遠(yuǎn)程無(wú)線充電技術(shù)與抗衰老量子電池新進(jìn)展
不同于傳統(tǒng)電池的電化學(xué)反應(yīng)，量子電池通過(guò)微觀系統(tǒng)的量子能級(jí)存儲(chǔ)能量，是一種綠色、安全、無(wú)污染的可持續(xù)....
半導(dǎo)體研究所在量子點(diǎn)異質(zhì)外延技術(shù)上取得重大突破
? 半導(dǎo)體量子點(diǎn)（Quantum Dot，QD）以其顯著的量子限制效應(yīng)和可調(diào)的能級(jí)結(jié)構(gòu)，成為構(gòu)筑新一....
碳/碳復(fù)合材料的優(yōu)點(diǎn)有哪些
碳/碳復(fù)合材料是由碳纖維及其織物增強(qiáng)碳基體所形成的高性能復(fù)合材料。該材料具有比重輕、熱膨脹系數(shù)低、耐....
去除晶圓表面顆粒的原因及方法
本文簡(jiǎn)單介去除晶圓表面顆粒的原因及方法。
在12寸（300毫米）晶圓廠中，清洗是一個(gè)至關(guān)重....
磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對(duì)薄膜有什么影響
? ? ? 本文介紹了磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對(duì)薄膜的影響。 磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對(duì)薄膜的性能有著決定性....
3D-NAND浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)解析
傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴(kuò)展性已達(dá)到極限。為了解決這一問(wèn)題，3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，通過(guò)在....
芯片封裝設(shè)計(jì)引腳寬度和框架引腳的設(shè)計(jì)介紹
芯片的封裝設(shè)計(jì)中，引腳寬度的設(shè)計(jì)和框架引腳的整形設(shè)計(jì)是兩個(gè)關(guān)鍵的方面，它們直接影響到元件的鍵合質(zhì)量和....
晶圓封裝過(guò)程缺陷解析
在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓測(cè)試是確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。與此同時(shí)封裝過(guò)程中的缺陷對(duì)半導(dǎo)體器件的性....
光纖鍍膜的困難與挑戰(zhàn)
光纖作為光波導(dǎo)的主要媒介，目前已經(jīng)在各個(gè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，例如光纖通信傳輸、光纖激光器制造、半導(dǎo)體激光光....
先進(jìn)封裝的重要設(shè)備有哪些
科技在不斷突破與創(chuàng)新，半導(dǎo)體技術(shù)在快速發(fā)展，芯片封裝技術(shù)也從傳統(tǒng)封裝發(fā)展到先進(jìn)封裝，以更好地滿足市場(chǎng)....
硅晶圓的制備流程
本文從硅片制備流程為切入點(diǎn)，以方便了解和選擇合適的硅晶圓，硅晶圓的制備工藝流程比較復(fù)雜，加工工序多而....
BioMEMS的原理、結(jié)構(gòu)及應(yīng)用
BioMEMS，一般指生物微機(jī)電系統(tǒng)，是一種融合微電子技術(shù)與生物醫(yī)學(xué)原理的交叉學(xué)科領(lǐng)域。它涉及微型器....
電子束光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)納米結(jié)構(gòu)特征的精細(xì)控制
電子束光刻技術(shù)使得對(duì)構(gòu)成多種納米技術(shù)基礎(chǔ)的納米結(jié)構(gòu)特征實(shí)現(xiàn)精細(xì)控制成為可能。納米結(jié)構(gòu)制造與測(cè)量的研究....
什么是集成電路？有哪些類型？
集成電路，又稱為IC，按其功能結(jié)構(gòu)的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/模混合集成電路三大....
高效率PA設(shè)計(jì)的雙重挑戰(zhàn)
“效率”在射頻功率放大器（PA）設(shè)計(jì)中占據(jù)舉足輕重的地位。高效率PA設(shè)計(jì)的兩大核心：PA的“Clas....
靜電吸盤的實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)
在刻蝕機(jī)中，如果晶圓不能在托盤上平整放置，則會(huì)造成刻蝕離子的轟擊產(chǎn)生角度，同時(shí)，刻蝕時(shí)晶圓的散熱情況....
工商網(wǎng)監(jiān)