單晶硅晶片的超聲輔助化學(xué)蝕刻

用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法單晶硅晶片紋理化的替代方法在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2混合物中的擴(kuò)散控制溶解過程通過改變流量形成各種形態(tài) 蝕刻混合物的速度[4，5]超聲波輔助導(dǎo)致蝕刻的高速運(yùn)動(dòng) 晶片表面的混合物。

單晶硅晶片的超聲輔助化學(xué)蝕刻

結(jié)果

HF-HCl-Cl2溶液允許各向異性蝕刻過程，產(chǎn)生比氫氧化鉀標(biāo)準(zhǔn)紋理反射低的隨機(jī)倒金字塔，導(dǎo)致低反射值至6.3%的陰影效應(yīng)，導(dǎo)致晶圓邊緣到中間的形態(tài)變化，通過超聲輔助化學(xué)蝕刻(USACE)紋理單晶硅晶圓在在線蝕刻過程中似乎是最可行的。

　　審核編輯：湯梓紅

閱讀全文

晶圓(126258) 晶圓(126258)
蝕刻(15030) 蝕刻(15030)

評(píng)論

相關(guān)推薦

細(xì)述幾種高效晶體硅太陽能電池技術(shù)

一般高效單晶硅電池采用化學(xué)腐蝕制絨技術(shù)，制得絨面的反射率可達(dá)到10％以下。目前較為先進(jìn)的制絨技術(shù)是反應(yīng)等離子蝕刻技術(shù)（RIE），該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是和晶硅的晶向無關(guān)，適用于較薄的硅片。

2024-03-19 09:27:59

103

單晶硅壓力變送器和擴(kuò)散硅的區(qū)別

在現(xiàn)代工業(yè)控制領(lǐng)域中，傳感器作為感知的核心元件，其性能的優(yōu)劣直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。而單晶硅和擴(kuò)散硅壓力變送器作為壓力測(cè)量領(lǐng)域的兩大主流。更是受到越來越多企業(yè)、工程師的青睞。那么今天浙江

2024-03-15 11:53:39

芯片制造工藝：晶體生長基本流程

從液態(tài)的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法（Czochralski）。半導(dǎo)體工業(yè)中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。

2024-03-12 11:15:44

150

太陽能電池生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，清洗制絨是重要的環(huán)節(jié)之一，制絨的工藝流程的優(yōu)化和技術(shù)升級(jí)能提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本。制絨絨面的形成受到NaOH的濃度、停留時(shí)間、過程中溫度等等因素的影響。美能3D共聚焦顯微鏡，專為光伏行業(yè)而生，能夠測(cè)量亞微米級(jí)的形貌起伏，可以手動(dòng)亦可自動(dòng)測(cè)量金字塔絨面的整體形狀，單個(gè)金字塔的形狀和高度也能高精度呈現(xiàn)，滿足客戶的測(cè)試需求。硅

2024-02-19 13:11:14

120

單晶光伏板和多晶光伏板的區(qū)別

，單晶光伏板和多晶光伏板的材料不同。單晶光伏板由高純度硅材料制成，硅材料由純凈的硅石經(jīng)過高溫熔煉而來，再經(jīng)過拉晶、切片、拋光等步驟制成單晶硅片。而多晶光伏板采用的是多晶硅材料，制備工藝相對(duì)簡單一些，直接從熔融

2024-02-03 09:19:22

652

半導(dǎo)體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學(xué)蝕刻的 MOCVD GaN

蝕刻時(shí)間和過氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2

2024-02-02 17:56:45

306

擴(kuò)散硅、單晶硅、電容式壓力差壓變送器的區(qū)別與選擇

擴(kuò)散硅、單晶硅、電容式壓力差壓變送器的區(qū)別與選擇? 擴(kuò)散硅、單晶硅和電容式壓力差壓變送器是常用于工業(yè)領(lǐng)域中測(cè)量流體壓力的儀器。它們各自具有不同的特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。下面將詳細(xì)介紹這三種壓力變送器的區(qū)別

2024-01-30 15:06:28

577

怎么選擇擴(kuò)散硅壓力變送器、單晶硅壓力變送器、電容式壓力變送器

怎么選擇擴(kuò)散硅壓力變送器、單晶硅壓力變送器、電容式壓力變送器? 選擇擴(kuò)散硅壓力變送器、單晶硅壓力變送器和電容式壓力變送器是根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景和具體要求進(jìn)行的。下面將詳細(xì)介紹這三種壓力變送器的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)

