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芯長征科技

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Microchip的SiC解決方案解析

在電子交通、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等具有重大創(chuàng)新的行業(yè)的推動下,對功率器件的需求不斷增加。當今的功率應(yīng)....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 15:29 ?908次閱讀
Microchip的SiC解決方案解析

RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢

因為IGBT大部分應(yīng)用場景都是感性負載,在IGBT關(guān)斷的時候,感性負載會產(chǎn)生很大的反向電流,IGBT....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 15:26 ?3406次閱讀
RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢

IGBT芯片/單管/模塊/器件的區(qū)別

在電力電子技術(shù)的快速中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)技術(shù)以其高效、可靠的性能,成為眾多領(lǐng)域的核心組....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 15:23 ?1751次閱讀

原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

本文小編分享一篇文章,本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用,本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 15:21 ?827次閱讀
原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

什么是二極管的反向恢復

IGBT的續(xù)流二極管是個很有意思的東西,對模塊整體的性能影響很大,今天就聊聊它。
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 15:16 ?3688次閱讀
什么是二極管的反向恢復

SJMOS微逆變是什么?有哪些優(yōu)點?

“光伏”是當下新能源行業(yè)的熱門話題。隨著全球能源危機不斷加劇,太陽能作為一種綠色、可再生的能源逐漸受....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 15:12 ?665次閱讀

超結(jié)結(jié)構(gòu)工藝實現(xiàn)方式

在過去的二十年,MOSFET主要用作開關(guān)器件,得到了長足的發(fā)展,由于它是多子器件,有相對較小的開關(guān)損....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 15:07 ?1297次閱讀
超結(jié)結(jié)構(gòu)工藝實現(xiàn)方式

功率半導體封裝的趨勢分析

隨著電動汽車和可再生能源的不斷普及,功率半導體市場正迎來顯著增長,并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 15:04 ?856次閱讀
功率半導體封裝的趨勢分析

科力微電子產(chǎn)品在便攜式儲能的應(yīng)用

? 面向消費者的便攜式儲能是儲能市場新的藍海分支,一方面行業(yè)正處于高速發(fā)展期,另一方面產(chǎn)品具有消費品....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 14:59 ?694次閱讀
科力微電子產(chǎn)品在便攜式儲能的應(yīng)用

VDMOS技術(shù)概述和特點

在過去的二十年間,MOSFET作為開關(guān)器件發(fā)展迅速。然而,由于MOSFET的通態(tài)功耗較高,導通電阻受....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 14:50 ?1630次閱讀

超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢

在我們進入超結(jié)MOSFET的細節(jié)之前,我們先了解一些背景知識。
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 14:47 ?1460次閱讀
超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢

使用并聯(lián)功率MOSFETS的要點和范例

引言:雙極晶體管由于是基極電流驅(qū)動,因此電流平衡容易被基極-發(fā)射極電壓VBE的波動所破壞,使得并聯(lián)連....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 14:30 ?1775次閱讀
使用并聯(lián)功率MOSFETS的要點和范例

MOSFET在消費類電子產(chǎn)品的應(yīng)用

PC電源是一個無工頻變壓器的四路開關(guān)穩(wěn)壓電源,其中涉及整流、高頻變化和脈寬調(diào)制技術(shù);其具有體積小、效....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:54 ?688次閱讀
MOSFET在消費類電子產(chǎn)品的應(yīng)用

如何檢測SiC IGBT模塊失效芯片

當前,在國際節(jié)能環(huán)保的大趨勢下,SiCIGBT芯片下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發(fā)電等領(lǐng)域迅速發(fā)....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:31 ?851次閱讀
如何檢測SiC IGBT模塊失效芯片

TOLL封裝MOS管的特點和使用注意事項

TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式,常用于MOSFET。
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:29 ?1910次閱讀

功率MOSFET在電池管理充放電系統(tǒng)中的應(yīng)用

功率MOSFET需要在鋰離子電池組內(nèi)部和輸出負載之間串聯(lián)。同時,專用IC用于控制MOSFET的開啟和....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:21 ?2000次閱讀
功率MOSFET在電池管理充放電系統(tǒng)中的應(yīng)用

VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹

如圖1所示,VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴散形成P型區(qū)和N+型區(qū),在硅表面P型區(qū)和N+....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:16 ?2110次閱讀
VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹

IGBT短路耐受時間的重要性

IGBT等功率器件具有稱為“短路耐受時間(SCWT:Short Circuit Withstand ....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:12 ?986次閱讀
IGBT短路耐受時間的重要性

米勒平臺造成的對管開啟

在MOS管的上下橋驅(qū)動中,有這種現(xiàn)象。如下圖,一個管子處在米勒平臺的時候,會給另一個管子的Vgs電壓....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:08 ?881次閱讀
米勒平臺造成的對管開啟

芯片制造全流程簡述

? “兵馬未動,糧草先行”,各路IC英雄是否備好了Hamburger&Chips來迎接下一次的遠征。....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:04 ?2984次閱讀
芯片制造全流程簡述

逆變器中MOS管和IGBT的選型對EMC有什么影響

逆變器中使用的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effe....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:00 ?1696次閱讀
逆變器中MOS管和IGBT的選型對EMC有什么影響

Buck電路設(shè)計應(yīng)用

Buck 變換器是一種輸出電壓低于輸入電壓的非隔離型直流變換器,其拓撲結(jié)構(gòu)如下所示。Buck 電路輸....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 16:58 ?1376次閱讀
Buck電路設(shè)計應(yīng)用

buck-boost拓撲電路的工作過程

從上述分析可以看出,buck-boost拓撲輸入Ui和輸出Uo正負方向相反。當把電感L等效為兩個電感....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 16:47 ?2842次閱讀
buck-boost拓撲電路的工作過程

為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實現(xiàn)

高側(cè)開關(guān)就是負載是接地的,開關(guān)相對于負載處于高電位,如下圖所示。如果將開關(guān)和負載的位置互換,就是低側(cè)....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 16:43 ?3315次閱讀
為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實現(xiàn)

Buck電路和Boost電路的工作原理

Buck電路,也就是常說的降壓電路,為直流進-直流出。電路沒有變壓器,輸入輸出公共一個地。下圖為Bu....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 16:22 ?7740次閱讀
Buck電路和Boost電路的工作原理

芯長征科技集團新能源電子封測產(chǎn)線正式通線!

2024年5月9日,芯長征科技集團(簡稱“芯長征”)新能源電子封測產(chǎn)線在中國榮成順利通線并隆重舉行通....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-10 14:08 ?1888次閱讀
芯長征科技集團新能源電子封測產(chǎn)線正式通線!

江蘇芯長征微電子集團股份有限公司IGBT模塊成功通過UL認證

近日,芯長征在UL認證專業(yè)機構(gòu)安可捷協(xié)助下,成功完成IGBT模組的UL認證流程,為公司的產(chǎn)品研發(fā)與市....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-16 09:51 ?1578次閱讀
江蘇芯長征微電子集團股份有限公司IGBT模塊成功通過UL認證

車規(guī)芯片與非車規(guī)芯片基本性能對比

功率型芯片于控制單元中主要負責具有高功率負載的控制電路,是可實現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件,由于....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-09 12:19 ?4683次閱讀
車規(guī)芯片與非車規(guī)芯片基本性能對比

IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別?

三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進行三層摻雜,其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜,含有大量自由電子,中間極窄區(qū)域普通....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-09 11:15 ?20084次閱讀
IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別?

光伏領(lǐng)域IGBT市場飛速增長 2025年光伏領(lǐng)域IGBT市場規(guī)模將達73億

功率半導體器件(Power Electronic Device)又稱為電力電子器件和功率電子器件,是....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-09 10:59 ?2736次閱讀
光伏領(lǐng)域IGBT市場飛速增長 2025年光伏領(lǐng)域IGBT市場規(guī)模將達73億