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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎。
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)氮化鎵功率器件的大規(guī)模應用,是從2018年開始的。自手機快充功能在市場上迅速普及,經(jīng)過數(shù)年的發(fā)展,氮化鎵HEMT器件早已被...
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱,由三菱電機于1997年正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領域獲得廣泛應用。本講座主要介紹DIPIP...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)功率半導體作為電力電子功率轉換、功率放大的核心部件,在電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中占據(jù)著主導地位。隨著技術的不斷升級和迭代,功率半導體應...
深圳比亞迪微電子有限公司是比亞迪集團旗下的獨立子公司,自2003年開始致力于集成電路及功率器件的開發(fā),并提供產(chǎn)品應用的整套解決方案。比亞迪微電子立足于自...
前言 氮化鎵技術在消費類電源領域的大規(guī)模商用,帶來了電源配件產(chǎn)品功率密度的一次大提升。借助GaN功率器件高頻、高效的特性,體積小巧、更加便攜的高密度快充...
華潤微電子:功率器件國產(chǎn)替代市場巨大,投資42億建設封測基地
公司去年四季度產(chǎn)品銷售價格和代工價格的提升在今年一季度有所顯現(xiàn)。②公司收購了東莞杰群70%的股份并在去年9月末并表,東莞杰群和公司內(nèi)部的協(xié)同效應開始逐步...
最后3天!報名英飛凌云端大會,感受極致 “功率 & 傳感技術”
號外、號外、號外, 英飛凌電源與傳感系統(tǒng)云端大會 啟動啦~ 9月7日-11日, 兩岸三地、專家攜手, 一場功率 傳感的技術盛會正在襲來! 精彩主題搶先看...
2018年8月,積塔半導體特色工藝生產(chǎn)線項目正式開工建設;2019年5月,該項目芯片主體廠房實現(xiàn)結構封頂;2019年12月設備搬入;2020年3月30日...
功率器件廠商IGBT收入大比拼:有人大幅備貨擴產(chǎn),有人供過于求暴降
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/劉靜)近日,國內(nèi)時代電氣、士蘭微、蘇州固锝、斯達半導、捷捷微電等功率器件上市公司陸續(xù)公布了2023年財報。相對其他半導體行業(yè)業(yè)績的...
2024-04-13 標簽:功率器件 3571 0
雖然充電樁整體出貨量大增,但是上游的功率器件出貨量卻不及預期。國內(nèi)某汽車功率器件分銷業(yè)務的資深人士向集微網(wǎng)表示,“今年上半年在‘新基建’政策推動下,充電...
回顧2021年國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)業(yè)重大事件
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)碳化硅與氮化鎵同屬于第三代半導體材料,均已被列入十四五發(fā)展規(guī)劃綱要。碳化硅與氮化鎵相比,碳化硅的耐壓等級更高,可使用的平臺也...
聯(lián)動科技已是行業(yè)知名的半導體分立器件測試系統(tǒng)提供商
然而,由于該領域的市場規(guī)模較小,聯(lián)動科技很快觸及天花板,2017年至2019年期間業(yè)績增長乏力,營收、凈利均呈現(xiàn)下滑趨勢。
2.95億晉升第一大股東!揚杰科技收購楚微半導體40%股權,布局SiC業(yè)務
在業(yè)內(nèi)頻傳并購消息時,揚杰科技發(fā)布公告稱,將以公開摘牌方式收購楚微半導體40%的股權,成交價格為2.95億元。交易完成后,揚杰科技將成為楚微半導體的第一...
英特爾的目標是在封裝中將密度提升10倍以上,將邏輯微縮提升30%至50%,并布局非硅基半導體 在不懈推進摩爾定律的過程中,英特爾公布了在封裝、晶體管和量...
功率器件是半導體重要一環(huán)。尤其是隨著功率半導體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展,國際大廠已經(jīng)將產(chǎn)業(yè)未來聚焦到了第三代化合物半導體身上。可以說第三代半導體就是...
氮化鎵(GaN)功率半導體應用場景及行業(yè)市場規(guī)模分析
GaN功率器件包括SBD、常關型FET、級聯(lián)FET等產(chǎn)品,主要應用于無線充電件、電源開關、逆變器、交流器等領域。隨著技術水平的進步與成本控制,GaN材料...
提高頻率是減小尺寸的一種行之有效的方法。對于移動系統(tǒng)而言,實現(xiàn)高效解決方案同樣重要,這是延長電池壽命的關鍵因素。通過單芯片集成,如增強型氮化鎵功率場效應...
氮化鎵(GaN)是一種直接帶隙半導體,寬帶隙為3.4 eV(電子伏特),比砷化鎵(GaAs)寬2.4倍,比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子...
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