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臺(tái)積電: 特殊制程產(chǎn)能將擴(kuò)大50%

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-17 16:23 ? 次閱讀

5月17日訊,據(jù)Anandtech透露,臺(tái)積電于近期舉辦的2024年歐洲技術(shù)論壇上宣布,未來將特殊制程產(chǎn)能擴(kuò)增50%,旨在提高其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的靈活應(yīng)對能力。除了標(biāo)準(zhǔn)化制程之外,臺(tái)積電還能夠提供多種特殊制程/工藝代工解決方案,如:

1. MEMS傳感器SoC工藝

2. CMOS圖像傳感器CIS技術(shù)

3.嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)

4.混合/射頻產(chǎn)品

5.模擬芯片

6.高壓半導(dǎo)體

7. BCD功率IC以及超低功耗(ULP)器件等。

臺(tái)積電國際業(yè)務(wù)副聯(lián)席COO張曉強(qiáng)表示,公司已重啟特殊制程新晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目,未來四到五年將特殊制程產(chǎn)能提升50%,進(jìn)一步壯大其半導(dǎo)體代工網(wǎng)絡(luò)。

據(jù)IT之家先前報(bào)道,臺(tái)積電在超低功耗領(lǐng)域的最新制程為N6e,作為7nm變體節(jié)點(diǎn),該制程支持0.4~0.9V工作電壓,預(yù)計(jì)年內(nèi)投入量產(chǎn)。此外,臺(tái)積電還計(jì)劃推出N4e節(jié)點(diǎn),并考慮降低工作電壓至0.4V以下。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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