過去的幾年里，蘋果的芯片設(shè)計團(tuán)隊一直在架構(gòu)設(shè)計和制造工藝兩條路線上穩(wěn)居業(yè)界最前沿，此番隨新一代iPhone XS一齊亮相的A12處理器同樣保持了這份優(yōu)良傳統(tǒng)，它是業(yè)界第一個實現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用的7nm移動SoC芯片。
2018-10-09 10:50:14
6374 進(jìn)行大量、極高難度的研究。因此，對1.4nm的制造工藝目前所采用的實現(xiàn)方式尚缺乏定論，也不需要太過樂觀?！ ?b class="flag-6" style="color: red">2D自組裝材料對現(xiàn)在所有人來說都過于前沿，但是英特爾預(yù)計將在2029年使用這個技術(shù)制造
2020-07-07 11:38:14
，成立于1987年，是當(dāng)時全球的第一家專業(yè)積體電路(集成電路/芯片)制造與服務(wù)兼硅晶圓片代工的大型跨國企業(yè)。
臺積電占據(jù)了全球芯片代工市場過半的份額。2022年，臺積電全年營業(yè)收入2.264萬億元新臺幣
2023-04-27 10:09:27
8050晶體管是一種小型設(shè)備，用于引導(dǎo)便攜式無線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數(shù)字名稱，以便更容易識別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
全球進(jìn)入5nm時代目前的5nm制造玩家，只有臺積電和三星這兩家了。而三星要到明年才能實現(xiàn)量產(chǎn)，就今年來看，臺積電將統(tǒng)治全球的5nm產(chǎn)業(yè)鏈。在過去的一年里，臺積電的5nm研發(fā)節(jié)奏很快，該公司在2019
2020-03-09 10:13:54
` 觀點：在技術(shù)領(lǐng)先的優(yōu)勢下，臺積電獲得蘋果iPhone5芯片追加訂單已成事實。然而，在iPhone 5推出后，蘋果已朝下一世代A7處理器邁進(jìn)，臺積電憑借技術(shù)領(lǐng)先的優(yōu)勢，預(yù)估未來1-2年
2012-09-27 16:48:11
=VBE2-VBE1。這里，硅晶體管根據(jù)溫度具有一定的溫度系數(shù)。約為ー2.2mV/oC。（達(dá)林頓晶體管為ー4.4mV/oC）因此，根據(jù)由輸入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的結(jié)溫。圖2. 進(jìn)度表
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時，當(dāng)需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
一、晶體管如何表示0和1 從第一臺計算機(jī)到EDVAC，這些計算機(jī)使用的都是電子管和二極管等元件，利用這些元件的開關(guān)特性實現(xiàn)二進(jìn)制的計算。然而電子管元件有許多明顯的缺點。例如，在運行時產(chǎn)生的熱量
2021-01-13 16:23:43
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
我有臺晶體管測試儀：WQ4832，但是剛買的二手機(jī)，不會用，不知道有沒有高手能指導(dǎo)指導(dǎo)？
2011-10-21 08:57:17
從事電子設(shè)計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計（上）放大電路技術(shù)的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
晶體管的電參數(shù)可分為哪幾種？晶體管的電參數(shù)在實際使用中有何意義？
2021-06-08 06:11:12
是交流參數(shù)。 （2） 4個h參數(shù)都是在Q點的偏導(dǎo)數(shù)，因此，它們都和Q點密切相關(guān)，隨著Q點的變化而變化； （3） h參數(shù)是晶體管在小信號條件下的等效參數(shù)。 h參數(shù)可以從晶體管的特性曲線上近似求得，也可以用人h參數(shù)測試儀直接測出。對一般小功率晶體管，h參數(shù)的數(shù)量級如圖Z0213所示。
2021-05-13 07:56:25
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶體管的發(fā)射極箭頭朝內(nèi)，NPN型晶體管的發(fā)射極箭頭朝外。2．三極管各個電極的作用及電流分配晶體管三個電極的電極的作用如下：發(fā)射極（E極）用來發(fā)射電子；基極（B極）用來控制E極發(fā)射電子的數(shù)量；集電極（C極
