天威微電子作為京瓷兼容芯片領(lǐng)導(dǎo)者，現(xiàn)推出TK-4208/TK-4218系列兼容芯片，完美適用于TASKalfa MZ2100/MZ2200系列新款機(jī)型，詳見以下表格。
2024-03-19 09:35:40
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業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼603986)宣布，正式推出基于ArmCortex-M33內(nèi)核的GD32F5系列高性能微控制器，全面適配于能源電力、光伏儲能、工業(yè)
2024-03-16 08:22:4177 
近日，備受矚目的半導(dǎo)體供應(yīng)商思瑞浦3PEAK正式推出了一款全新的3.3V供電、帶故障保護(hù)功能的高速CAN收發(fā)器——TPT133X系列產(chǎn)品。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的發(fā)布，標(biāo)志著思瑞浦3PEAK在高性能模擬芯片和嵌入式處理器領(lǐng)域的技術(shù)實力再次得到市場認(rèn)可。
2024-03-14 11:12:44209 上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司（先楫半導(dǎo)體，HPMicro）推出了國產(chǎn)高性能微控制器HPM6800系列，致力于提供單主控的數(shù)字儀表及HMI解決方案
2024-03-13 12:24:57244 
意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255 兆易創(chuàng)新GigaDevice，業(yè)界知名的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商，今日正式揭曉了其最新研發(fā)成果——GD32F5系列高性能微控制器。這款微控制器基于先進(jìn)的Arm? Cortex?-M33內(nèi)核，為能源電力、光伏儲能、工業(yè)自動化、PLC、網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備以及圖形顯示等多元化應(yīng)用場景提供了強(qiáng)大的支持。
2024-03-08 09:29:06200 上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司（先楫半導(dǎo)體，HPMicro）推出了國產(chǎn)高性能微控制器HPM6800系列，致力于提供單主控的數(shù)字儀表及HMI解決方案，攜手生態(tài)合作伙伴構(gòu)建全新的數(shù)字儀表顯示及人機(jī)界面應(yīng)用平臺。
2024-03-07 12:30:39550 
中國北京（2024年3月7日）——業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布，正式推出基于Arm Cortex-M33內(nèi)核的GD32F5系列高性能微控制器，全面適配于能源電力、光伏儲能、工業(yè)自動化、PLC、網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、圖形顯示等應(yīng)用場景。
2024-03-07 09:09:23189 
2023年5月11日，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布，正式推出中國首款基于Arm? Cortex?-M7內(nèi)核的GD32H737/757/759系列超高性能微控制器。
2024-03-04 10:42:52327 
深圳銀聯(lián)寶繼續(xù)為您推薦一款高性能、低成本的原邊控制功率開關(guān)——電源管理ic U62143，內(nèi)置高壓功率三極管，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用。
2024-02-23 15:56:43231 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計算機(jī)、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
我非常榮幸地向大家推薦幾款高性能的三防平板電腦，這些產(chǎn)品都來自億道三防onerugged系列。它們以其卓越的性能和出色的工藝設(shè)計，成為行業(yè)中備受矚目的產(chǎn)品。
2024-02-20 10:05:33123 Agilent E4419B是一種高性能的雙通道可程控功率計。它與8480系列功率傳感器和新型E系列功率傳感器完全兼容。依據(jù)所使用的傳感器，E4419B可以在100KHz～110GHz頻率范圍內(nèi)
2024-01-20 08:58:32
功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36294 
Andes晶心科技，一家專注于高性能處理器IP的領(lǐng)先供應(yīng)商，近日宣布全面推出其最新產(chǎn)品——AndesCore? AX65。這款高性能處理器IP是AndesCore AX60系列中的首款產(chǎn)品，具備亂序執(zhí)行、超純量、多核處理器的特點，旨在滿足市場對高效能處理器的需求。
2024-01-17 14:28:39239 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
AG103/107/205/303/407，與現(xiàn)有STM32產(chǎn)品功能和管腳完全兼容。
AGM的32位MCU采用了自主研發(fā)的高性能單（多）核，以及高性價比嵌入式CPU技術(shù)，使其MCU系列產(chǎn)品相對于國產(chǎn)同類產(chǎn)品
2023-12-29 10:52:29
近日高品質(zhì)微波毫米波器件供應(yīng)商RFTOP（頻優(yōu)微波）推出了兩款高性能3.5mm隔直器，分別為10M-34GHz高頻隔直器和10M-26.5GHz高性價比隔直器，進(jìn)一步豐富隔直器產(chǎn)品線。該系列
2023-12-19 13:48:59262 
【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：超級結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16410 