2024-01-30 15:06:26

355

淺談超聲波探頭的信號(hào)和性能指標(biāo)

超聲波發(fā)生器內(nèi)部結(jié)構(gòu)有兩個(gè)壓電晶片和一個(gè)共振板。當(dāng)它的兩極外加脈沖信號(hào)，其頻率等于壓電晶片的固有振蕩頻時(shí)，壓電晶片將會(huì)發(fā)生共振，并帶動(dòng)共振板振動(dòng)，便產(chǎn)生超聲波。

2024-01-29 10:17:17

258

碳化硅晶片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究

為實(shí)現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對(duì)現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)進(jìn)行了總結(jié)和研究。針對(duì)碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微觀晶格結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，簡述了化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)對(duì)碳化硅

2024-01-24 09:16:36

431

光伏板單晶和多晶哪個(gè)發(fā)電多？

光伏板單晶和多晶哪個(gè)發(fā)電多？太陽能光伏板是利用太陽光的能量轉(zhuǎn)換為電能的裝置。而光伏板的發(fā)電效率是一個(gè)衡量其性能的重要指標(biāo)。單晶和多晶是光伏電池的兩種常見制造工藝，它們?cè)诎l(fā)電效率上有所不同。在這

2024-01-23 14:58:14

349

超聲波傳感器中壓電晶片的作用是什么？

超聲波傳感器中壓電晶片的作用是什么？超聲波傳感器是一種常見的物理傳感器，它通過發(fā)射和接收超聲波波束來探測(cè)周圍物體的距離、位置、形狀等信息，廣泛應(yīng)用于機(jī)器人導(dǎo)航、車輛安全、工業(yè)自動(dòng)化和醫(yī)學(xué)影像等領(lǐng)域

2024-01-17 15:37:28

396

電阻式壓力傳感器的作用及其工作原理

電阻式壓力傳感器是利用單晶硅的壓阻效應(yīng)而構(gòu)成。采用單晶硅片為彈性元件，在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝，在單晶硅的特定方向擴(kuò)散一組等值電阻，并將電阻接成橋路，單晶硅片置于傳感器腔內(nèi)。當(dāng)壓力發(fā)生變化

2023-12-26 16:34:01

230

電阻式壓力傳感器的作用及其工作原理

2023-12-15 15:55:08

263

針對(duì)氧氣（O2）和三氯化硼（BCl3）等離子體進(jìn)行原子層蝕刻的研究

基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如AlGaN，憑借其物理和化學(xué)穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻

2023-12-13 09:51:24

294

電阻式壓力傳感器的作用及其工作原理

2023-12-08 12:58:55

323

什么是單晶硅光伏板？單晶硅光伏板優(yōu)缺點(diǎn)

單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽能光電設(shè)備，常用于太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中。單晶硅光伏板由多個(gè)單晶硅太陽能電池片組成，每個(gè)電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上，并使用鋁框架進(jìn)行支撐和保護(hù)。

2023-11-29 09:46:06

1005

氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻法

目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米

2023-11-24 14:10:30

241

PCB加工之蝕刻質(zhì)量及先期問題分析

蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會(huì)對(duì)蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對(duì)其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問題，后面的章節(jié)將專門討論。

2023-11-14 15:23:10

217

全球首個(gè)100毫米的單晶金剛石晶圓研發(fā)成功

運(yùn)用異質(zhì)外延工藝，Diamond Foundry以可擴(kuò)展的基底制造單晶金剛石，這是一項(xiàng)前所未有的技術(shù)突破。過去已有技術(shù)用于生產(chǎn)金剛石晶片，但這些晶片基于壓縮金剛石粉末制備，缺乏單晶金剛石的特性。

2023-11-10 16:04:03

857

Arduino做倒車輔助使用PIR模塊好還是使用超聲波模塊？

Arduino做倒車輔助使用PIR模塊好還是使用超聲波模塊HC-SR04比較好

2023-11-10 06:13:43

單晶硅太陽電池的溫度和光強(qiáng)特性

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單晶硅太陽電池的溫度和光強(qiáng)特性.pdf》資料免費(fèi)下載

2023-11-02 11:16:37

多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？又是怎樣制造出來的呢？

硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應(yīng)用？又是怎樣制造出來的呢？

2023-10-26 09:47:01

502

厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻有什么區(qū)別？

電阻器是電子電路中常見的被動(dòng)元件，用于限制電流、調(diào)整電壓和執(zhí)行其他電阻性功能。在電阻器的制造中，有兩種常見的類型：厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻。這兩種類型的電阻器在結(jié)構(gòu)、性能和應(yīng)用方面都有一些顯著的區(qū)別。本文將介紹厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻的區(qū)別，以幫助讀者更好地理解它們的特性和用途。

