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本文系統(tǒng)梳理了直寫式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑,涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系統(tǒng)集成等方面,并探討其在精度、效率與成本間的技術(shù)矛盾...
半導(dǎo)體選擇性外延生長技術(shù)的發(fā)展歷史
選擇性外延生長(SEG)是當(dāng)今關(guān)鍵的前端工藝(FEOL)技術(shù)之一,已在CMOS器件制造中使用了20年。英特爾在2003年的90納米節(jié)點(diǎn)平面CMOS中首次...
芯片內(nèi)互聯(lián)鍵合與超聲波壓焊技術(shù)解析
裝片工序完成后,芯片雖已穩(wěn)固于載體(基板或框架)之上,但其表面預(yù)設(shè)的焊盤尚未與封裝體構(gòu)建電氣連接,因而需通過內(nèi)互聯(lián)工藝實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。
為了提高高密度互連印制電路板的導(dǎo)電導(dǎo)熱性和可靠性,實(shí)現(xiàn)通孔與盲孔同時(shí)填孔電鍍的目的,以某公司已有的電鍍填盲孔工藝為參考,適當(dāng)調(diào)整填盲孔電鍍液各組分濃度,...
SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環(huán)境下,SiC并無熔點(diǎn),一旦溫度攀升至2000℃以上,便會直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預(yù)測,只有在壓強(qiáng)高達(dá)1...
裝片(Die Bond)作為半導(dǎo)體封裝關(guān)鍵工序,指通過導(dǎo)電或絕緣連接方式,將裸芯片精準(zhǔn)固定至基板或引線框架載體的工藝過程。該工序兼具機(jī)械固定與電氣互聯(lián)雙...
Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車工藝上實(shí)現(xiàn)流片成功
我們很高興能在此宣布,Cadence 基于 UCIe 標(biāo)準(zhǔn)封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實(shí)現(xiàn)首次流片成功。這一...
概倫電子集成電路工藝與設(shè)計(jì)驗(yàn)證評估平臺ME-Pro介紹
ME-Pro是概倫電子自主研發(fā)的用于聯(lián)動集成電路工藝與設(shè)計(jì)的創(chuàng)新性驗(yàn)證評估平臺,為集成電路設(shè)計(jì)、CAD、工藝開發(fā)、SPICE模型和PDK專業(yè)從業(yè)人員提供...
半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電性,半導(dǎo)體通過參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動。通過基于晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝,我們可以構(gòu)建出各種元件,如...
LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對材...
本文深入解析了焊盤起皮的成因、機(jī)制及其與工藝參數(shù)之間的關(guān)系,結(jié)合微觀形貌圖和仿真分析,系統(tǒng)探討了劈刀狀態(tài)、超聲參數(shù)、滑移行為等關(guān)鍵因素的影響,并提出了優(yōu)...
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