電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）作為第三代半導(dǎo)體材料核心，碳化硅（SiC）與其它半導(dǎo)體產(chǎn)品去庫(kù)存的市場(chǎng)節(jié)奏截然不同。市場(chǎng)中高性能碳化硅仍然持續(xù)緊缺，并且隨著新能源汽車(chē)的蓬勃發(fā)展，也帶動(dòng)著碳化硅市場(chǎng)熱度
2023-07-07 01:15:00
943 近日，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)芯動(dòng)半導(dǎo)體與國(guó)際知名半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰(zhàn)略合作協(xié)議。這一協(xié)議的達(dá)成，標(biāo)志著雙方在SiC功率模塊領(lǐng)域的合作邁出了堅(jiān)實(shí)的一步，將共同推動(dòng)SiC芯片在新能源汽車(chē)市場(chǎng)的廣泛應(yīng)用。
2024-03-15 09:44:4398 碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體粉體驗(yàn)證線傳來(lái)喜訊——實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶，全面驗(yàn)證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導(dǎo)體粉體在長(zhǎng)晶方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
2024-02-21 09:32:31336 今日（1月18日），意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:16254 
第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314 
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14291 
碳化硅（SiC）和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體（Si）是兩種常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料，它們?cè)陔娮悠骷圃熘芯哂袕V泛的應(yīng)用。然而，碳化硅相對(duì)于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn)： 更高的熱導(dǎo)率：碳化硅的熱導(dǎo)率是傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體
2024-01-10 14:26:52230 碳化硅逆變器是一種基于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料的功率電子設(shè)備，主要用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能，如更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通損耗、更高的工作溫度
2024-01-10 13:55:54272 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 車(chē)用SiC碳化硅的五大難點(diǎn)和應(yīng)對(duì)方案近年來(lái)，包括SiC在內(nèi)的第三代半導(dǎo)體器件在汽車(chē)上的應(yīng)用比例與日俱增。但在專(zhuān)業(yè)人士看來(lái)，這并不會(huì)是一個(gè)簡(jiǎn)單的事情。一以車(chē)用引線框架來(lái)看，盡管Si、碳化硅/氮化鎵引線
2024-01-06 14:22:15410 
鎵（GaN）半導(dǎo)體： 氮化鎵是一種二元復(fù)合半導(dǎo)體（由氮和鎵元素構(gòu)成），具有較大的禁帶寬度（3.4電子伏特）。它是一個(gè)具有六方晶系結(jié)構(gòu)的材料，并且具有較高的熱穩(wěn)定性和寬溫度范圍的應(yīng)用特性。 碳化硅（SiC）半導(dǎo)體： 碳化硅是
2023-12-27 14:54:18325 
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