2023-10-23 09:00:17

840

PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素

蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒有側(cè)蝕問題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。

2023-10-16 15:04:35

553

CYB6300單晶硅壓力變送器：工業(yè)應(yīng)用的重要利器

單晶硅壓力變送器是一種常用于測(cè)量液體或氣體壓力的儀器。隨著工業(yè)自動(dòng)化水平的不斷提高，壓力變送器的應(yīng)用越來越廣泛。

2023-10-16 09:47:13

261

關(guān)于氮化鎵的干蝕刻綜述

GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺(tái)面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。

2023-10-07 15:43:56

319

PCB線路板的蝕刻工藝需要注意哪些細(xì)節(jié)問題

一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱為蝕刻。

2023-09-18 11:06:30

669

從“0”到“1”的技術(shù)突破小晶片釋放大能量

一排排3米多高的碳化硅單晶生長設(shè)備整齊排列，設(shè)備內(nèi)部超過2000℃的高溫環(huán)境中，日夜不停地進(jìn)行著驚人的化學(xué)反應(yīng)——一個(gè)個(gè)碳化硅晶錠快速“生長”。

2023-09-07 09:25:10

410

pcb蝕刻是什么意思

　在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。

2023-09-06 09:36:57

811

六氟化硫等離子體的熱反應(yīng)離子蝕刻

眾所周知，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)嚴(yán)重依賴于集成電路制造中使用的材料，例如單晶硅。然而，由于金屬、玻璃和壓電陶瓷的特殊性質(zhì)，這些材料在MEMS中的使用正在迅速增加。

2023-09-01 10:19:20

204

晶閘管可控硅是什么材料做的

晶閘管可控硅是由單晶硅材料制成的。單晶硅是一種高純度的硅材料，可以通過化學(xué)氣相沉積或其他物理和化學(xué)方法來制備。晶閘管可控硅中的硅晶體為N型或P型半導(dǎo)體材料。摻雜劑被摻入晶體中，以形成PN結(jié)構(gòu)。同時(shí)，摻雜劑還會(huì)形成薄層的P型和N型半導(dǎo)體聯(lián)系電極。

2023-08-26 11:52:12

889

太陽能發(fā)電選單晶硅還是多晶硅？

電源電路DIY制作

學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-08-24 21:47:13

硼擴(kuò)成結(jié)對(duì)N型單晶硅電池電阻率的影響

硅太陽能電池一般可分為單晶、多晶和非晶硅太陽能電池，其中單晶硅電池是當(dāng)前開發(fā)最快的一種太陽能電池，它的構(gòu)造和生產(chǎn)工藝已經(jīng)定型，且廣泛用于空間和地面?！该滥芄夥股a(chǎn)的美能四探針電阻測(cè)試儀，可以對(duì)最大

2023-08-22 08:36:29

1280

細(xì)說單晶硅太陽能電池的清洗制絨

根據(jù)太陽能電池種類的差異，不同太陽能電池的生產(chǎn)工藝也會(huì)有所不同，抉擇一塊電池性能的重要環(huán)節(jié)是制作太陽能電池的清洗制絨。單晶硅太陽能電池生產(chǎn)工藝的優(yōu)劣可判斷其在應(yīng)用過程中是否具有超高的使用價(jià)值

2023-08-19 08:36:27

811

超聲振動(dòng)棒管道清洗設(shè)備設(shè)計(jì)

超聲振動(dòng)棒管道清洗的超聲振動(dòng)棒工具頭發(fā)射頭的前端緊貼在釜體外壁上或伸入釜體的釜腔內(nèi)，超聲波換能器可以對(duì)釜腔內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)物發(fā)送超聲波，被處理的液體由于超聲波的空化作用可造成反應(yīng)體系活性的變化。超聲

2023-08-16 10:16:59

260

半導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長到2028年的120億美元，復(fù)合年增長率為2.5%

半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備是半導(dǎo)體製造過程中使用的設(shè)備。 化學(xué)溶液通過將晶片浸入化學(xué)溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域，化學(xué)溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。

2023-08-15 15:51:58

319

刻蝕工藝流程和步驟酸性蝕刻和堿性蝕刻的區(qū)別

刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個(gè)過程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。

2023-07-28 15:16:59

4140

深度解讀硅微納技術(shù)之的蝕刻技術(shù)

蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。

2023-07-14 11:13:32

183

深度解讀硅微納技術(shù)之蝕刻技術(shù)

蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。

2023-07-12 09:26:03

190

鋁等離子體蝕刻率的限制

都使用Cl基蝕刻化學(xué)物質(zhì)。當(dāng)在等離子體放電中分解時(shí)，CCl為還原物質(zhì)提供了來源，并用于去除表面氧化物和Cl，與下面的Al反應(yīng)。

2023-06-27 13:24:11

318

鍺、硅、SiNx薄膜的各向同性等離子體蝕刻

CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時(shí)，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會(huì)有問題。

2023-06-26 13:32:44

1053

14.3 SiC體單晶的制備_clip001

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:23:00

13.4 ZnO的單晶的摻雜

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:11:57

13.3 ZnO的薄膜單晶的制備

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:10:19

11.6 GaN薄膜單晶的摻雜

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:59:31

11.5 GaN薄膜單晶的制備_clip002

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:56:21

11.5 GaN薄膜單晶的制備_clip001

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:54:48

11.4 GaN體單晶的制備

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:53:23

9.3 絕緣體上的單晶硅薄膜SOI

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:36:00

9.2 單晶硅薄膜材料（下）

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:35:08

9.2 單晶硅薄膜材料（上）_clip002

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:34:04

9.2 單晶硅薄膜材料（上）_clip001

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:33:16

8.5 直拉硅單晶的缺陷

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:32:29

8.3 直拉硅單晶的輕元素雜質(zhì)_clip002

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:31:00

8.3 直拉硅單晶的輕元素雜質(zhì)_clip001

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:30:28

8.2 直拉硅單晶的摻雜濃度_clip002

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:27:15

8.2 直拉硅單晶的摻雜濃度_clip001

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:26:43

8.1 直拉硅單晶的摻雜技術(shù)（下）

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:25:44

8.1 直拉硅單晶的摻雜技術(shù)（上）

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:24:26

7.6 直拉硅單晶的加工（下）

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:23:35

7.6 直拉硅單晶的加工（上）

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:20:40

7.5 新型直拉硅單晶生長工藝

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:19:57

7.4 單晶生長的主要影響因素

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:19:01

7.3 直拉硅單晶生長的基本工藝（下）

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:18:16

7.2 直拉硅單晶生長的基本工藝（中）

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:17:23

7.2 直拉硅單晶生長的基本工藝（上）_clip002

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:16:06

7.2 直拉硅單晶生長的基本工藝（上）_clip001

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:15:28

7.1 直拉硅單晶

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:13:21

6.3 區(qū)熔硅單晶（下）

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:12:39

硅片獨(dú)角獸高景太陽能IPO獲受理！三年?duì)I收從不到9萬沖到175億，募資50億

萬股，占公司發(fā)行后總股本的比例不低于10%且不超過25%，募集50億元資金，用于宜賓25GW單晶硅棒及5GW單晶硅片生產(chǎn)建設(shè)項(xiàng)目等。高景太陽能是一家專注于光伏硅片的企業(yè)，主營業(yè)務(wù)為光伏單晶硅棒、單晶硅片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括182mm、210mm等大

2023-06-16 17:35:03

794

請(qǐng)問一下8寸原子層沉積設(shè)備ALD，單晶片。國內(nèi)設(shè)備大約在什么價(jià)位??？

請(qǐng)問一下8寸原子層沉積設(shè)備ALD，單晶片。國內(nèi)設(shè)備大約在什么價(jià)位??？

2023-06-16 11:12:27

單晶硅和多晶硅的區(qū)別

什么是單晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別，多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面，主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，下面具體來了解下。

2023-06-12 16:44:42

3981

什么是硅片或者晶圓？硅晶圓的工作原理

太陽能電池需要硅晶片來提高效率并吸收更多的陽光。經(jīng)常使用非晶硅、單晶硅和碲化鎘等材料。Floating Zone 方法等制造工藝可將太陽能電池效率提高近 25%。

2023-06-12 09:18:06

2675

德爾森IOT 物聯(lián)網(wǎng)智能傳感器系列產(chǎn)品介紹

德爾森智能單晶硅沉降傳感器 DRS-3000 是采用德國進(jìn)口高穩(wěn)定型單晶硅MEMS 傳感器芯片、運(yùn)用智能信號(hào)處理與運(yùn)算單元、測(cè)量兩點(diǎn)間或多點(diǎn)間相對(duì)高程變化的精密傳感器。

