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中科院半導(dǎo)體所

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真空及真空泵有什么作用

真空技術(shù)是現(xiàn)代科技的核心支柱之一,貫穿于從基礎(chǔ)研究到工業(yè)生產(chǎn)的多個(gè)領(lǐng)域。理解真空的物理特性、掌握真空....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-02 10:45 ?337次閱讀

離子注入的目的及退火過(guò)程

離子注入后退火是半導(dǎo)體器件制造中的一個(gè)關(guān)鍵步驟,它影響著器件的性能和可靠性。 離子注入是將摻雜劑離子....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-02 10:22 ?927次閱讀

一種離子注入技術(shù):暈環(huán)技術(shù)介紹

本文介紹了一種在MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)特征尺寸縮小至深亞微米級(jí)別、短溝道效....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-31 11:49 ?1012次閱讀
一種離子注入技術(shù):暈環(huán)技術(shù)介紹

晶圓邊緣需要鋪滿(mǎn)電路的原因分析

本文簡(jiǎn)單介紹了在晶圓制造過(guò)程中,晶圓邊緣需要鋪滿(mǎn)電路的原因。 晶圓制造工藝是半導(dǎo)體生產(chǎn)中的關(guān)鍵步驟,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-31 11:24 ?552次閱讀
晶圓邊緣需要鋪滿(mǎn)電路的原因分析

后段刻蝕工藝(BEOL ETCH)詳解

后段刻蝕工藝(Back-End of Line ETCH,簡(jiǎn)稱(chēng)BEOL ETCH)作為集成電路制造的....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-31 09:44 ?812次閱讀

芯片封測(cè)架構(gòu)和芯片封測(cè)流程

在此輸入導(dǎo)芯片封測(cè)芯片封測(cè)是一個(gè)復(fù)雜且精細(xì)的過(guò)程,它涉及多個(gè)步驟和環(huán)節(jié),以確保芯片的質(zhì)量和性能。本文....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-31 09:15 ?1059次閱讀
芯片封測(cè)架構(gòu)和芯片封測(cè)流程

光學(xué)中簡(jiǎn)單但重要的光學(xué)路徑與成像系統(tǒng)介紹

? 本文簡(jiǎn)單介紹了光學(xué)一些簡(jiǎn)單但重要的光學(xué)路徑與成像系統(tǒng)。 ? 光在物質(zhì)中傳播得更慢:折射率n=c/....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-30 13:55 ?536次閱讀
光學(xué)中簡(jiǎn)單但重要的光學(xué)路徑與成像系統(tǒng)介紹

晶體生長(zhǎng)相關(guān)內(nèi)容——晶型控制與襯底缺陷

晶體生長(zhǎng)在分析晶體生長(zhǎng)時(shí),我們需要考慮多個(gè)關(guān)鍵因素,這些因素共同影響著晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量和進(jìn)程。本文介紹....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-30 11:40 ?447次閱讀

晶體硅太陽(yáng)電池的基本結(jié)構(gòu)和制備工藝流程

本文簡(jiǎn)單介紹了晶體硅太陽(yáng)電池基本結(jié)構(gòu)和晶體硅太陽(yáng)電池晶體硅材料的制備。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-27 09:30 ?1609次閱讀
晶體硅太陽(yáng)電池的基本結(jié)構(gòu)和制備工藝流程

清洗EUV掩膜版面臨哪些挑戰(zhàn)

本文簡(jiǎn)單介紹了極紫外光(EUV)掩膜版的相關(guān)知識(shí),包括其構(gòu)造與作用、清洗中的挑戰(zhàn)以及相關(guān)解決方案。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-27 09:26 ?464次閱讀

硅的晶體缺陷測(cè)量方法

半導(dǎo)體晶體在生長(zhǎng)和加工過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生多種結(jié)構(gòu)缺陷,這些缺陷對(duì)集成電路(IC)器件的性能和合格率有著重要....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-27 09:24 ?676次閱讀
硅的晶體缺陷測(cè)量方法

多晶硅的存儲(chǔ)條件是什么

在全球積極推動(dòng)清潔能源轉(zhuǎn)型的大背景下,太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,而多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵起始原料,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-27 09:22 ?551次閱讀

邊緣芯片詳解

本文介紹了什么是邊緣芯片(edge die)。 邊緣芯片(edge die)是指位于晶圓邊緣區(qū)域的芯....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-24 11:38 ?585次閱讀

芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試

本文介紹了芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試。 本文將介紹芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試,分述如....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-24 11:25 ?826次閱讀

什么是Beam Splitters分束器

? ? ? 本文介紹了什么是Beam Splitters 分束器。 分束器用于分割光束,通常可以通過(guò)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-24 11:22 ?708次閱讀
什么是Beam Splitters分束器