2013-08-17 14:24:32
300V，一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號的晶體管。 3．行推動管的選用彩色電視機(jī)中使用的行推動管，應(yīng)選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應(yīng)大于或等于10W
2012-01-28 11:27:38
”現(xiàn)象。這就是因輸入信號的幅值太高，晶體管進(jìn)入飽和區(qū)后，對信號失去放大作用，同時對信號產(chǎn)生限幅作用后的結(jié)果。由此可得出第一個問題的答案：隨著基極電流的增加，晶體管的工作狀態(tài)將由放大區(qū)向飽和區(qū)過渡，當(dāng)
2012-02-13 01:14:04
=VBE2-VBE1。這里，硅晶體管根據(jù)溫度具有一定的溫度系數(shù)。約為ー2.2mV/oC。（達(dá)林頓晶體管為ー4.4mV/oC）因此，根據(jù)由輸入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的結(jié)溫。圖2. 進(jìn)度表
2019-05-09 23:12:18
集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個獨立的元件.晶體管是半導(dǎo)體三極管中應(yīng)用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管被認(rèn)為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明
2010-08-12 13:57:39
【不懂就問】圖中的晶體管驅(qū)動電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產(chǎn)生的的正脈沖通過D2，直接驅(qū)動MOSFET管Q2，達(dá)到提高導(dǎo)
2018-07-09 10:27:34
和第三位的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⑹窍辣O(jiān)測和保險調(diào)查(見表一)。表一、2019年至2023年全球物聯(lián)網(wǎng)企業(yè)無人機(jī)出貨量最多的五大應(yīng)用領(lǐng)域(單位：千臺)注：Gartner在其物聯(lián)網(wǎng)預(yù)測數(shù)據(jù)庫中對超過25個企業(yè)無人機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行了預(yù)測。數(shù)據(jù)可能因四舍五入而與總數(shù)不符。
2019-12-11 09:27:00
和更寬的帶寬相比，GaAs晶體管。該IM FET可用于金屬/陶瓷法蘭封裝，以獲得最佳的電性能和熱性能。CGHV96100F2應(yīng)用海洋雷達(dá)氣象監(jiān)測空中交通控制海上船舶交通管理端口安全相關(guān)
2018-08-13 10:58:03
技術(shù)開發(fā)成功，同時透露會朝第二代的 FinFET 技術(shù)開發(fā)。若***一舉朝 7 納米前進(jìn)，將會成為全球第四家 7 納米技術(shù)供應(yīng)商，與英特爾、臺積電、三星分庭抗禮。同時，華為海思的麒麟980也搶先發(fā)布，首款
2018-09-05 14:38:53
IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產(chǎn)臺聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:29:42
%。西安二廠預(yù)計將生產(chǎn)13.5萬片，比之前的14.5萬片減少了約7%。業(yè)界觀察人士認(rèn)為，三星選擇砍掉部分NAND產(chǎn)能，因為當(dāng)前內(nèi)存市場形勢慘淡。
【臺積電28nm設(shè)備訂單全部取消！】
4月消息，由于
2023-05-10 10:54:09
。圖片：D. Hisamoto等人，1990年 英特爾在 2012 年宣布使用批量配置（22 納米技術(shù)）（圖 11）。 圖 11.英特爾的鰭式場效應(yīng)晶體管。圖片：英特爾公司 一些基本功能
2023-02-24 15:20:59
表親非常相似的特性，不同之處在于，對于第一個教程“公共基極”、“共發(fā)射極”和“公共集電極”中討論的三種可能配置中的任何一種，電流和電壓方向的極性（或偏置）都是相反的。由于PNP晶體管的基極端子相對于
2023-02-03 09:44:48
