Vishay推出第四代600 VE系列MOSFET器件

Vishay Intertechnology， Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E為電信、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源應(yīng)用提供高效率，與上一代 600 VE 系列 MOSFET 相比，導(dǎo)通電阻降低了 27%，同時(shí)柵極電荷降低了 60%。這使得同級(jí)別器件的柵極充電時(shí)間導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)界最低，這是電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的 600 V MOSFET 的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù) （FOM）。

Vishay 提供廣泛的 MOSFET 技術(shù)，支持電源轉(zhuǎn)換過程的所有階段，從高壓輸入到最新電子系統(tǒng)所需的低壓輸出。憑借 SiHK045N60E 和即將推出的第四代 600 VE 系列系列器件，該公司正在解決電力系統(tǒng)架構(gòu)第一階段（功率因數(shù)校正和硬開關(guān) AC/DC 轉(zhuǎn)換器拓?fù)洌┨岣咝屎凸β拭芏鹊男枨蟆?/p>

SiHK045N60E 基于 Vishay 最新的節(jié)能 E 系列超級(jí)結(jié)技術(shù)構(gòu)建，在 10 V 時(shí)具有 0.043 Ω 的低典型導(dǎo)通電阻和低至 65 nC 的超低柵極電荷。該器件的 FOM 為 2.8 Ω*nC，比同類中最接近的競爭 MOSFET 低 3.4%。為了提高開關(guān)性能，SiHK045N60E 提供 117 pF 的低有效輸出電容 C o（er）。這些值轉(zhuǎn)化為降低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以節(jié)省能源。SiHK045N60E 的熱阻 R thJC為 0.45 °C/W，比最接近的競爭器件低 11.8%，提供更高的熱容量。

高通攜手產(chǎn)業(yè)展示驍龍數(shù)字底盤強(qiáng)勢發(fā)展勢頭，定義汽車行業(yè)未來

于為汽車行業(yè)提供技術(shù)解決方案超過20年的深厚經(jīng)驗(yàn)，高通技術(shù)公司現(xiàn)已成為全球汽車行業(yè)的優(yōu)選技術(shù)提供商，全球眾多汽車制造商與高通合作，采用驍龍?數(shù)字底盤所涵蓋的廣泛汽車解決方案?；诟咄ā敖y(tǒng)一的技術(shù)路線圖”，驍龍數(shù)字底盤對(duì)助力汽車行業(yè)加速創(chuàng)新具有獨(dú)特優(yōu)勢。驍龍數(shù)字底盤支持汽車制造商滿足消費(fèi)者和企業(yè)持續(xù)升級(jí)的需求，打造更安全、更智能、更具沉浸感的無縫互聯(lián)智能體驗(yàn)。同時(shí)，驍龍數(shù)字底盤正通過高度可擴(kuò)展的軟硬件協(xié)同設(shè)計(jì)架構(gòu)，面向更深層的客戶體驗(yàn)及基于服務(wù)的商業(yè)模式創(chuàng)造全新機(jī)遇。

驍龍數(shù)字底盤由一整套開放且可擴(kuò)展的云連接平臺(tái)組成，利用統(tǒng)一架構(gòu)帶來更高的安全性和沉浸式數(shù)字體驗(yàn)，支持下一代汽車在其整個(gè)生命周期中的功能升級(jí)。汽車制造商可以在其產(chǎn)品線中選擇采用驍龍數(shù)字底盤所涵蓋的任一平臺(tái)或全部平臺(tái)，并通過云端的持續(xù)升級(jí)為其產(chǎn)品提供高度定制化體驗(yàn)。

驍龍數(shù)字底盤的成功，得益于行業(yè)對(duì)其全面解決方案組合日益增長的需求，及其開放平臺(tái)為領(lǐng)先汽車企業(yè)廣泛合作所提供的便捷性。高通技術(shù)公司很高興在拉斯維加斯舉行的2022年國際消費(fèi)電子展（CES）上分享行業(yè)對(duì)于驍龍數(shù)字底盤的廣泛支持。

綜合高通和Vishay官網(wǎng)整合

審核編輯：郭婷