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      旺材芯片

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      半導(dǎo)體制造中的濕法清洗工藝解析

      半導(dǎo)體濕法清洗工藝?? 隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高，晶圓清洗工藝的技術(shù)要求也日....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 02-20 10:13 ?906次閱讀
      半導(dǎo)體制造中的濕法清洗工藝解析

      先進(jìn)封裝Underfill工藝中的四種常用的填充膠CUF,NUF,WLUF和MUF介紹

      今天我們?cè)僭敿?xì)看看Underfill工藝中所用到的四種填充膠：CUF，NUF，WLUF和MUF。 倒....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 01-28 15:41 ?914次閱讀
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      集成電路封裝的發(fā)展歷程

      (1)集成電路封裝 集成電路封裝是指將制備合格芯片、元件等裝配到載體上，采用適當(dāng)連接技術(shù)形成電氣連接....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 01-03 13:53 ?754次閱讀
      集成電路封裝的發(fā)展歷程

      光刻掩膜技術(shù)介紹

      ?? 光刻掩膜簡(jiǎn)介 ?? ? 光刻掩膜（Photomask）又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，通常簡(jiǎn)稱....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 01-02 13:46 ?1571次閱讀
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      國(guó)內(nèi)汽車芯片面臨的挑戰(zhàn)及發(fā)展建議

      摘 要 隨著汽車向電動(dòng)化、智能化加速發(fā)展，汽車產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈、價(jià)值鏈重塑，以芯片為主的零部件重要性日....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 01-02 10:50 ?4280次閱讀
      國(guó)內(nèi)汽車芯片面臨的挑戰(zhàn)及發(fā)展建議

      晶圓為什么要減薄

      300mm晶圓的厚度為775um，200mm晶圓的度為725um，這個(gè)厚度在實(shí)際封裝時(shí)太厚了。前段制....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-24 17:58 ?871次閱讀

      半導(dǎo)體芯片的制造工藝流程

      CMOS可用于邏輯和存儲(chǔ)芯片上，它們已成為IC市場(chǎng)的主流。 CMSO電路： 下圖顯示了一個(gè)CMOS反....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-20 10:58 ?1061次閱讀
      半導(dǎo)體芯片的制造工藝流程

      探秘合成大尺寸單晶金剛石的路線與難題

      金剛石因其優(yōu)異的機(jī)械、電學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)性能，展現(xiàn)出廣闊的發(fā)展前景。然而，目前工業(yè)上通過高溫高壓法批量....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-18 10:38 ?814次閱讀
      探秘合成大尺寸單晶金剛石的路線與難題

      CMP技術(shù)原理,面臨的挑戰(zhàn)及前景分析

      在半導(dǎo)體制造這個(gè)高度精密且復(fù)雜的領(lǐng)域中，CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）技術(shù)宛如一顆隱匿于幕后的璀璨明珠，雖不....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-17 11:26 ?1488次閱讀

      干法刻蝕時(shí)側(cè)壁為什么會(huì)彎曲

      離子轟擊的不均勻性 干法刻蝕通常是物理作用和化學(xué)作用相結(jié)合的過程，其中離子轟擊是重要的物理刻蝕手段。....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-17 11:13 ?597次閱讀
      干法刻蝕時(shí)側(cè)壁為什么會(huì)彎曲

      晶圓劃片為什么用UV膠帶

      晶圓經(jīng)過前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進(jìn)行封裝。不同厚度晶圓選擇....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-10 11:36 ?848次閱讀
      晶圓劃片為什么用UV膠帶

      β相氧化鎵p型導(dǎo)電的研究進(jìn)展

      β 相氧化鎵（β-Ga2O3）具有超寬半導(dǎo)體帶隙、高擊穿電場(chǎng)和容易制備等優(yōu)勢(shì)，是功率器件的理想半導(dǎo)體....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-10 10:02 ?2285次閱讀
      β相氧化鎵p型導(dǎo)電的研究進(jìn)展

      市場(chǎng)上哪些功率半導(dǎo)體產(chǎn)品最受青睞?有哪些獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

      隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)意識(shí)的增強(qiáng)和能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型，光儲(chǔ)充系統(tǒng)作為連接光伏發(fā)電、儲(chǔ)能裝置和電動(dòng)汽車充電站的....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-09 09:20 ?659次閱讀

      天域半導(dǎo)體8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用

      碳化硅（SiC）是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料之一，近20年來隨著SiC材料加工技術(shù)....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-07 10:39 ?915次閱讀
      天域半導(dǎo)體8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用

      大馬士革銅互連工藝詳解

      芯片制造可分為前段(FEOL)晶體管制造和后段(BEOL)金屬互連制造。后段工藝是制備導(dǎo)線將前段制造....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-04 14:10 ?4540次閱讀
      大馬士革銅互連工藝詳解

      中欣晶圓12英寸BCD硅片技術(shù)突破

      在本文中，我們重點(diǎn)討論高密度共封裝光學(xué)器件 （CPO） 應(yīng)用中的光學(xué)接口挑戰(zhàn)，在這些應(yīng)用中，除了眾所....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-03 09:38 ?775次閱讀
      中欣晶圓12英寸BCD硅片技術(shù)突破