多次重插的歷史，一個接口搞定了電能、數(shù)據(jù)、音視頻數(shù)據(jù)三種傳輸需求，形成接口和電纜以及快速充電協(xié)議的大統(tǒng)一。預(yù)計2017年全球所有新發(fā)布手機(jī)都將采用USB Type-C接口和USB PD供電協(xié)議，將引發(fā)
2017-02-14 17:13:15
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 21:23 編輯
[晶體管電路設(shè)計(下)].鈴木雅臣.2004年9月第一版-4
2012-08-20 07:48:54
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管，它是通過一定的工藝將兩個PN結(jié)結(jié)合在一
2010-08-13 11:36:51
蘋果晶圓代工龍頭臺積電16納米鰭式場效晶體管升級版（FinFET Plus）將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn)，搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝（InFO WLP）的系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)，在x86及ARM架構(gòu)64位
2014-05-07 15:30:16
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
芯片PMIC 5即將問世，由于改為BCD制程，臺積電憑借先進(jìn)制程技術(shù)優(yōu)勢，可望拿下高通新一代PMIC 5訂單約70~80%數(shù)量，并牽動高通電源管理芯片代工廠大洗牌。 業(yè)界推估高通各種用途電源管理芯片的年
2017-09-22 11:11:12
據(jù)外媒報道，預(yù)計臺積電將獲得高通新一代電源管理芯片(PWM IC)70%至80%的訂單。高通前一代電源管理芯片是由中芯國際(SMIC)生產(chǎn)的，后者在其8英寸晶圓廠使用0.18至0.153微米工藝來生
2017-09-27 09:13:24
NAND產(chǎn)品已實現(xiàn)商用并出貨。“英特爾遵循摩爾定律，持續(xù)向前推進(jìn)制程工藝，每一代都會帶來更強的功能和性能、更高的能效、更低的晶體管成本，”英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運營與銷售集團(tuán)總裁Stacy
2017-09-22 11:08:53
：使用 PDV-P5003 光電管點亮 LED 的 2N3906 夜燈電路示例晶體管發(fā)明簡史晶體管的出現(xiàn)是從何開始的？到底是誰真正發(fā)明了第一個能使用的電氣原型，許多人會有不同的見解；不過，毫無爭議
2018-06-29 16:45:19
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來說，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
SiC、藍(lán)寶石、AlN和原生塊體氮化鎵。不過，所有這些材料價格昂貴，而最常用的透明電路基板——玻璃，則非常便宜?！ ∥覀兊慕鉀Q方案是一個兩步式制程，可在玻璃基板上形成氮化鎵晶體管。第一步是在將氮化鎵層
2020-11-27 16:30:52
相當(dāng)高的總電流增益。輸出晶體管的最大集電極電流決定了輸出晶體管對的最大集電極電流，可以是 100 安培或更高。需要的物理空間更少，因為晶體管通常封裝在一個器件中。另一個優(yōu)點是整個電路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
取得了重大進(jìn)展。 第一個重大飛躍是在90納米技術(shù)節(jié)點引入了應(yīng)變工程。后續(xù)步驟是45 nm處具有高k電介質(zhì)的金屬柵極，以及22 nm節(jié)點處的FinFET架構(gòu)?！ ?012年標(biāo)志著第一款商用22納米鰭式
2023-02-24 15:25:29
描述你有沒有想過如何自己想出一個觸摸開關(guān)？是的！隨著晶體管的發(fā)明，一切都成為可能。在這個項目中，我們將使用 BC547 晶體管和其他支持組件構(gòu)建一個簡單的觸摸傳感器電路。這種類型的開關(guān)可用于現(xiàn)代
2022-08-30 07:23:58
ADALM2000主動學(xué)習(xí)模塊無焊面包板一個2.2 kΩ電阻（或其他類似值）一個100 Ω電阻一個4.7 kΩ電阻兩個小信號NPN晶體管（2N3904或SSM2212）說明BJT穩(wěn)定電流源對應(yīng)的電路如圖1所示
2021-11-01 09:53:18
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
