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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個(gè) 瀏覽：92464次 帖子：50個(gè)

      功率器件資訊

      熱點(diǎn)應(yīng)用走熱，2012年最值得關(guān)注的五類(lèi)半導(dǎo)體器件

      熱點(diǎn)應(yīng)用走熱，2012年最值得關(guān)注的五類(lèi)半導(dǎo)體器件

      隨著2012年第一季度即將過(guò)去，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走勢(shì)也逐漸明朗，在走訪了多家半導(dǎo)體廠商后，2012年幾大熱點(diǎn)應(yīng)用逐漸浮出水面...

      2012-03-15 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體器件Nand Flash 1666 0

      東芝技術(shù)總監(jiān)談如何滿足開(kāi)關(guān)電源發(fā)展新要求

      　隨著智能手機(jī)的普及，4G網(wǎng)絡(luò)以及云計(jì)算等的不斷擴(kuò)大，基站、網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心等基礎(chǔ)設(shè)施相關(guān)市場(chǎng)也隨之?dāng)U大。在電子產(chǎn)品輕薄短小的需求驅(qū)動(dòng)下，開(kāi)關(guān)電源以小型、...

      2014-04-01 標(biāo)簽：東芝開(kāi)關(guān)電源功率器件 1665 0

      深硅蝕刻技術(shù)使下一代功率器件成為可能

      深硅蝕刻技術(shù)使下一代功率器件成為可能

      包括汽車(chē)、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和能源行業(yè)在內(nèi)的多種電子應(yīng)用對(duì)大功率設(shè)備的需求正在增加。如今，功率器件必須滿足高效率、高功率密度、低功耗和出色的熱管理等嚴(yán)格要求...

      2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件蝕刻 1665 0

      簽下六年保供協(xié)議，派恩杰確定SiC營(yíng)收新目標(biāo)

      經(jīng)過(guò)在SiC賽道長(zhǎng)達(dá)十年甚至更久的技術(shù)及硬件積累，上述這些SiC芯片供應(yīng)商們由于特定的歷史條件，大多是IDM模式，而且如今包括ST、安森美、羅姆等多家廠...

      2023-02-08 標(biāo)簽：功率器件SiC派恩杰 1665 0

      嘉興高新區(qū)首季重大項(xiàng)目簽約盛況

      3月27日，浙江省嘉興市高新區(qū)舉行了新一季度重大項(xiàng)目簽約儀式。據(jù)報(bào)道，此次共有兩筆總額超過(guò)50億元人民幣的投資，包括瓷新半導(dǎo)體材料總部項(xiàng)目以及摩珂達(dá)Si...

      2024-03-29 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料混凝土 1664 0

      科普混合動(dòng)力車(chē)中大功率元件的五大要素

      混合動(dòng)力車(chē)設(shè)計(jì)過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)各種各樣的功率器件問(wèn)題，如更高效、更出色載流能力等等，本文著重如何解決這方面的問(wèn)題。

      2013-03-15 標(biāo)簽：混合動(dòng)力車(chē)功率器件 1664 0

      ROHM（羅姆）2022年工業(yè)及汽車(chē)前沿新產(chǎn)品盤(pán)點(diǎn)：電源管理IC及功率器件

      ROHM（羅姆）2022年工業(yè)及汽車(chē)前沿新產(chǎn)品盤(pán)點(diǎn)：電源管理IC及功率器件

      用來(lái)傳輸影像的SerDes IC“BU18xMxx-C”：根據(jù)分辨率優(yōu)化傳輸速率，功耗可降低27％；通過(guò)傳輸速率優(yōu)化功能和展頻功能將EMI峰值降低20d...

      2022-02-26 標(biāo)簽：電源管理運(yùn)算放大器emi 1663 0

      利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體

      利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體

      近日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。期間在“碳化硅襯底、外延...

      2023-12-09 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體功率器件 1658 0

      南海區(qū)科學(xué)技術(shù)局領(lǐng)導(dǎo)蒞臨國(guó)星半導(dǎo)體調(diào)研LED芯片、功率器件用GaN芯片

      ? 為提高企業(yè)創(chuàng)新能力，為南海區(qū)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供有力支撐，11月2日下午，南海區(qū)科學(xué)技術(shù)局局長(zhǎng)薛佩華，科技規(guī)劃和監(jiān)督股股長(zhǎng)熊惠芬，科技成果轉(zhuǎn)化股股...

