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中科院半導(dǎo)體所

文章:1350 被閱讀:395.3w 粉絲數(shù):254 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):41

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單層半導(dǎo)體中的新磁性:交換能量的關(guān)鍵作用

本文深入探討了交換能量的復(fù)雜性,它在鐵磁性中的作用,以及在單層半導(dǎo)體中測(cè)量它的開創(chuàng)性方法。 想象一種....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-16 16:52 ?500次閱讀

晶圓料號(hào)打標(biāo)的方式及激光打標(biāo)的原理

本文介紹了晶圓料號(hào)打標(biāo)的方式以及激光打標(biāo)的原理。 ? 晶圓為什么要打標(biāo)? 晶圓在制造過程中有數(shù)百道工....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-16 16:48 ?1034次閱讀
晶圓料號(hào)打標(biāo)的方式及激光打標(biāo)的原理

CIM系統(tǒng)的定義、組成和對(duì)于FAB廠的重要性

? 本文介紹了CIM(Computer Integrated Manufacturing)系統(tǒng)的定義....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-16 16:30 ?3586次閱讀

晶圓制造recipe(工藝配方)的定義、重要性、種類及構(gòu)建和驗(yàn)證方式

本文介紹了在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,recipe(工藝配方)的定義、重要性、種類,以及構(gòu)建和驗(yàn)證方式,并介紹....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-10 17:11 ?2329次閱讀

銅互連雙大馬士革工藝的步驟

本文介紹了銅互連雙大馬士革工藝的步驟。 ? 如上圖,是雙大馬士革工藝的一種流程圖。雙大馬士革所用的介....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-10 11:28 ?2767次閱讀
銅互連雙大馬士革工藝的步驟

一文看懂SOI的重要性

絕緣體上硅(SOI)技術(shù)的基本思想是通過將承載電子器件的晶片表面的薄層與用作機(jī)械支撐的塊晶片電絕緣來....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-10 10:12 ?1684次閱讀
一文看懂SOI的重要性

為什么硅的硬度大但又這么脆

硅原子之間的共價(jià)鍵使硅晶體表現(xiàn)出較高的硬度,同時(shí)具有脆性的特點(diǎn)。 ? 硅屬于原子晶體,其原子之間通過....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-10 09:53 ?1275次閱讀
為什么硅的硬度大但又這么脆

融合計(jì)算是如何提出來的

融合計(jì)算是微觀和宏觀視角算力提升策略的總結(jié),是三個(gè)維度融合(異構(gòu)融合x軟硬件融合x云邊端融合)的統(tǒng)稱....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-10 09:51 ?542次閱讀
融合計(jì)算是如何提出來的

酒精檢測(cè)儀是如何識(shí)別酒駕的

酒駕是一種極具危險(xiǎn)性和社會(huì)危害性的行為。酒精對(duì)人體的影響較為復(fù)雜,且在駕駛過程中會(huì)嚴(yán)重影響駕駛者的反....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-10 09:47 ?944次閱讀
酒精檢測(cè)儀是如何識(shí)別酒駕的

人工智能發(fā)展需要新的芯片技術(shù)

人工智能的繁榮發(fā)展需要新的芯片技術(shù)。 ? 1997年,IBM的“深藍(lán)”超級(jí)計(jì)算機(jī)打敗了國(guó)際象棋世界冠....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-07 09:49 ?995次閱讀
人工智能發(fā)展需要新的芯片技術(shù)

選擇性沉積技術(shù)介紹

選擇性沉積技術(shù)可以分為按需沉積與按需材料工藝兩種形式。 隨著芯片制造技術(shù)的不斷進(jìn)步,制造更小、更快且....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-07 09:45 ?915次閱讀
選擇性沉積技術(shù)介紹

硅拋光片的主要技術(shù)指標(biāo)、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)及硅片加工參數(shù)的測(cè)量方法

本文主要討論硅拋光片的主要技術(shù)指標(biāo)、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)以及硅片主要機(jī)械加工參數(shù)的測(cè)量方法。 硅片機(jī)械加工參數(shù) ....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-07 09:39 ?1380次閱讀
硅拋光片的主要技術(shù)指標(biāo)、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)及硅片加工參數(shù)的測(cè)量方法

鐵磁性的概念、產(chǎn)生機(jī)理、應(yīng)用

本文簡(jiǎn)單介紹鐵磁性的概念、產(chǎn)生機(jī)理、應(yīng)用等內(nèi)容。 鐵磁性是一種最引人入勝且被廣泛研究的磁現(xiàn)象,指某些....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-06 16:36 ?3259次閱讀