的作用相當(dāng)于一個二極管D。國產(chǎn)單結(jié)晶體管的型號有BT31、BT32、BT33、BT35等多種。其中B表示半導(dǎo)體，T表示特種管，3表示電極數(shù)，第四個數(shù)表示耗散功率（分別代表100、200、300和500mW）。 購線網(wǎng) gooxian.com專業(yè)定制各類測試線（同軸線、香蕉頭測試線，低噪線等）
2018-01-09 11:39:27
存儲單元”是構(gòu)成“靜態(tài)存儲器”（SRAM）的最基本單元。其中每一個BIT存儲在4個晶體管構(gòu)成的2個交叉耦合的反相器中。而另外2個晶體管作為“寫控制電路”的控制開關(guān)。 有趣的是，搭建這個電路需要嚴(yán)格對稱
2017-01-08 12:11:06
的第一個電路。 本文將展示四種晶體管開關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設(shè)計過程中，有時需要“獨立”控制幾個開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠實現(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會
2016-08-30 01:01:44
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個前置放大器。2通道混音器電路的第一個前置放大器具有高增益，可用于麥克風(fēng)輸入，第二個前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
NPN達(dá)林頓配置中，兩個晶體管的集電極連接，而第二個晶體管的基極連接到第一個晶體管的發(fā)射極。從配置中，我們看到第一個晶體管的發(fā)射極電流成為打開它的第二個晶體管的基極電流?！ ∈褂?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)的關(guān)鍵要點
2023-02-20 16:35:09
先生，我使用了兩個ATF54143晶體管（偏置Vds = 3V，Ids = 60mA）和連接的電容分流反饋，電容器連接在一個晶體管的源極和另一個晶體管的漏極之間。我試圖給兩個晶體管提供偏置，實現(xiàn)了一
2019-01-14 13:17:10
）。2. 場效應(yīng)晶體管的隔離作用場效應(yīng)晶體管實現(xiàn)電壓隔離的作用是另外一個非常重要且常見的功能，隔離的重要性在于：擔(dān)心前一極的電流漏到后面的電路中，對電路系統(tǒng)的上電時序，處理器或邏輯器件的工作造成誤判，最終
2019-03-29 12:02:16
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計呢？
2022-01-14 07:02:41
~3.3nf。當(dāng)Nb上端產(chǎn)生一個正的驅(qū)動電壓時，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認(rèn)為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導(dǎo)通。之后，電容CB被充電至激勵電壓的峰值而進(jìn)入穩(wěn)態(tài)
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
先生，我已將一個晶體管連接到另一個晶體管。如何實現(xiàn)兩個晶體管Vds = 3V和Ids = 60mA的偏置。我使用了兩個ATF54143晶體管，并在一個晶體管X2（如圖所示）Vds = 3v（電壓差為
2018-12-27 16:09:48
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流Iomax大?！?Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎(chǔ)上計算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
急需一種流動性更強的新材料來替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導(dǎo)體之一，普渡大學(xué)通過這種材料做出了全球首款3D環(huán)繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長度
2011-12-08 00:01:44
244.07億美元，季增6.2％，自2019年第三季以來已連續(xù)八個季度創(chuàng)下歷史新高。其中臺積電（TSMC）第二季營收達(dá)133.0億美元，季增3.1％，穩(wěn)坐全球第一。第二仍是三星（Samsung），第二季營收為
2021-09-02 09:44:44