今天兆芯正式推出了自主創(chuàng)新研發(fā)的新一代高性能桌面處理器——開先KX-7000系列產(chǎn)品。
2023-12-13 09:31:51784 
：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:37494 
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-12-06 18:22:24522 
GaAs二極管是WBG功率半導(dǎo)體中的全新成員，其為設(shè)計人員提供了一種能夠在高性能功率變換器中平衡效率與成本的方案。
2023-12-04 18:23:24455 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時間計算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計，銅箔面積布設(shè)多大散熱會比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
在電子科技日新月異的今天，唯創(chuàng)知音推出了一款極具競爭力的CMOS語音芯片——WTN6 F系列。這款芯片憑借其低成本、高性能以及在1.8V~5.5V寬電壓范圍內(nèi)工作的特性，尤其是可重復(fù)燒寫的特點
2023-11-27 10:19:15210 在電子科技日新月異的今天，唯創(chuàng)知音推出了一款極具競爭力的CMOS語音芯片——WTN6F系列。這款芯片憑借其低成本、高性能以及在1.8V~5.5V寬電壓范圍內(nèi)工作的特性，尤其是可重復(fù)燒寫的特點，在語音
2023-11-27 10:10:45149 
為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計更綠色、更小的電源.pdf》資料免費下載
2023-11-13 15:11:29
0 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過
2023-11-01 08:24:31345 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能軟開關(guān)功率因數(shù)校正電路的設(shè)計.doc》資料免費下載
2023-10-27 11:23:470 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產(chǎn)品，適用于空調(diào)、空氣凈化
2023-10-27 11:13:00301 功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計能滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 汽車電子MOSFET發(fā)展的一個最終方向是提高感測、控制和保護(hù)功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中?，F(xiàn)在在最低功率級別，MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了"TLP3475W"
2023-10-18 11:38:44554 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計簡單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 MOSFET功率損耗的詳細(xì)計算
2023-09-28 06:09:39
近日，洛微科技對外發(fā)布新款高性能D系列 TOF相機(jī)D3，這是一款專為工業(yè)環(huán)境中高性能操作設(shè)計的3D TOF智能相機(jī)。
2023-09-22 10:47:43859 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35590 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
發(fā)布Seagull 452系列高性能、低功耗光DSP新品。該系列包括三款光DSP產(chǎn)品：Seagull 452（八通道），Seagull 252（四通道）以及Seagull 152（雙通道）。三款產(chǎn)品均集成VCSEL、EML和SiPho驅(qū)動。
2023-09-12 09:02:38444 
在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優(yōu)勢。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347 
1 功率分立產(chǎn)品概述
2 IGBT 產(chǎn)品系列
3 HV MOSFET 產(chǎn)品系列
4 SiC MOSFET 產(chǎn)品系列
5 整流器及可控硅產(chǎn)品系列
6 能源應(yīng)用
2023-09-07 08:01:40
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
能會對MOSFET的頻率穩(wěn)定性、相位噪聲和總體性能產(chǎn)生負(fù)面影響。在振蕩器中，閃爍噪聲本身表現(xiàn)為靠近載波的邊帶，其他形式的噪聲從載波延伸出來，頻譜更平坦。隨著與載波的偏移量的增加，閃爍噪聲會逐漸衰減，直到
2023-09-01 16:59:12
雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下稱“Toshiba”）推出了兩款適用于直流無刷電動機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
2023年8月16日，高性能嵌入式解決方案廠商“上海先楫半導(dǎo)體（HPMicro）”正式發(fā)布全新產(chǎn)品系列——高性能運動控制微控制器 HPM5300。獨具匠“芯”的HPM5300系列以強(qiáng)勁的性能、靈活
2023-08-16 10:35:13211 產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計實現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
