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中科院半導(dǎo)體所

文章:1350 被閱讀:393.9w 粉絲數(shù):254 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):41

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芯片內(nèi)互聯(lián)鍵合與超聲波壓焊技術(shù)解析

裝片工序完成后,芯片雖已穩(wěn)固于載體(基板或框架)之上,但其表面預(yù)設(shè)的焊盤(pán)尚未與封裝體構(gòu)建電氣連接,因....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-23 09:16 ?484次閱讀
芯片內(nèi)互聯(lián)鍵合與超聲波壓焊技術(shù)解析

TPU處理器的特性和工作原理

張量處理單元(TPU,Tensor Processing Unit)是一種專(zhuān)門(mén)為深度學(xué)習(xí)應(yīng)用設(shè)計(jì)的硬....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-22 09:41 ?1473次閱讀
TPU處理器的特性和工作原理

倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)過(guò)程

本文介紹了倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)過(guò)程以及詳細(xì)工藝等。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-22 09:38 ?1066次閱讀
倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)過(guò)程

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高壓CMOS技術(shù)

文介紹了高壓CMOS技術(shù)與基礎(chǔ)CMOS技術(shù)的區(qū)別與其應(yīng)用場(chǎng)景。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-22 09:35 ?632次閱讀
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高壓CMOS技術(shù)

激光劃片的技術(shù)原理與核心優(yōu)勢(shì)

激光劃片作為新興材料加工技術(shù),近年來(lái)憑借非接觸式加工特性實(shí)現(xiàn)快速發(fā)展。其工作機(jī)制是將高峰值功率激光束....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-19 15:50 ?403次閱讀

芯片制造中的抗反射涂層介紹

本文介紹了用抗反射涂層來(lái)保證光刻精度的原理。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-19 15:49 ?772次閱讀
芯片制造中的抗反射涂層介紹

TSSG法生長(zhǎng)SiC單晶的原理

SiC的物理特性決定了其生長(zhǎng)難度。在常壓環(huán)境下,SiC并無(wú)熔點(diǎn),一旦溫度攀升至2000℃以上,便會(huì)直....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-18 11:28 ?424次閱讀
TSSG法生長(zhǎng)SiC單晶的原理

半導(dǎo)體封裝中的裝片工藝介紹

裝片(Die Bond)作為半導(dǎo)體封裝關(guān)鍵工序,指通過(guò)導(dǎo)電或絕緣連接方式,將裸芯片精準(zhǔn)固定至基板或引....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-18 11:25 ?970次閱讀
半導(dǎo)體封裝中的裝片工藝介紹

CPU的各種指令和執(zhí)行流程

在集成電路設(shè)計(jì)中,CPU的指令是指計(jì)算機(jī)中央處理單元(CPU)用來(lái)執(zhí)行計(jì)算任務(wù)的基本操作指令集。這些....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-18 11:24 ?839次閱讀

芯片封裝中銀燒結(jié)工藝詳解

本主要講解了芯片封裝中銀燒結(jié)工藝的原理、優(yōu)勢(shì)、工程化應(yīng)用以及未來(lái)展望。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-17 10:09 ?881次閱讀
芯片封裝中銀燒結(jié)工藝詳解

在晶圓襯底上生長(zhǎng)外延層的必要性

本文從多個(gè)角度分析了在晶圓襯底上生長(zhǎng)外延層的必要性。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-17 10:06 ?277次閱讀

半導(dǎo)體晶圓制造流程介紹

本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-15 17:14 ?701次閱讀
半導(dǎo)體晶圓制造流程介紹

芯片制造中的應(yīng)變硅技術(shù)介紹

本文介紹了在芯片制造中的應(yīng)變硅技術(shù)的原理、材料選擇和核心方法。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-15 15:21 ?838次閱讀
芯片制造中的應(yīng)變硅技術(shù)介紹

多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來(lái)源

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來(lái)源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-15 10:27 ?479次閱讀
多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來(lái)源

兩種激光模式介紹

激光束的輸出實(shí)際上由在寬頻率范圍內(nèi)的許多不同頻率的緊密間隔的光譜線(xiàn)組成。離散光譜分量稱(chēng)為激光模式la....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-15 10:18 ?483次閱讀
兩種激光模式介紹