和二硫化鉬（MoS2）制作而成。MoS2將擔(dān)起原本半導(dǎo)體的職責(zé)，而納米碳管則負(fù)責(zé)控制邏輯門中電子的流向。眼下，這一研究還停留在初級階段，畢竟在14nm的制程下，一個模具上就有超過10億個晶體管，而要
2016-10-08 09:25:15
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
的新HD-GIT - 性能 第一個結(jié)果：當(dāng)漏極 - 源極電壓施加到某個閾值以上時 - 取決于器件特性，對于我們在這里寫的晶體管，有點高于500V - “電流崩潰”，從應(yīng)用角度來看Rds（晶體管的on）在
2023-02-27 15:53:50
，最小化磁化電流是改進(jìn)LLC轉(zhuǎn)換器的目標(biāo)。圖 2：半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器的主電流和電壓波形圖 3：不同晶體管（GaN、Si 和 SiC）的 Qoss 與 Vds 曲線LLC的另一個重要晶體管參數(shù)
2023-02-27 09:37:29
求51單片機(jī) STC89c526個晶體管問題按下鍵1 晶體管1閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，再按鍵1 晶體管2閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，以此類推。求大神幫助
2017-03-12 19:59:39
我最近買了一臺QT2晶體管特性圖示儀，但是說明書看不懂，有沒有人能指導(dǎo)一下如何使用QT2晶體管特性圖？我是真的想知道怎么用QT2檢測各種三極管，場效應(yīng)管，整流管等，不要網(wǎng)上隨便復(fù)制的答案，希望真的懂得的哥們指導(dǎo)指導(dǎo)。。。
2012-07-14 21:37:00
的小珠子，使其最后形成一個10X5比例的長方形。從這個實驗不難看出，要達(dá)成這個目標(biāo)非常不容易，由此可以了解到，各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET 的量產(chǎn)
2016-06-29 14:49:15
這些年，英特爾、三星、臺積電在制程上的恩恩怨怨，堪比武俠小說中恩怨情仇。這些大廠的爭斗均是圍繞14納米和16納米，那么問題來了，這個14納米和16納米有什么好爭的？下面芯易網(wǎng)就來簡單做一下介紹。納米
2016-12-16 18:20:11
見證者，肖克萊在這本筆記上鄭重地簽了名。1948年，肖克萊發(fā)明了“結(jié)型晶體管 ”。1948年7月1日，美國《紐約時報》只用了8個句子的篇幅，簡短地公開了貝爾實驗室發(fā)明晶體管的消息?！?b class="flag-6" style="color: red">一石激起千層浪”，它就像顆重磅***，在全世界電子行業(yè)“引爆”出強烈的沖擊波。電子計算機(jī)終于就要大步跨進(jìn)第二代的門檻！
2012-08-02 23:55:11
發(fā)展3D封裝業(yè)務(wù)。據(jù)相關(guān)報道顯示，2019年4月，臺積電完成全球首顆3D IC封裝技術(shù)，預(yù)計2021年量產(chǎn)。業(yè)界認(rèn)為，臺積電正式揭露3D IC封裝邁入量產(chǎn)時程，意味全球芯片后段封裝進(jìn)入真正的3D新紀(jì)元
2020-03-19 14:04:57
），它們被認(rèn)為是當(dāng)今finFET的前進(jìn)之路?！ ∪茄鹤⒌氖荊AA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，臺積電目前還沒有公布其具體工藝細(xì)節(jié)。三星在2019年搶先公布了GAA環(huán)繞柵極晶體管，根據(jù)三星官方的說法，基于全新
2020-07-07 11:36:10
Bridge的處理器。這種處理器使用3D（三閘）晶體管?！ at Bliemer還證實稱，英特爾的Tick-Tock（工藝年-構(gòu)架年）戰(zhàn)略正在按計劃進(jìn)行。這意味著第一款采用14納米技術(shù)的處理器將在
2011-12-05 10:49:55
10nm將會流片，而張忠謀更是信心十足，他直言不諱地表示10nm量產(chǎn)后將會搶下更高的份額。臺積電聯(lián)席CEO劉德音此前也曾在一次投資人會議上透露，公司計劃首先讓自己的10納米芯片產(chǎn)線在今年底前全面展開
2016-01-25 09:38:11
一，貼片二極管 1，主要性能指標(biāo) 2，型號、結(jié)構(gòu)及標(biāo)注二，貼片晶體管1，主要性能指標(biāo) 2，型號、結(jié)構(gòu)及標(biāo)注摘自《新型貼片元器件應(yīng)用速查》此書為機(jī)械工業(yè)出版社2013年2月出版，是新書哦！
