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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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AiP44531/AiP44532通用單通道低邊柵驅(qū)動器參數(shù)
AiP44531/AiP44532是一款通用單通道低邊柵驅(qū)動器,可以替代由分立元件組成的推挽電路,直接驅(qū)動IGBT,功率MOSFET,繼電器等功率開關(guān)。...
如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器
在工業(yè)電子設(shè)備中,過壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器,以應(yīng)對長時(shí)間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌...
光隔離探頭在新能源汽車電機(jī)控制器的雙脈沖測試應(yīng)用實(shí)例
電機(jī)控制器是新能源汽車電控系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分之一,它負(fù)責(zé)將電池的直流電轉(zhuǎn)換成交流電以驅(qū)動電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。在這個(gè)過程中,核心功率器件一般是 SiC 或者 GaN...
三菱電機(jī)開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET,并將其產(chǎn)品化,率先將其應(yīng)用于驅(qū)動鐵路車輛的變流器中,是一家在市場上擁有良好業(yè)績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你...
光與照明息息相關(guān),燈具的發(fā)展應(yīng)該其實(shí)就是在模擬自然光的變化,追求更高的調(diào)光深度和精度。品控是燈光保障的重要問題,也需要芯片產(chǎn)品提供更高的解決方案。今天給...
長工微電子50A高度集成E-Fuse IS6105A解決方案
計(jì)算密集型應(yīng)用和大規(guī)模數(shù)據(jù)處理需求的不斷增長,服務(wù)器等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備需要大電流的穩(wěn)定供應(yīng)以支持高性能計(jì)算。伴隨著功率需求的顯著增加,電源系統(tǒng)必須具備高效的過流...
使用4200A-SCS軟件和矩陣開關(guān)搭建可靠性評估平臺
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子(CHC)誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時(shí)獲得動能。當(dāng)大多數(shù)載流子到...
2024-12-11 標(biāo)簽:MOSFETNMOS矩陣開關(guān) 1141 0
1000字搞懂MOSFET規(guī)格書中體二極管的關(guān)鍵參數(shù)以及電路設(shè)計(jì)關(guān)注點(diǎn)
Part 01 前言 上一篇文章我們介紹了MOSFET的體二極管,我們知道了MOSFET體二極管在MOSFET中是廣泛存在的,并且MOSFET經(jīng)過了幾十...
2024-12-08 標(biāo)簽:二極管MOSFET電路設(shè)計(jì) 3355 0
所有的MOSFET都有體二極管嗎?它有什么作用呢?硬件工程師要搞懂的電路知識點(diǎn)
Part 01 前言 與三極管等其他的有源器件相比,MOSFET的不同尋常之處在于其原理圖符號會包含一個(gè)寄生器件——體二極管。那么是不是所有的MOSFE...
碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,相較于傳統(tǒng)硅基器件,展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高的擊穿...
100V N通道功率MOSFET SMT10T01AHTL概述
SMT10T01AHTL是一款100V的N-通道功率MOSFET,主要應(yīng)用在電信和工業(yè)中的DC/DC轉(zhuǎn)換器上,以及汽車電子領(lǐng)域的電池管理系統(tǒng)上。
2024-12-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電池管理系統(tǒng) 1068 0
非線性損耗模型:提升SiC變換器性能估算的準(zhǔn)確性
由于硅碳化物(SiC)MOSFET器件具有高電壓能力、較低的導(dǎo)通電阻、高溫操作的耐受性以及相對于硅更高的功率密度等固有特性,越來越受到電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)師的青...
MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
在高功率電子設(shè)計(jì)中,為了滿足更大的電流需求和提升系統(tǒng)可靠性,常常需要將多個(gè)MOSFET器件并聯(lián)使用。然而,MOSFET的并聯(lián)應(yīng)用并非簡單的器件堆疊,它涉...
2024-12-04 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動高功率 895 0
在90納米制程之前,每一代集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮放不僅帶來了更高的器件密度,還提升了器件性能。然而,當(dāng)CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點(diǎn)時(shí),縮放并...
三菱電機(jī)1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為...
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