氧化硅薄膜整個半導(dǎo)體制造過程是十分常見且不可或缺的，那么它具體有什么用途呢？

單晶硅的少子壽命是指非平衡少數(shù)載流子（電子或空穴）在半導(dǎo)體材料中從產(chǎn)生到消失（即通過復(fù)合過程失去）的....

SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中，裝載載晶圓進(jìn)行高溫處理的耐高溫配件。

本文介紹了離子注入機(jī)的相關(guān)原理。 離子注入機(jī)的原理是什么？

異質(zhì)外延是一種先進(jìn)的晶體生長技術(shù)，它指的是在一個特定的襯底材料上生長出與襯底材料具有不同晶體結(jié)構(gòu)或化....

上圖是TSV工藝的一般流程。TSV，全名Through-Silicon Via，又叫硅通孔工藝。

定義為連續(xù)50次測量的1σ方差，且未移動樣品接頭。

硬度作為評價材料力學(xué)性能的重要指標(biāo)，其測量和應(yīng)用對于材料科學(xué)和工程領(lǐng)域具有重要意義。

近年IGBT這個專業(yè)名詞非常的熱。電子、半導(dǎo)體、汽車、能源、電力、控制系統(tǒng)等行業(yè)，好像都涉及到了這個....

刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝....

摻銻和摻磷硅單晶是兩種不同的半導(dǎo)體材料，它們的物理特性受到摻雜劑類型的影響。

通過超導(dǎo)線環(huán)的電流基本上可以在沒有任何電源的情況下永遠(yuǎn)流動，因為它永遠(yuǎn)不會損失任何能量。現(xiàn)在，由于閉....

本文介紹了硅摻雜其他元素的目的、分凝現(xiàn)象、電阻率與摻雜濃度之間的關(guān)系、共摻雜技術(shù)等知識，解釋了單晶硅....

固體激光器的工作物質(zhì)有紅寶石、釹玻璃、釔鋁石榴石（YAG）等，是在作為基質(zhì)的材料的晶體或玻璃中均勻的....

晶向：位錯腐蝕坑的形狀主要呈三角形腐蝕坑

所謂波動是指振動在空間的傳播形式。波場中每點的物理狀態(tài)隨時間作周期性的變化，而在每瞬時，場中各點物理....

分凝吸雜由雜質(zhì)的溶解度梯度或硅片不同區(qū)域?qū)﹄s質(zhì)的溶解能力不同產(chǎn)生。與釋放機(jī)制不同，分凝吸雜，吸雜區(qū)一....

在3D NAND的制造過程中，一般會有3個工序會用到干法蝕刻，即：臺階蝕刻，channel蝕刻以及接....

在紫外光照射下，三芳基碘鹽光敏劑被激活，釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單....

拉曼光譜是一種功能強(qiáng)大且用途廣泛的分析技術(shù)，用于研究分子和材料樣品。該技術(shù)基于光的非彈性散射，也稱為....

在整個半導(dǎo)體制造過程中，微粒污染、靜電放電損壞以及與此相關(guān)聯(lián)的設(shè)備停機(jī)，是靜電帶來的三大問題。

根據(jù)晶體凝固生長與位錯形成、運(yùn)動與增殖的理論，多晶硅錠中位錯存在兩種來源：原生和增殖。

隨著芯片特征尺寸的不斷減小，傳統(tǒng)的平面MOSFET由于短溝道效應(yīng)的限制，難以繼續(xù)按摩爾定律縮小尺寸。

無定形碳膜（Amorphous Carbon Film），即非晶碳膜，指的是一種由碳原子構(gòu)成但沒有長....

我們知道含F(xiàn)的XeF2和SF6都被當(dāng)做腐蝕硅的氣體，XeF2常被作為各向同性腐蝕硅的氣體，而SF6常....

光鑷optical tweezers利用光來操縱小到單個原子的微觀物體。來自聚焦激光束的輻射壓力能夠....

電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛，是汽車動力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。

文本介紹了用光子連接懸浮在真空中的納米粒子，并控制它們之間的相互作用的實驗。這展示了一種在宏觀尺度上....

與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。....

干涉圖是光學(xué)實驗中常見的現(xiàn)象，它反映了光波相互疊加形成的干涉條紋，展現(xiàn)了光的波動性質(zhì)。