多晶氧化物中的晶界和異質(zhì)界面概念、形成機(jī)理以及如何表征

本文介紹了多晶氧化物中的晶界和異質(zhì)界面的概念、形成機(jī)理以及如何表征。 固-固界面是材料科學(xué)領(lǐng)域的核心....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-06 16:31 ?2237次閱讀
多晶氧化物中的晶界和異質(zhì)界面概念、形成機(jī)理以及如何表征

芯片制造過程中的兩種刻蝕方法

本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造過程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕(Etch)是芯片制造過程中相當(dāng)重要的步驟。 刻....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-06 11:13 ?1630次閱讀
芯片制造過程中的兩種刻蝕方法

Monitor Wafer的核心功能、特點(diǎn)、生產(chǎn)流程和應(yīng)用

? 文本簡(jiǎn)單介紹了非生產(chǎn)晶圓Monitor Wafer的核心功能、特點(diǎn)、生產(chǎn)流程和應(yīng)用。 Monit....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-06 10:59 ?1212次閱讀

不同材料間的焊接冶金特性

本文簡(jiǎn)單介紹了不同材料間的焊接冶金特性。 不同材料間的焊接冶金特性是超聲波壓焊技術(shù)中需要重點(diǎn)關(guān)注的問....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-06 10:05 ?675次閱讀
不同材料間的焊接冶金特性

菱形石墨烯結(jié)構(gòu)及其中的量子反?;魻栃?yīng)

本文簡(jiǎn)單介紹了菱形石墨烯莫爾結(jié)構(gòu)以及該材料中的量子反常霍爾效應(yīng)以及未來的應(yīng)用方向。 莫爾材料的出現(xiàn)開....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-06 09:52 ?603次閱讀

光罩(Mask)的系統(tǒng)性講解

? ? ? 本文介紹了什么是光罩(Mask)。 光罩(Mask),也稱為掩膜版,是集成電路(IC)制....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-06 09:33 ?2886次閱讀
光罩(Mask)的系統(tǒng)性講解

半導(dǎo)體所在PZT光電子材料與器件領(lǐng)域取得重大突破

數(shù)據(jù)中心、人工智能和云計(jì)算等技術(shù)的飛速發(fā)展導(dǎo)致全球流量需求激增,對(duì)高速信息網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)建提出了前所未有的....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-05 16:46 ?1102次閱讀
半導(dǎo)體所在PZT光電子材料與器件領(lǐng)域取得重大突破

刻蝕工藝的參數(shù)有哪些

本文介紹了刻蝕工藝參數(shù)有哪些。 刻蝕是芯片制造中一個(gè)至關(guān)重要的步驟,用于在硅片上形成微小的電路結(jié)構(gòu)。....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-05 16:03 ?1851次閱讀
刻蝕工藝的參數(shù)有哪些

第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì),且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-05 09:37 ?1467次閱讀
第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

激光導(dǎo)熱儀設(shè)備原理

本文介紹激光導(dǎo)熱儀 微納電子器件和光電器件向著模塊化、集成化、高頻化及小型化的方向不斷邁進(jìn),使其單位....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-04 14:00 ?889次閱讀
激光導(dǎo)熱儀設(shè)備原理

聲光調(diào)制原理說明

本文介紹聲光調(diào)制 聲光是研究聲音如何改變這種介質(zhì)對(duì)光的影響,如圖所示。許多有用的光子器件利用聲音控制....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-04 13:58 ?1451次閱讀
聲光調(diào)制原理說明

填充片的定義及作用

本文介紹填充片的定義及作用 一、Dummy Wafer 的定義與作用 Dummy Wafer,中文稱....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-04 13:56 ?989次閱讀

從平面晶體管到FinFET的演變

在90納米制程之前,每一代集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮放不僅帶來了更高的器件密度,還提升了器件性能。然而,當(dāng)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-04 11:04 ?1213次閱讀
從平面晶體管到FinFET的演變

模塊封裝的關(guān)鍵工藝

區(qū)別于分立器件模塊的制造有一些特別的關(guān)鍵工藝技術(shù),如銀燒結(jié)、粗銅線鍵合、端子焊接等。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-04 11:01 ?776次閱讀
模塊封裝的關(guān)鍵工藝

多芯片封裝的基本概念和關(guān)鍵技術(shù)

本文簡(jiǎn)單介紹了多芯片封裝的概念、技術(shù)、工藝以及未來發(fā)展趨勢(shì)。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-04 10:59 ?1508次閱讀
多芯片封裝的基本概念和關(guān)鍵技術(shù)

干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法

本文介紹了干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法。 什么是側(cè)壁彎曲? 如上圖,是典型的干法刻蝕時(shí),側(cè)壁彎曲....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-03 11:00 ?985次閱讀
干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法

晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響

本文介紹晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響 表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響主要包括:聚合物沉積,選擇性,光刻膠流....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-03 10:48 ?1254次閱讀
晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響