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LMG1025-Q1 具有 5V UVLO 的汽車類 7A/5A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
LMG1025-Q1 是一款單通道低側(cè)增強(qiáng)型 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,適用于高開關(guān)頻率汽車應(yīng)用。窄脈沖寬度能力、快速開關(guān)規(guī)格和...
2025-05-17 標(biāo)簽:二極管MOSFET驅(qū)動(dòng)器 372 0
UCC21540-Q1 汽車5.7kVRMS,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4 A...
UCC21540A-Q1 汽車5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有5V UVLO和3.3mm通道間距數(shù)據(jù)手冊
UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4 A...
UCC27444-Q1 具有 -5V 輸入能力的汽車類 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
UCC27444-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為...
2025-05-16 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)電源開關(guān) 207 0
UCC27332-Q1 具有 20V VDD 和使能功能的汽車類 9A/9A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
UCC27332-Q1 是一款單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27332-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度...
2025-05-16 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)電源開關(guān) 197 0
UCC27444 具有-5V輸入能力的 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
UCC27444 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為 4 ...
2025-05-15 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)GaN 261 0
GaN器件采用二維電子氣結(jié)構(gòu),能夠提供更高的電子遷移率和導(dǎo)電性能,因此適用于高頻應(yīng)用,可以實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源ic U...
TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...
2025-05-15 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管GaN 223 0
本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。...
UCC21231 具有 4A 拉電流和 6A 灌電流的高速雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
UCC21231 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。UCC21231 采用 ...
48V高效降壓電源方案:英諾賽科推出2kW四相交錯(cuò)設(shè)計(jì)
英諾賽科針對48V架構(gòu)開發(fā)了兩款行業(yè)領(lǐng)先的降壓電源方案(四相2kW交錯(cuò)降壓電源方案),為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。 英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方...
使用基于GaN的OBC應(yīng)對電動(dòng)汽車EMI傳導(dǎo)發(fā)射挑戰(zhàn)
本期,為大家?guī)淼氖恰妒褂没?GaN 的 OBC 應(yīng)對電動(dòng)汽車 EMI 傳導(dǎo)發(fā)射挑戰(zhàn)》,將深入回顧 CISPR 32 對 OBC 的 EMI 要求,同...
2025-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車濾波器emi 2309 0
芯片?恒功率控制,意味著無論負(fù)載變化如何,系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率,確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測到系統(tǒng)溫度過高時(shí),主動(dòng)降功率功能會(huì)啟動(dòng)...
恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護(hù)等特性,適用于一些功率要求嚴(yán)格的應(yīng)用場景,如充電器、LED驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓...
如何最大限度地?cái)U(kuò)大基于氮化鎵 (GaN) 功率放大器的雷達(dá)系統(tǒng)的探測距離
雷達(dá)已成為軍事監(jiān)視、空中交通管制、太空任務(wù)和汽車安全等無數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域不可或缺的設(shè)備。對于設(shè)計(jì)人員來說,最具挑戰(zhàn)性的情況是遠(yuǎn)程雷達(dá),因?yàn)樵谶@種情況下,返回信...
EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn),為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值,可以選...
合成金剛石在半導(dǎo)體與量子領(lǐng)域的突破性應(yīng)用
合成金剛石因其在多種應(yīng)用中提供極致性能的卓越能力,被譽(yù)為"超級(jí)材料"。其獨(dú)特屬性可深刻改變工藝流程和終端產(chǎn)品性能,適用于半導(dǎo)體、傳感...
氮化鎵(GaN)無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) 提升效率、減小尺寸和降低成本方面
本文圍繞氮化鎵(GaN)功率IC在無刷直流(BLDC)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的優(yōu)勢展開研究,通過設(shè)計(jì)實(shí)例和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),論證了其在提升效率、減小尺寸和降低成本方面的...
2025-04-24 標(biāo)簽:氮化鎵GaN無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)
用于CRPS應(yīng)用的采用氮化鎵功率集成電路的帶平面矩陣變壓器的高頻高效LLC模塊
隨著云計(jì)算和人工智能的快速發(fā)展,數(shù)據(jù)中心對電源的需求不斷增加,對其功率密度和效率也提出了更高要求。在數(shù)據(jù)中心中, Common Redundant Po...
基于GaN交錯(cuò)式臨界導(dǎo)通模式圖騰柱功率因數(shù)校正的新型數(shù)字控制策略
論文《A Novel Digital Control Strategy for GaN-based Interleaving CrM Totem-pol...
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