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      芯長征科技

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      SiC相對于Si有哪些優(yōu)勢？

      更高的擊穿場允許器件在給定區(qū)域承受更高的電壓。這使得器件設(shè)計(jì)人員能夠在相同的芯片尺寸下增加用于電流流....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-19 09:41 ?1420次閱讀
      SiC相對于Si有哪些優(yōu)勢？

      MOSFET的并聯(lián)使用

      MOSFET的并聯(lián)使用
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-19 09:40 ?1484次閱讀
      MOSFET的并聯(lián)使用

      什么是IGBT？IGBT的工作原理

      IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-18 09:40 ?9253次閱讀
      什么是IGBT？IGBT的工作原理

      碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

      與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-18 09:37 ?3062次閱讀
      碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

      三種碳化硅外延生長爐的差異

      碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-15 09:45 ?3993次閱讀
      三種碳化硅外延生長爐的差異

      SiC功率器件中的失效機(jī)制分析

      SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用，例如....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-15 09:42 ?5821次閱讀
      SiC功率器件中的失效機(jī)制分析

      什么是IGCT？什么是IGBT？兩者有何區(qū)別與聯(lián)系

      IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor），中文名稱：集成....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-14 09:48 ?25005次閱讀
      什么是IGCT？什么是IGBT？兩者有何區(qū)別與聯(lián)系

      Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對比研究

      摘 要：針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-14 09:37 ?2244次閱讀
      Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對比研究

      功率芯片是什么？功率芯片有哪些？

      近年來，我國已成為全球發(fā)電量第一的大國。電能一直是人類消耗的最大能源，是目前最為重要的一種能源形式之....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-13 10:32 ?9572次閱讀
      功率芯片是什么？功率芯片有哪些？

      碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢

      一是可以直接利用，特別是在偏遠(yuǎn)或者離網(wǎng)區(qū)域；二是它足夠多：據(jù)計(jì)算，海平面上，每平方米每天可產(chǎn)生1kW....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-13 09:52 ?1129次閱讀
      碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢

      IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢

      當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機(jī)等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-11 17:17 ?5555次閱讀
      IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢

      芯片設(shè)計(jì)的核心技術(shù)與關(guān)鍵優(yōu)勢概述

      應(yīng)對網(wǎng)絡(luò)威脅正在成為芯片和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一個(gè)組成部分，并且更加昂貴和復(fù)雜。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-11 10:03 ?1149次閱讀
      芯片設(shè)計(jì)的核心技術(shù)與關(guān)鍵優(yōu)勢概述

      FPGA產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

      現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 是提供適應(yīng)性強(qiáng)且可更改的硬件功能的半導(dǎo)體。它們包含各種可變邏輯單元和....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-06 14:39 ?2106次閱讀
      FPGA產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

      凸點(diǎn)鍵合技術(shù)的主要特征

      自從IBM于20世紀(jì)60年代開發(fā)出可控塌陷芯片連接（Controlled Collapse Chip....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-05 09:40 ?2177次閱讀
      凸點(diǎn)鍵合技術(shù)的主要特征

      提高3D NAND閃存存儲密度的四項(xiàng)基本技術(shù)

      增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-30 10:20 ?1240次閱讀
      提高3D NAND閃存存儲密度的四項(xiàng)基本技術(shù)

      光器件的最新研究和發(fā)展趨勢

      此次，我們將報(bào)道旨在實(shí)現(xiàn)光互連的光器件的最新研究和發(fā)展趨勢。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-29 09:41 ?1320次閱讀
      光器件的最新研究和發(fā)展趨勢

      車規(guī)級半導(dǎo)體/元器件認(rèn)證

      因?yàn)槠囯妱?dòng)化、智能化和網(wǎng)聯(lián)化的來襲，全球性的汽車芯片缺貨，以及國內(nèi)汽車芯片產(chǎn)業(yè)的興起。汽車芯片產(chǎn)業(yè)....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-28 09:59 ?598次閱讀

      晶體管的分類介紹

      隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)、中美科技戰(zhàn)打響以來，集成電路成了一個(gè)熱門話題。我國也在加強(qiáng)集成電路的發(fā)展[1]，那么....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-28 09:56 ?2380次閱讀
      晶體管的分類介紹

      電力半導(dǎo)體器件的分類

      電力半導(dǎo)體器件是進(jìn)行電力變換和控制的大功率器件。 可直接用于處理電能的主電路中，實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-28 09:54 ?1723次閱讀
      電力半導(dǎo)體器件的分類

      2023年60%的私有小型基站RFFE仍依賴GAAS平臺

      蜂窩專用網(wǎng)絡(luò)正在進(jìn)入一個(gè)充滿希望的商業(yè)階段，并在全球范圍內(nèi)傳播，這為需要解決新工業(yè)用例的 RAN 參....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-27 09:45 ?1101次閱讀
      2023年60%的私有小型基站RFFE仍依賴GAAS平臺

      如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量功率芯片

      IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開關(guān)，一個(gè)200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-27 09:39 ?1289次閱讀
      如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量功率芯片

      基于可定制64位內(nèi)核的RISC-V設(shè)計(jì)

      ISC-V Tensor 單元集成到緩存子系統(tǒng)中，SemiDynamics 使其成為第一個(gè)用于數(shù)據(jù)中....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-23 12:39 ?997次閱讀
      基于可定制64位內(nèi)核的RISC-V設(shè)計(jì)

      碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用

      電機(jī)控制器：碳化硅器件在新能源汽車電機(jī)控制器中可以應(yīng)用于直流轉(zhuǎn)換器、逆變器、交流驅(qū)動(dòng)單元等，利用其高....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-21 16:52 ?924次閱讀

      IGBT模塊封裝工藝流程 IGBT封裝技術(shù)的升級方向

      IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高，高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-21 15:49 ?2195次閱讀
      IGBT模塊封裝工藝流程 IGBT封裝技術(shù)的升級方向

      MOSFET和IGBT的概念和優(yōu)缺點(diǎn)

      場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-16 16:21 ?9051次閱讀
      MOSFET和IGBT的概念和優(yōu)缺點(diǎn)

      功率半導(dǎo)體分立器件的定義和分類

      作為電子系統(tǒng)中的最基本單元，半導(dǎo)體功率器件在包括汽車電子、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備、航空航天、武....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-14 10:16 ?2182次閱讀
      功率半導(dǎo)體分立器件的定義和分類

      功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性、工作原理及注意事項(xiàng)

      MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū)，那為什么還要在周圍....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-14 10:05 ?3416次閱讀
      功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性、工作原理及注意事項(xiàng)

      一個(gè)電路板從射頻設(shè)計(jì)到實(shí)現(xiàn)是經(jīng)過什么步驟？

      一個(gè)電路板從設(shè)計(jì)到實(shí)現(xiàn)是經(jīng)過什么步驟？
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-14 10:02 ?1005次閱讀
      一個(gè)電路板從射頻設(shè)計(jì)到實(shí)現(xiàn)是經(jīng)過什么步驟？

      車規(guī)級IGBT有多重要？海外巨頭占據(jù)主要市場 國產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)

      當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機(jī)等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-14 09:54 ?1597次閱讀
      車規(guī)級IGBT有多重要？海外巨頭占據(jù)主要市場 國產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)

      MOS管選擇注意事項(xiàng)

      在一些電路的設(shè)計(jì)中，不光是開關(guān)電源電路中，經(jīng)常會使用MOS管，正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-08 10:03 ?954次閱讀