光纖頭的各種加工方法

? 本文介紹光纖頭的各種加工方法 1. 拋光 當(dāng)使用光纖時(shí),有必要對(duì)其端面進(jìn)行光學(xué)拋光,以便光能夠有....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-24 09:50 ?450次閱讀
光纖頭的各種加工方法

硅鍺材料、硅退火片和絕緣體上硅(SOI)的介紹

本文介紹硅鍺材料、硅退火片和絕緣體上硅(SOI) 硅鍺(SiGe/Si)材料 硅鍺(SiGe/Si)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-24 09:44 ?1346次閱讀
硅鍺材料、硅退火片和絕緣體上硅(SOI)的介紹

鋁在芯片制造中的作用

????在半導(dǎo)體集成電路(IC)制造過(guò)程中,鋁(Aluminum)是廣泛使用的一種金屬材料,特別是在....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-20 14:21 ?841次閱讀

SiGe外延工藝及其在外延生長(zhǎng)、應(yīng)變硅應(yīng)用及GAA結(jié)構(gòu)中的作用

本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長(zhǎng)、應(yīng)變硅應(yīng)用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)中,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-20 14:17 ?2499次閱讀
SiGe外延工藝及其在外延生長(zhǎng)、應(yīng)變硅應(yīng)用及GAA結(jié)構(gòu)中的作用

ALE的刻蝕原理?

????? ALE,英文名Atomic Layer Etching,中文名原子層刻蝕。是和ALD相對(duì)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-20 14:15 ?659次閱讀
ALE的刻蝕原理?

精密玻璃成型和精密模壓光學(xué)

? ? 本文主要介紹精密玻璃成型和精密模壓光學(xué)。 高端手機(jī)的鏡頭除了有塑料鏡片外,也加入玻璃鏡片。手....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-20 10:24 ?443次閱讀
精密玻璃成型和精密模壓光學(xué)

自蔓延法合成碳化硅的關(guān)鍵控制點(diǎn)

本文主要介紹??????自蔓延法合成碳化硅的關(guān)鍵控制點(diǎn)。?? ???? 合成溫度:調(diào)控晶型、純度與粒....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-20 10:20 ?511次閱讀

聚焦離子束(FIB)加工硅材料的損傷機(jī)理及控制

???? 聚焦離子束(FIB)在材料表征方面有著廣泛的應(yīng)用,包括透射電鏡(TEM)樣品的制備。在這方....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-19 10:06 ?839次閱讀
聚焦離子束(FIB)加工硅材料的損傷機(jī)理及控制

CH201距離傳感器拆解與分析

CH201是一款微型、超低功率、遠(yuǎn)程超聲飛行時(shí)間(TOF)距離傳感器。CH201基于Chirps專(zhuān)利....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-19 10:01 ?667次閱讀
CH201距離傳感器拆解與分析

描述晶圓薄膜厚度的單位:埃介紹

???? 埃(?)作為一個(gè)長(zhǎng)度單位,在集成電路制造中無(wú)處不在。從材料厚度的精確控制到器件尺寸的微縮優(yōu)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-19 09:18 ?1094次閱讀

射頻電源的功率與頻率對(duì)刻蝕結(jié)果的影響

? 本文介紹了射頻電源的功率與頻率對(duì)刻蝕結(jié)果的影響。 干法刻蝕中,射頻電源的功率與頻率對(duì)刻蝕結(jié)果都有....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-18 11:52 ?1285次閱讀

共封裝光學(xué)器件的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)

本文簡(jiǎn)單介紹了共封裝光學(xué)器件的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)。 ? 1、Device fabrication/設(shè)備制造。....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-18 11:21 ?994次閱讀
共封裝光學(xué)器件的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)

從片上系統(tǒng)(SoC)到立方體集成電路(CIC)

芯片的設(shè)計(jì)概念從SoC到SoIC再到CIC,本文介紹了這三者的區(qū)別。 ? SoC(System on....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-18 11:03 ?698次閱讀
從片上系統(tǒng)(SoC)到立方體集成電路(CIC)

光纖端面3D干涉儀的單色光移相干涉測(cè)量法

簡(jiǎn)單介紹光纖端面3D干涉儀的單色光移相干涉測(cè)量法。 現(xiàn)在一般光纖端面3D干涉儀操作界面上,都有白光和....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-18 09:23 ?649次閱讀
光纖端面3D干涉儀的單色光移相干涉測(cè)量法

FIB機(jī)臺(tái)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

簡(jiǎn)單介紹FIB機(jī)臺(tái)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。?? 首先,讓我們看一下FIB機(jī)臺(tái)的外觀圖 接下來(lái),我們將FIB從中線....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-18 09:20 ?601次閱讀
FIB機(jī)臺(tái)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)