      2023-11-06 標(biāo)簽：LED芯片功率器件氮化鎵 1653 0

      新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進(jìn)展

      新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進(jìn)展

      碳化硅功率器件具有高壓高功率領(lǐng)域等優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)廣闊，應(yīng)用場(chǎng)景廣泛。也被認(rèn)為是下一代800V電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)核心技術(shù)。

      2023-12-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)MOSFET功率器件 1652 0

      瞻芯電子入選中國(guó)IC設(shè)計(jì)行業(yè)100家綜合實(shí)力和增長(zhǎng)潛力最強(qiáng)的公司

      8月，2022中國(guó)IC領(lǐng)袖峰會(huì)暨IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮在南京成功舉辦。本屆峰會(huì)以“20年，砥礪前行”為主題，邀請(qǐng)了半導(dǎo)體業(yè)界專(zhuān)家和企業(yè)領(lǐng)袖與行業(yè)資深工程...

      2022-08-25 標(biāo)簽：芯片功率器件半導(dǎo)體設(shè)備 1647 0

      Microchip持續(xù)擴(kuò)大氮化鎵（GaN）射頻功率器件產(chǎn)品組合

      Microchip持續(xù)擴(kuò)大氮化鎵（GaN）射頻功率器件產(chǎn)品組合

      與所有Microchip 的GaN射頻功率產(chǎn)品一樣，新器件采用碳化硅基氮化鎵技術(shù)制造，提供了高功率密度和產(chǎn)量的最佳組合，可在高壓下運(yùn)行，255℃結(jié)溫下使...

      2021-12-02 標(biāo)簽：射頻microchip無(wú)線通信 1645 0

      電力電子的寬帶隙特性和適用性

      電力電子的寬帶隙特性和適用性

      對(duì)更高效電子產(chǎn)品的追求集中在功率器件上，而半導(dǎo)體材料處于研發(fā)活動(dòng)的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在多年前取代鍺成為主要的功率半導(dǎo)體材料。然而，今天，...

      2022-07-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力電子功率器件 1642 0

      SiC MOSFET的廠商現(xiàn)狀以及產(chǎn)品差別

      隨著新能源市場(chǎng)的爆發(fā)，電動(dòng)汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等下游應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，碳化硅功率器件迎來(lái)了新一輪增長(zhǎng)期。特別是電動(dòng)汽車(chē)上SiC MOSFET的大規(guī)模應(yīng)用后，在近幾...

      2022-07-25 標(biāo)簽：功率器件SiC MOSFET 1637 0

      京瓷推出一種功率器件LPTO-263封裝

      京瓷推出一種功率器件LPTO-263封裝

      功率器件，是指用于調(diào)控和變換電力的器件。從民生用品到工業(yè)設(shè)備，京瓷集團(tuán)一直向市場(chǎng)提供各種高品質(zhì)、高可靠性的節(jié)能型產(chǎn)品。

      2024-02-23 標(biāo)簽：散熱片功率器件SBD 1635 0

      GaN在手機(jī)上有什么用

      我們知道，GaN在充電器等應(yīng)用上，主要是通過(guò)GaN材料的特性，使得使用GaN材料的功率開(kāi)關(guān)器件在開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗等相比硅MOSFET有明顯優(yōu)...

      2022-07-25 標(biāo)簽：充電器功率器件GaN 1621 0

      碳化硅功率器件助力實(shí)現(xiàn)更好的儲(chǔ)能

      Wolfspeed的SiC功率器件目前廣泛用于電源、電池充電和牽引驅(qū)動(dòng)的電池電動(dòng)汽車(chē) （BEV）功率轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器等可再生能源...

      2023-01-11 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1620 0

      Nexperia第二代650V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級(jí)電源可在2kW或更高功率下運(yùn)行

      基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。

      2021-04-27 標(biāo)簽：服務(wù)器功率器件氮化鎵 1614 0

      第84屆中國(guó)電子展王牌專(zhuān)業(yè)：電阻電容

      2014年10月28日-30日，第84屆中國(guó)電子展，在上海新國(guó)際博覽中心隆重舉辦。作為中國(guó)電子展的王牌專(zhuān)業(yè)“電阻電容”有近400家展商攜新品驚艷亮相。中...

      2014-07-30 標(biāo)簽：功率器件電子展CEF 1612 0

      揚(yáng)杰科技榮獲“2023年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”稱(chēng)號(hào)

      2024年7月22-24日，第十八屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2024年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在四川成都盛大召開(kāi)。本屆年會(huì)由中...

      2024-07-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件揚(yáng)杰科技 1608 0

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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱(chēng)作分頁(yè)內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
      • 馬云
        馬云
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      • OMAPL138
        OMAPL138
        +關(guān)注
        OMAP-L138是美國(guó)德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開(kāi)發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長(zhǎng)電池使用壽命的需求。
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