驅(qū)動(dòng)電機(jī)有哪些分類
按照電機(jī)的工作電源劃分，可將電機(jī)劃分為直流電機(jī)和交流電機(jī)。
新能源汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)的選型需要考慮哪些因素
性能需求分析主要指根據(jù)車輛的最高車速、加速性能、爬坡能力等整體性能需求，去確定該車輛搭載的驅(qū)動(dòng)電機(jī)所....
基于多堆疊直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法
摘要：碳化硅(SiC)功率模塊在電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用。為了提高功率模塊的性能、減小體....
晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用
先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)朝著連接密集化、堆疊多樣化和功能系統(tǒng)化的方向發(fā)展，探索了扇出型封裝、2.5D/3D、....
SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量
汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅....
SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹
過去三十年，碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問題是—....
高速電機(jī)開發(fā)的關(guān)鍵要素
隨著全球新能源汽車市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，驅(qū)動(dòng)電機(jī)的轉(zhuǎn)速也呈現(xiàn)出了驚人的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。從數(shù)年前的18000rpm....
玻璃基板的技術(shù)優(yōu)勢(shì)有哪些
芯片行業(yè)正迎來一場(chǎng)重大變革， 玻璃基板的開發(fā)正在為芯片材料的轉(zhuǎn)型奠定基礎(chǔ)。 在應(yīng)用的過程中困難重重，....
Microchip的SiC解決方案解析
在電子交通、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等具有重大創(chuàng)新的行業(yè)的推動(dòng)下，對(duì)功率器件的需求不斷增加。當(dāng)今的功率應(yīng)....
RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢(shì)
因?yàn)镮GBT大部分應(yīng)用場(chǎng)景都是感性負(fù)載，在IGBT關(guān)斷的時(shí)候，感性負(fù)載會(huì)產(chǎn)生很大的反向電流，IGBT....
IGBT芯片/單管/模塊/器件的區(qū)別
在電力電子技術(shù)的快速中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）技術(shù)以其高效、可靠的性能，成為眾多領(lǐng)域的核心組....
SJMOS微逆變是什么？有哪些優(yōu)點(diǎn)？
“光伏”是當(dāng)下新能源行業(yè)的熱門話題。隨著全球能源危機(jī)不斷加劇，太陽能作為一種綠色、可再生的能源逐漸受....
超結(jié)結(jié)構(gòu)工藝實(shí)現(xiàn)方式
在過去的二十年，MOSFET主要用作開關(guān)器件，得到了長(zhǎng)足的發(fā)展，由于它是多子器件，有相對(duì)較小的開關(guān)損....
功率半導(dǎo)體封裝的趨勢(shì)分析
隨著電動(dòng)汽車和可再生能源的不斷普及，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正迎來顯著增長(zhǎng)，并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)....
科力微電子產(chǎn)品在便攜式儲(chǔ)能的應(yīng)用
? 面向消費(fèi)者的便攜式儲(chǔ)能是儲(chǔ)能市場(chǎng)新的藍(lán)海分支，一方面行業(yè)正處于高速發(fā)展期，另一方面產(chǎn)品具有消費(fèi)品....
VDMOS技術(shù)概述和特點(diǎn)
在過去的二十年間，MOSFET作為開關(guān)器件發(fā)展迅速。然而，由于MOSFET的通態(tài)功耗較高，導(dǎo)通電阻受....
使用并聯(lián)功率MOSFETS的要點(diǎn)和范例
引言：雙極晶體管由于是基極電流驅(qū)動(dòng)，因此電流平衡容易被基極-發(fā)射極電壓VBE的波動(dòng)所破壞，使得并聯(lián)連....
MOSFET在消費(fèi)類電子產(chǎn)品的應(yīng)用
PC電源是一個(gè)無工頻變壓器的四路開關(guān)穩(wěn)壓電源，其中涉及整流、高頻變化和脈寬調(diào)制技術(shù);其具有體積小、效....
如何檢測(cè)SiC IGBT模塊失效芯片
當(dāng)前，在國(guó)際節(jié)能環(huán)保的大趨勢(shì)下，SiCIGBT芯片下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發(fā)電等領(lǐng)域迅速發(fā)....
TOLL封裝MOS管的特點(diǎn)和使用注意事項(xiàng)
TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式，常用于MOSFET。
功率MOSFET在電池管理充放電系統(tǒng)中的應(yīng)用
功率MOSFET需要在鋰離子電池組內(nèi)部和輸出負(fù)載之間串聯(lián)。同時(shí)，專用IC用于控制MOSFET的開啟和....
VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹
如圖1所示，VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴(kuò)散形成P型區(qū)和N+型區(qū)，在硅表面P型區(qū)和N+....
米勒平臺(tái)造成的對(duì)管開啟
在MOS管的上下橋驅(qū)動(dòng)中，有這種現(xiàn)象。如下圖，一個(gè)管子處在米勒平臺(tái)的時(shí)候，會(huì)給另一個(gè)管子的Vgs電壓....
工商網(wǎng)監(jiān)