2023-06-09 12:50:24

307

多晶硅和單晶硅光伏板哪個(gè)好

單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型，其主要區(qū)別在于材料。　　單晶硅光伏板是由單個(gè)晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性，因此在太陽能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是，制造過程成本較高，價(jià)格較貴。

2023-06-08 16:04:41

4916

什么是單晶圓加工

單晶圓工藝工具提供多功能的自主工藝能力，具有納米級(jí)的粒子控制，建立在高效的小占地面積上，涵蓋晶圓尺寸達(dá) 300?毫米、薄晶圓、ICS、MEMS、LED、光掩模和玻璃基板，使用各種工藝化學(xué)

2023-06-07 17:12:42

182

6.3 區(qū)熔硅單晶（上）

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-01 00:16:50

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn)，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響，并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，最終得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。

2023-05-31 10:30:06

2215

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個(gè)階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。

2023-05-30 15:14:11

1071

單晶硅結(jié)晶

2023-05-29 11:10:33

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法

2023-05-29 09:42:40

618

華耀光電IPO獲受理！營收年復(fù)合增長率超400%，募資29億擴(kuò)充單晶硅片產(chǎn)能等

資金，用于12GW單晶硅片生產(chǎn)項(xiàng)目（二期）、年產(chǎn)10GW高效N型（異質(zhì)結(jié)）電池項(xiàng)目（一期）等。天眼查顯示，去年1月華耀光電剛完成由東海投資領(lǐng)投，天風(fēng)天睿、銀河資本等投資機(jī)構(gòu)參與的近4億元Pre-IPO融資。公司控股股東是華耀投資，其直接持有公司70.46%的股份

2023-05-27 07:45:02

654

華耀光電IPO獲受理！營收年復(fù)合增長率超400%，募資29億擴(kuò)充單晶硅片產(chǎn)能等

資金，用于12GW單晶硅片生產(chǎn)項(xiàng)目（二期）、年產(chǎn)10GW高效N型（異質(zhì)結(jié)）電池項(xiàng)目（一期）等。 ? 天眼查顯示，去年1月華耀光電剛完成由東海投資領(lǐng)投，天風(fēng)天睿、銀河資本等投資機(jī)構(gòu)參與的近4億元Pre-IPO融資。公司控股股東是華耀投資，其直接持有公司70.46%的股

2023-05-26 00:05:00

1607

濕式化學(xué)蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨(dú)特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí)，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時(shí)的，并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此，英思特開發(fā)了一種通過濕化學(xué)蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。

2023-05-25 13:47:51

846

led晶片推拉力機(jī)半導(dǎo)體推拉力測(cè)試儀

led晶片

力標(biāo)精密設(shè)備發(fā)布于 2023-05-24 17:40:04

如何在蝕刻工藝中實(shí)施控制？

蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。

2023-05-19 10:27:31

575

PCB常見的五種蝕刻方式

一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金

2023-05-18 16:23:48

4918

硅晶片的酸基蝕刻：傳質(zhì)和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。

2023-05-16 10:03:00

584

硅片表面染色對(duì)銅輔助化學(xué)蝕刻的影響

在硅基光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術(shù)，采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過程中，由于金剛石線和硅片的反復(fù)摩擦，硅片表面發(fā)生了大量的脆性損傷和塑性損傷。

2023-05-15 10:49:38

489

簡述晶圓減薄的幾種方法

減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué)機(jī)械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來使基板變薄。

2023-05-09 10:20:06

979

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收編號(hào)：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技摘要采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷

2023-04-23 11:15:00

118

酸性化學(xué)品供應(yīng)控制系統(tǒng)

[技術(shù)領(lǐng)域] 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種酸性化學(xué)品供應(yīng)控制系統(tǒng)。由于半導(dǎo)體行業(yè)中芯片生產(chǎn)線的工作對(duì)象是硅晶片，而能在硅晶片上蝕刻圖形以及清洗硅晶片上的雜質(zhì)、微粒子的化學(xué)

2023-04-20 13:57:00

飛秒激光輔助制造石英晶體MEMS諧振器

提出了一種利用飛秒激光誘導(dǎo)化學(xué)蝕刻（FLICE）制造壓電致動(dòng)的石英晶體MEMS諧振器的方法。

2023-04-20 09:10:46

878

干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應(yīng)用

干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時(shí)必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）

2023-04-12 14:54:33

1004

氮化鋁單晶的濕法化學(xué)蝕刻

清洗過程在半導(dǎo)體制造過程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機(jī)、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機(jī)物三類。

2023-03-31 10:56:19

314