      一文讀懂芯片半導(dǎo)體梳理解析

      當(dāng)下一切都在圍繞國(guó)產(chǎn)替代展開，加上高層發(fā)話：推進(jìn)中國(guó)式現(xiàn)代化，科技要打頭陣。科技創(chuàng)新是必由之路。那么....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-27 11:50 ?1264次閱讀

      從發(fā)展歷史、研究進(jìn)展和前景預(yù)測(cè)三個(gè)方面對(duì)混合鍵合(HB)技術(shù)進(jìn)行分析

      摘要: 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)倒裝焊( FC) 鍵合已難以滿足高密度、高可靠性的三維( 3D) ....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-22 11:14 ?2418次閱讀
      從發(fā)展歷史、研究進(jìn)展和前景預(yù)測(cè)三個(gè)方面對(duì)混合鍵合(HB)技術(shù)進(jìn)行分析

      掀起Mini/Micro LED領(lǐng)域新浪潮

      顯示行業(yè)背景 傳統(tǒng)LED的封裝環(huán)節(jié)，一般通過吸盤采用真空吸取，通過機(jī)械臂轉(zhuǎn)移到指定位置后再進(jìn)行放置的....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-22 09:57 ?899次閱讀
      掀起Mini/Micro LED領(lǐng)域新浪潮

      晶圓表面污染及其檢測(cè)方法

      晶圓表面潔凈度會(huì)極大的影響后續(xù)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品的合格率。在所有產(chǎn)額損失中，高達(dá)50%是源自于晶圓表面....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-21 16:33 ?1207次閱讀
      晶圓表面污染及其檢測(cè)方法

      全球芯片設(shè)備供應(yīng)商或?qū)⒉饺牒?/a>

      11月20日消息，據(jù)外媒報(bào)道，全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料?，因在中國(guó)大陸市場(chǎng)的營(yíng)收大幅下滑，日前....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-21 09:32 ?425次閱讀

      自旋極化:開創(chuàng)半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的新路徑

      ? ? 【研究背景】 自旋電子學(xué)是一門探索電子自旋特性的新興領(lǐng)域，其潛在應(yīng)用包括信息存儲(chǔ)和處理。磁近....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-18 11:16 ?824次閱讀
      自旋極化:開創(chuàng)半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的新路徑

      存儲(chǔ)技術(shù)未來演進(jìn)：NVMe over Fabrics (NVMeoF）

      眾所周知，NVMe 是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范，NVM代表非易失性存儲(chǔ)器（Non-Volatile Me....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-16 10:44 ?1482次閱讀
      存儲(chǔ)技術(shù)未來演進(jìn)：NVMe over Fabrics (NVMeoF）

      芯片或?qū)l(fā)生巨變

      ? 芯片行業(yè)正在朝著特定領(lǐng)域的計(jì)算發(fā)展，而人工智能（AI）則朝著相反的方向發(fā)展，這種差距可能會(huì)迫使未....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-09 10:54 ?818次閱讀

      集成電路微組裝用環(huán)氧粘接膠樹脂析出及控制研究

      環(huán)氧粘接膠常用作集成電路粘接材料。在其固化過程中,經(jīng)常觀察到樹脂析出現(xiàn)象。樹脂析出物會(huì)沾污鍵合區(qū),帶....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-05 10:16 ?622次閱讀

      瑞莎科技近日推出Radxa Rock 5C/Rock 5C Lite開發(fā)板

      4 月 7 日消息，瑞莎科技近日推出 Radxa Rock 5C / Rock 5C Lite 開發(fā)....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 04-09 14:05 ?1577次閱讀
      瑞莎科技近日推出Radxa Rock 5C/Rock 5C Lite開發(fā)板

      三菱電機(jī)斥資9000億加速研發(fā)氧化鎵

      三菱電機(jī)總裁Kei Urushima表示，聯(lián)合開發(fā)將以"從Coherent接收襯底，采用我們的技術(shù)，....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 04-07 12:46 ?935次閱讀

      矽迪半導(dǎo)體獲數(shù)千萬天使輪融資，提供高效功率半導(dǎo)體方案

      硬氪獲悉，矽迪半導(dǎo)體（蘇州）有限公司（以下簡(jiǎn)稱「矽迪半導(dǎo)體」)2023年9月完成數(shù)千萬天使輪融資，九....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 04-02 10:33 ?880次閱讀
      矽迪半導(dǎo)體獲數(shù)千萬天使輪融資，提供高效功率半導(dǎo)體方案

      晶圓的劃片工藝分析

      晶圓經(jīng)過前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進(jìn)行封裝。
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 03-17 14:36 ?2386次閱讀
      晶圓的劃片工藝分析

      芯動(dòng)聯(lián)科發(fā)布年度業(yè)績(jī)報(bào)告 慣性傳感器增長(zhǎng)128.59%！

      營(yíng)收同比增長(zhǎng)39.77%，凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)41.84%，毛利率超85%，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第一！比肩茅臺(tái)！
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 03-13 14:35 ?1165次閱讀
      芯動(dòng)聯(lián)科發(fā)布年度業(yè)績(jī)報(bào)告 慣性傳感器增長(zhǎng)128.59%！