面向能耗與成本敏感的中高端工業(yè)應(yīng)用市場，不僅對芯片性能與功耗有更高要求，復(fù)雜的功能需求也考量著芯片的適配性與穩(wěn)定性。極海為平衡客戶對產(chǎn)品低功耗、高性能與高性價比等綜合需求，正式推出APM32F411
2023-08-06 10:32:48448 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于電機(jī)控制應(yīng)用的高性能功率器件技術(shù)和產(chǎn)品.pdf》資料免費下載
2023-07-31 16:30:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能系列MCU STM32H5介紹.pdf》資料免費下載
2023-07-29 10:59:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能20-42 GHz MMIC倍頻器 具有低輸入驅(qū)動功率和高輸出功率.pdf》資料免費下載
2023-07-26 17:03:320 繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")今日宣布，在其搭載32位微控制器產(chǎn)品組 “TXZ+TM族高級系列”的“M3H
2023-06-28 14:18:10416 功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
UPG2151TK 數(shù)據(jù)表
2023-06-27 18:35:300 英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302 
2SD2686是一款高性能的功率晶體管，適用于多種應(yīng)用場景。
2023-06-19 14:36:36299 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30228 
中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列
2023-06-13 16:38:50712 
近年來，汽車行業(yè)和綠色能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展迅速推動了電子元器件的進(jìn)步，其中高性能電容器的需求越來越高。在這個領(lǐng)域中，風(fēng)華高科推出的低損耗、高耐電壓1210C0G630~1000V系列車規(guī)電容器引起了廣泛
2023-06-09 10:30:42
【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
分享功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡稱“Toshiba”）推出了“SSM14N956L”，這是一款額定電流為20A的12V
2023-05-19 10:20:07718 近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系列
2023-05-17 13:35:02471 
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布，正式推出中國首款基于Arm Cortex-M7內(nèi)核的GD32H737/757/759系列超高性能微控制器。
2023-05-11 11:16:12910 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實現(xiàn)？怎樣實現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關(guān)時間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第二篇，主要介紹電性能相關(guān)的參數(shù)。 這部分的參數(shù)是我們經(jīng)常提到并且用到的，相關(guān)的參數(shù)如下表所示。
2023-04-26 17:50:102211 
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2023-04-18 09:22:021248 評估，以改善動態(tài)特性和可靠性，并開發(fā)有助于實現(xiàn)碳中和的更具吸引力的高性能功率半導(dǎo)體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級SiC MOSFET特性對比
2023-04-11 15:29:18
封裝MOSFET器件匹敵的電氣和功率性能表現(xiàn)。KM3134K是一款20V750mA的N-MOSFET，KM3139K則是-20V-660mA的P-MOSFET，兩款器件
2023-04-04 16:10:39987 
芯茂微電子于近期推出了LP6655系列高性能CCM/DCM定頻PFC控制器。LP6655系列芯片的工作頻率固定，有65kHz/133kHz/200kHz可選；單周期調(diào)制模式能夠提供優(yōu)異的功率因數(shù)表現(xiàn)，同時芯片在輕負(fù)載下能夠降低工作頻率以提升輕載能效。
2023-03-31 11:14:462424 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
ME8133是一款高性能，高效率電流模式PWM控制器，內(nèi)封650V/4A功率MOSFET，功率最高可達(dá)30W（220VAC）。
2023-03-29 10:08:081214 CC1200 低功率、高性能射頻 (RF) 收發(fā)器
2023-03-28 18:21:01
致力于提供高品質(zhì)芯片的國內(nèi)優(yōu)秀模擬及數(shù)?；旌闲酒O(shè)計商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”）宣布推出REF1xx/3xx/4xx系列低溫漂、高性能、微功耗、小封裝的電壓基準(zhǔn)
2023-03-28 14:42:021338 
高性能硅柵CMOS
2023-03-24 14:01:37
TDK | 推出兩款新型高性能超聲波 ToF 傳感器
2023-03-23 21:18:121066 
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