOSFET是逆變模塊中不可或缺的核心元件。它能直接影響逆變器的效率、響應(yīng)速度、熱管理和整體可靠性。因此對于逆變模塊的MOS管選型使用就顯得尤為重要。

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2024-12-12 標(biāo)簽:MOSFET熱插拔分立器件 770 0

使用4200A-SCS軟件和矩陣開關(guān)搭建可靠性評估平臺

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在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子(CHC)誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時(shí)獲得動能。當(dāng)大多數(shù)載流子到...

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華太電子BMS AFE芯片應(yīng)用中的常見問題解答

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????? BMS AFE芯片作為電池管理系統(tǒng)的核心器件,在電池管理系統(tǒng)中承擔(dān)著重要角色。

2024-12-09 標(biāo)簽:芯片MOSFETbms 2003 0

1000字搞懂MOSFET規(guī)格書中體二極管的關(guān)鍵參數(shù)以及電路設(shè)計(jì)關(guān)注點(diǎn)

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2024-12-08 標(biāo)簽:二極管MOSFET電路設(shè)計(jì) 3355 0

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Part 01 前言 與三極管等其他的有源器件相比,MOSFET的不同尋常之處在于其原理圖符號會包含一個(gè)寄生器件——體二極管。那么是不是所有的MOSFE...

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碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,相較于傳統(tǒng)硅基器件,展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高的擊穿...

2024-12-06 標(biāo)簽:MOSFET檢測碳化硅 1420 0

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SMT10T01AHTL是一款100V的N-通道功率MOSFET,主要應(yīng)用在電信和工業(yè)中的DC/DC轉(zhuǎn)換器上,以及汽車電子領(lǐng)域的電池管理系統(tǒng)上。

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在高功率電子設(shè)計(jì)中,為了滿足更大的電流需求和提升系統(tǒng)可靠性,常常需要將多個(gè)MOSFET器件并聯(lián)使用。然而,MOSFET的并聯(lián)應(yīng)用并非簡單的器件堆疊,它涉...

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2024-12-04 標(biāo)簽:MOSFETNMOS晶體管 1144 0

三菱電機(jī)1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析

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1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為...

2024-12-04 標(biāo)簽:芯片MOSFET三菱電機(jī) 1776 0

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現(xiàn)代半導(dǎo)體電子設(shè)計(jì)中,MOSFET(場效應(yīng)晶體管)因其高效、快速開關(guān)特性以及低功耗特性,被廣泛應(yīng)用于各種電源管理、電動機(jī)驅(qū)動、信號放大等領(lǐng)域。然而,在實(shí)...

2024-12-03 標(biāo)簽:MOSFET晶體管驅(qū)動電流 1028 0

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    ESP8266
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    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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