半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中的密封工藝介紹

從某種層面來(lái)說(shuō),氣密封裝存在理論與現(xiàn)實(shí)的矛盾,正如中國(guó)古話(huà)“沒(méi)有不透風(fēng)的墻”所描述的那樣,絕對(duì)密封難....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-15 10:15 ?497次閱讀
半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中的密封工藝介紹

芯片制造中的半導(dǎo)體材料介紹

半導(dǎo)體元素是芯片制造的主要材料,芯片運(yùn)算主要是用二進(jìn)制進(jìn)行運(yùn)算。所以在電流來(lái)代表二進(jìn)制的0和1,即0....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-15 09:32 ?500次閱讀
芯片制造中的半導(dǎo)體材料介紹

FinFET技術(shù)在晶圓制造中的優(yōu)勢(shì)

本文通過(guò)介紹傳統(tǒng)平面晶體管的局限性,從而引入FinFET技術(shù)的原理、工藝和優(yōu)勢(shì)。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-14 17:23 ?505次閱讀
FinFET技術(shù)在晶圓制造中的優(yōu)勢(shì)

SAW濾波器和BAW濾波器的區(qū)別

SAW(聲表面波)和BAW(體聲波)是兩種常用于射頻濾波器中的技術(shù),它們?cè)陬l率響應(yīng)、損耗、適用頻段等....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-14 15:56 ?630次閱讀
SAW濾波器和BAW濾波器的區(qū)別

可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)概述

深入理解設(shè)計(jì)規(guī)則,設(shè)計(jì)者可在可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)優(yōu)化中兼顧性能、成本與質(zhì)量,推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-11 14:59 ?505次閱讀
可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)概述

芯片制造中的互連工藝介紹

半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電性,半導(dǎo)體通過(guò)參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動(dòng)。通過(guò)基于晶....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-11 14:56 ?478次閱讀
芯片制造中的互連工藝介紹

芯片制造中的二氧化硅介紹

二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見(jiàn)沉積方法與應(yīng)用場(chǎng)景,解析SiO?在柵極氧化....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-10 14:36 ?1169次閱讀
芯片制造中的二氧化硅介紹

引線(xiàn)鍵合里常見(jiàn)的金鋁鍵合問(wèn)題

金鋁效應(yīng)是集成電路封裝中常見(jiàn)的失效問(wèn)題,嚴(yán)重影響器件的可靠性。本文系統(tǒng)解析其成因、表現(xiàn)與演化機(jī)制,并....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-10 14:30 ?802次閱讀
引線(xiàn)鍵合里常見(jiàn)的金鋁鍵合問(wèn)題

LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)

本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開(kāi)介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-09 16:19 ?786次閱讀
LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)

芯片焊盤(pán)起皮的成因解析

本文深入解析了焊盤(pán)起皮的成因、機(jī)制及其與工藝參數(shù)之間的關(guān)系,結(jié)合微觀形貌圖和仿真分析,系統(tǒng)探討了劈刀....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-09 16:15 ?556次閱讀
芯片焊盤(pán)起皮的成因解析

激光粉末涂層固化的優(yōu)勢(shì)和工作原理

激光固化技術(shù)采用紅外激光器,首先使靜電噴涂在零件表面的粉末涂料顆粒快速凝膠化,隨后完成最終固化。熔化....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-09 10:41 ?388次閱讀

粘片工藝介紹及選型指南

粘片作為芯片與管殼間實(shí)現(xiàn)連接和固定的關(guān)鍵工序,達(dá)成了封裝對(duì)于芯片的固定功能,以及芯片背面電連接功能。....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-09 10:37 ?665次閱讀
粘片工藝介紹及選型指南

鉛酸電池面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)

當(dāng)加斯頓·普朗特在160多年前發(fā)明鉛酸電池時(shí),他可能未曾預(yù)料到這一發(fā)明將催生一個(gè)價(jià)值數(shù)十億美元的產(chǎn)業(yè)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-08 16:08 ?461次閱讀
鉛酸電池面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)

如何制定芯片封裝方案

封裝方案制定是集成電路(IC)封裝設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),涉及從芯片設(shè)計(jì)需求出發(fā),制定出滿(mǎn)足功能、電氣性能....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-08 16:05 ?329次閱讀

功率放大器損壞的原因及其保護(hù)手段

PA(Power Amplifier,功率放大器)通信系統(tǒng)的重要組成模塊,負(fù)責(zé)將射頻信號(hào)的放大與功率....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-08 16:00 ?1454次閱讀
功率放大器損壞的原因及其保護(hù)手段