金鋁效應(yīng)是集成電路封裝中常見的失效問(wèn)題，嚴(yán)重影響器件的可靠性。本文系統(tǒng)解析其成因、表現(xiàn)與演化機(jī)制，并....

本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹，重點(diǎn)解析LPCVD方....

本文深入解析了焊盤起皮的成因、機(jī)制及其與工藝參數(shù)之間的關(guān)系，結(jié)合微觀形貌圖和仿真分析，系統(tǒng)探討了劈刀....

激光固化技術(shù)采用紅外激光器，首先使靜電噴涂在零件表面的粉末涂料顆?？焖倌z化，隨后完成最終固化。熔化....

粘片作為芯片與管殼間實(shí)現(xiàn)連接和固定的關(guān)鍵工序，達(dá)成了封裝對(duì)于芯片的固定功能，以及芯片背面電連接功能。....

當(dāng)加斯頓·普朗特在160多年前發(fā)明鉛酸電池時(shí)，他可能未曾預(yù)料到這一發(fā)明將催生一個(gè)價(jià)值數(shù)十億美元的產(chǎn)業(yè)....

封裝方案制定是集成電路（IC）封裝設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，涉及從芯片設(shè)計(jì)需求出發(fā)，制定出滿足功能、電氣性能....

PA（Power Amplifier，功率放大器）通信系統(tǒng)的重要組成模塊，負(fù)責(zé)將射頻信號(hào)的放大與功率....

本文介紹了High-K材料的物理性質(zhì)、制備方法及其應(yīng)用。

經(jīng)過(guò)封裝與測(cè)試的芯片，理論上已具備使用條件。然而在現(xiàn)實(shí)生活里，一個(gè)集成電路產(chǎn)品通常需要眾多芯片共同組....

多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡(jiǎn)稱Poly）是由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶....

3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì)，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。

本文介紹了MOS集成電路中的等比例縮小規(guī)則和超大規(guī)模集成電路的可靠性問(wèn)題。

在集成電路設(shè)計(jì)中，版圖（Layout）是芯片設(shè)計(jì)的核心之一，通常是指芯片電路的物理實(shí)現(xiàn)圖。它描述了電....

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。

本文介紹了集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域中混合信號(hào)設(shè)計(jì)的概念、挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢(shì)。

本文通過(guò)分析器件制造中的影響因素，提出了版圖設(shè)計(jì)技術(shù)與匹配原則及其應(yīng)用。

本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝，以及先進(jìn)柵極工藝技術(shù)。

Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片....

光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)....

半導(dǎo)體集成電路失效機(jī)理中除了與封裝有關(guān)的失效機(jī)理以外，還有與應(yīng)用有關(guān)的失效機(jī)理。

在材料納米力學(xué)性能測(cè)試的眾多方法中，納米壓痕技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)脫穎而出，成為當(dāng)前的主流測(cè)試手段。

Bi-CMOS工藝將雙極型器件（Bipolar）與CMOS工藝結(jié)合，旨在融合兩者的優(yōu)勢(shì)。CMOS具有....

化學(xué)元素鋰于1817年由Johan August Arfwedson通過(guò)分析礦物鋰長(zhǎng)石（LiAlSi....

本文主要介紹CMOS集成電路基本制造工藝，特別聚焦于0.18μm工藝節(jié)點(diǎn)及其前后的變化，分述如下：前....

封裝設(shè)計(jì)圖紙是集成電路封裝過(guò)程中用于傳達(dá)封裝結(jié)構(gòu)、尺寸、布局、焊盤、走線等信息的重要文件。它是封裝設(shè)....

無(wú)線通信系統(tǒng)從 1980 年代的第一代發(fā)展到最近的第五代 （5G），一直是推動(dòng)這項(xiàng)技術(shù)在通信和我們?nèi)?...

薄膜外延生長(zhǎng)是一種關(guān)鍵的材料制備方法，其廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域。

本文介紹了N型單晶硅制備過(guò)程中拉晶工藝對(duì)氧含量的影響。

本文介紹了晶圓清洗的污染源來(lái)源、清洗技術(shù)和優(yōu)化。