超結(jié)MOSFET體二極管性能優(yōu)化 ? ? ? ? ? ? ? ? ? END ?

引言 翻轉(zhuǎn)芯片技術(shù)已成為半導(dǎo)體行業(yè)中不可或缺的封裝方法，在性能、尺寸減小和功能增加方面具有優(yōu)勢(shì)。本文....

在做芯片選型的時(shí)候，我們通常會(huì)對(duì)比各廠家芯片的ESD性能，比如A廠家芯片的HBM靜電指標(biāo)為2KV，B....

詳細(xì)的注塑成型工藝介紹

電動(dòng)汽車沒電時(shí)需要充電，但是車輛動(dòng)力電池中的高壓電是直流電，而我們的生活和商業(yè)用電是交流電，交流電是....

什么是EVT、DVT、PVT、MP？ EVT（Engineering Verification Te....

組串式儲(chǔ)能系統(tǒng)優(yōu)劣勢(shì) 優(yōu)點(diǎn) 提升系統(tǒng)效率：組串式架構(gòu)實(shí)現(xiàn)一簇一管理，提高了電池包的均衡性和充放電效率....

隨著新能源汽車的普及，電池管理系統(tǒng)（BMS）作為動(dòng)力電池的核心部件，其重要性日益凸顯。本文將詳細(xì)介紹....

一、氮化硅薄膜制備方法及用途 氮化硅（Si3N4）薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶態(tài)絕緣體，氮....

最近看到功率器件嵌入PCB的應(yīng)用，了解了一下，感覺很有前景。照這個(gè)趨勢(shì)，將來會(huì)以PCB封裝各種芯片、....

一、什么是MOS管？ MOS管，全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field....

金屬鋰簡(jiǎn)介 鋰是一種金屬元素，在元素周期表中它位于金屬首位。其化學(xué)符號(hào)為L(zhǎng)i，是一種銀白色、十分柔軟....

前言 1. 光儲(chǔ)逆變器出口需求分析 報(bào)告指出，2024年1-7月，中國(guó)逆變器出口金額達(dá)到340億元人....

前面寫分層文章時(shí)，有個(gè)問題一直困擾著我：為什么X-RAY只能掃描空洞，不能用來掃描分層。不過，雖然咱....

? 永磁直驅(qū)風(fēng)電機(jī)組的構(gòu)網(wǎng)型控制 ? ?

uSGT MOSFET的市場(chǎng)前景 SGT-MOS的全稱是“Split Gate Trench-MOS....

晶圓切割劃片技術(shù)作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其技術(shù)水平直接關(guān)聯(lián)到芯片的性能、良率及生產(chǎn)成本。

在這篇文章中，我們將學(xué)習(xí)基本的半導(dǎo)體制造過程。為了將晶圓轉(zhuǎn)化為半導(dǎo)體芯片，它需要經(jīng)歷一系列復(fù)雜的制造....

本文解釋了封裝技術(shù)的不同級(jí)別、不同制造，和封裝技術(shù)演變過程。

新能源汽車的核心在于三電系統(tǒng)，即電池、電機(jī)和電控。而在這三電系統(tǒng)中，我們又可以細(xì)分為“大三電”與“小....

隨著現(xiàn)代汽車的不斷發(fā)展，電子元件在汽車行業(yè)中的應(yīng)用變得越來越重要。然而，汽車環(huán)境對(duì)電子元件的要求非常....

EMB 系統(tǒng)失效判斷基于前面所述三路并行的安全機(jī)制，可實(shí)時(shí)檢測(cè)系統(tǒng)運(yùn)行狀態(tài)，探測(cè)系統(tǒng)故障，又由于該系....

功能安全概念（functional safety concept，F(xiàn)SC）是以安全目標(biāo)為最上層需求，....

汽車領(lǐng)域正迎來電動(dòng)和智能的新時(shí)代，將線控技術(shù)應(yīng)用于車輛控制成為新的趨勢(shì)。其中，線控制動(dòng)系統(tǒng)（brak....

鋰離子電池的工作原理其實(shí)相當(dāng)精妙。它主要由四大主材構(gòu)成：正極材料、負(fù)極材料、電解液和隔膜。其中，正極....

滿足MEA應(yīng)用施加的嚴(yán)格EMI要求可能具有挑戰(zhàn)性。在這篇文章中，GAIA Converter的首席執(zhí)....

OBC(on-board Charger) 作為汽車充電的重要部件 一般分為 PFC 和 DC-DC....

隨著雙碳目標(biāo)的推進(jìn)，電動(dòng)汽車車載充電器(以下簡(jiǎn)稱“OBC”)，正朝雙向能量傳輸?shù)姆较虬l(fā)展，其既能從電....

第一代半導(dǎo)體材料以傳統(tǒng)的硅（Si）和鍺（Ge）為代表，是集成電路制造的基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用于低壓、低頻、低....

碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種....