2013-04-26 08:36:02
控制電路。有了前面的這些基礎(chǔ)，下面再加入一個新的電路需求，用晶體管實現(xiàn)過流保護(hù)電路。感興趣的同學(xué)可以先不要往下看，自己在腦海中想一想，看看有沒有火花迸出來。圖2一個PNP、NPN控制負(fù)載圖3《電子學(xué)
2016-06-03 18:29:59
）里程碑式技術(shù)突破，為同樣追求變革、渴望在激烈的市場競爭中領(lǐng)先的客戶帶來了一次次驚喜與震撼。全球第一個發(fā)貨28nm 產(chǎn)品- 與臺積電（TSMC）通力協(xié)作，創(chuàng)新性地推出高性能低功耗 (HPL) 工藝技術(shù)- 在
2012-03-22 15:17:12
，64kbDRAM誕生，在不足0.5cm2的硅片上集成了14萬只晶體管，標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路（VLSI）時代的來臨?！ ?979年Intel推出5MHz8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺
2018-05-10 09:57:19
1. 貼片晶體管應(yīng)用貼片晶體管的基本特點是：具有放大、飽和與截止三種工作狀態(tài)，且通過變換集電極、發(fā)射極偏置電
2019-07-07 07:51:003002 
地于 2024 年實現(xiàn)量產(chǎn)。三星在發(fā)布 MBCFET 時表示，預(yù)計 3nm 晶體管的功耗將分別比 7nm 設(shè)計降低 30% 和 45% 并將性能提高 30%。
2020-09-25 17:08:151297 今年3月份，聯(lián)電曾計劃咋新加坡Fab12i廠區(qū)新建晶圓廠，共計花費50億美元，預(yù)計將在2024年底實現(xiàn)量產(chǎn)。 日前，聯(lián)電新加坡的新晶圓廠P3正式開始動工，并且以9.54億新臺幣的價格取得了30
2022-05-24 11:22:472252 臺積電在北美技術(shù)論壇上公開了未來先進(jìn)制程的信息，其3nm芯片將于2022年內(nèi)量產(chǎn)，而首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的2nm制程工藝芯片，預(yù)計將于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。
2022-07-01 18:31:091391 臺積電正式公布2nm制造技術(shù)，該工藝廣泛使用EUV光刻技術(shù)，首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)和背面供電技術(shù)，計劃于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。
2022-07-04 18:09:281281 前不久，來自瑞典的研究人員就設(shè)計并測試了第一個木制晶體管。團(tuán)隊發(fā)表了一篇題為“木材電化學(xué)晶體管中的電流調(diào)制”的論文，討論了他們最近開發(fā)的木材電化學(xué)晶體管 (WECT) 的創(chuàng)造、能力和潛力。
2023-05-04 10:16:23194 
1947年，當(dāng)John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個能正常工作的晶體管時，他們未曾想到，晶體管如今會成為電子產(chǎn)品的最重
2023-06-16 18:25:03374 
1947年，當(dāng)John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個能正常工作的晶體管時，他們未曾想到，晶體管如今會成為電子產(chǎn)品的最重
2023-07-17 09:50:46250 
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計將帶來多項技術(shù)進(jìn)步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會導(dǎo)致更強大的芯片類別的開發(fā)。
2023-12-26 10:12:55199 溝道寬度來提供更多的驅(qū)動電流（圖1），其環(huán)柵設(shè)計改善了通道控制并較大限度地減少了短通道效應(yīng)。 圖1：在納米片晶體管中，柵極在所有側(cè)面接觸溝道，可實現(xiàn)比finFET更高的驅(qū)動電流 從表面上看，納米片晶體管類似于FinFET，但納米片通道與基板平行排列
2023-12-26 15:15:11167 
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