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中科院半導(dǎo)體所

文章:1350 被閱讀:393.9w 粉絲數(shù):254 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):41

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什么是晶圓貼膜

貼膜是指將一片經(jīng)過(guò)減薄處理的晶圓(Wafer)固定在一層特殊的膠膜上,這層膜通常為藍(lán)色,業(yè)內(nèi)常稱為“....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 06-03 18:20 ?352次閱讀
什么是晶圓貼膜

什么是超臨界CO?清洗技術(shù)

在芯片制程進(jìn)入納米時(shí)代后,一個(gè)看似矛盾的難題浮出水面:如何在不損傷脆弱納米結(jié)構(gòu)的前提下,徹底清除深孔....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 06-03 10:46 ?551次閱讀
什么是超臨界CO?清洗技術(shù)

晶圓減薄工藝分為哪幾步

“減薄”,也叫 Back Grinding(BG),是將晶圓(Wafer)背面研磨至目標(biāo)厚度的工藝步....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-30 10:38 ?636次閱讀

一文詳解干法刻蝕工藝

干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊,通過(guò)等離子體與材料表面的相互作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕,其技術(shù)特性與....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-28 17:01 ?1121次閱讀
一文詳解干法刻蝕工藝

自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案化技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與步驟

在芯片制造中,光刻技術(shù)在硅片上刻出納米級(jí)的電路圖案。然而,當(dāng)制程進(jìn)入7納米以下,傳統(tǒng)光刻的分辨率已逼....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-28 16:45 ?330次閱讀
自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案化技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與步驟

一文詳解濕法刻蝕工藝

濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級(jí)技術(shù),其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-28 16:42 ?804次閱讀
一文詳解濕法刻蝕工藝

化合物半導(dǎo)體器件的定義和制造工藝

化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過(guò)共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ),展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-28 14:37 ?675次閱讀
化合物半導(dǎo)體器件的定義和制造工藝

氧化層制備在芯片制造中的重要作用

本文簡(jiǎn)單介紹了氧化層制備在芯片制造中的重要作用。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-27 09:58 ?567次閱讀
氧化層制備在芯片制造中的重要作用

薄膜晶體管技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線

導(dǎo)語(yǔ)薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)元件,通過(guò)材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-27 09:51 ?742次閱讀
薄膜晶體管技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線

CMOS第一層互聯(lián)的結(jié)構(gòu)與作用

芯片中的晶體管(如NMOS和PMOS)需要通過(guò)金屬線連接才能形成完整電路。 第一層互聯(lián) (通常稱為M....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-24 15:22 ?827次閱讀
CMOS第一層互聯(lián)的結(jié)構(gòu)與作用

氮氧化鎵材料的基本性質(zhì)和制備方法

氮氧化鎵(Gallium Oxynitride,GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-23 16:33 ?686次閱讀
氮氧化鎵材料的基本性質(zhì)和制備方法

玻璃通孔技術(shù)的五個(gè)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

TGV(Through Glass Via)工藝之所以選擇在玻璃上打孔,主要是因?yàn)椴Aг谝韵挛鍌€(gè)方面....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-23 16:32 ?355次閱讀
玻璃通孔技術(shù)的五個(gè)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

CMOS工藝流程簡(jiǎn)介

互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)是現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)的核心,它利用了N型和P型MOSFET(金屬氧....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-23 16:30 ?750次閱讀

低功耗熱發(fā)射極晶體管的工作原理與制備方法

集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展,現(xiàn)代集成電路的集成度....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-22 16:06 ?377次閱讀
低功耗熱發(fā)射極晶體管的工作原理與制備方法

一文詳解快速熱處理技術(shù)

在納米尺度集成電路制造領(lǐng)域,快速熱處理(RTP)技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)器件性能突破與工藝優(yōu)化的核心工具。相較....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-22 16:04 ?656次閱讀
一文詳解快速熱處理技術(shù)

超聲波T-SAM與C-SAM模式的區(qū)別

本文介紹了超聲波的T-SAM與C-SAM兩種模式的區(qū)別。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-21 15:26 ?328次閱讀
超聲波T-SAM與C-SAM模式的區(qū)別

定向自組裝光刻技術(shù)的基本原理和實(shí)現(xiàn)方法

定向自組裝光刻技術(shù)通過(guò)材料科學(xué)與自組裝工藝的深度融合,正在重構(gòu)納米制造的工藝組成。主要內(nèi)容包含圖形結(jié)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-21 15:24 ?730次閱讀
定向自組裝光刻技術(shù)的基本原理和實(shí)現(xiàn)方法

芯片制造多重曝光中的套刻精度要求

本文介紹了先進(jìn)集成電路制造多重曝光中的套刻精度要求。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-21 10:55 ?467次閱讀
芯片制造多重曝光中的套刻精度要求

FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

本文介紹了當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA(Gate-All-Around)時(shí)工藝面臨的影響。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-21 10:51 ?1057次閱讀
FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

一文詳解球柵陣列封裝技術(shù)

在集成電路封裝技術(shù)的演進(jìn)歷程中,球柵陣列封裝(Ball Grid Array,BGA)憑借卓越性能與....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-21 10:05 ?945次閱讀
一文詳解球柵陣列封裝技術(shù)

芯片制造中自對(duì)準(zhǔn)接觸技術(shù)介紹

但當(dāng)芯片做到22納米時(shí),工程師遇到了大麻煩——用光刻機(jī)畫(huà)接觸孔時(shí),稍有一點(diǎn)偏差就會(huì)導(dǎo)致芯片報(bào)廢。 自....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-19 11:11 ?367次閱讀
芯片制造中自對(duì)準(zhǔn)接觸技術(shù)介紹

為什么芯片制造常用P型硅

從早期的平面 CMOS 工藝到先進(jìn)的 FinFET,p 型襯底在集成電路設(shè)計(jì)中持續(xù)被廣泛采用。為什么....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-16 14:58 ?328次閱讀
為什么芯片制造常用P型硅

芯片前端設(shè)計(jì)與后端設(shè)計(jì)的區(qū)別

前端設(shè)計(jì)(Front-end Design):聚焦于電路的邏輯功能實(shí)現(xiàn)。本質(zhì)上是在“紙上”設(shè)計(jì)電路,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-16 14:56 ?343次閱讀

詳細(xì)解讀三星的先進(jìn)封裝技術(shù)

集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試三大領(lǐng)域。其中,芯片制造是集成電路產(chǎn)業(yè)門(mén)檻最高的行....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-15 16:50 ?608次閱讀
詳細(xì)解讀三星的先進(jìn)封裝技術(shù)

芯片前端設(shè)計(jì)中常用的軟件和工具

前端設(shè)計(jì)是數(shù)字芯片開(kāi)發(fā)的初步階段,其核心目標(biāo)是從功能規(guī)格出發(fā),最終獲得門(mén)級(jí)網(wǎng)表(Netlist)。這....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-15 16:48 ?408次閱讀

為什么芯片需要低介電常數(shù)材料

在現(xiàn)代芯片中,數(shù)十億晶體管通過(guò)金屬互連線連接成復(fù)雜電路。隨著制程進(jìn)入納米級(jí),一個(gè)看似“隱形”的問(wèn)題逐....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-15 10:31 ?397次閱讀
為什么芯片需要低介電常數(shù)材料

電子顯微鏡中的磁透鏡設(shè)計(jì)

十九世紀(jì)末,科學(xué)家首次觀察到軸對(duì)稱磁場(chǎng)對(duì)陰極射線示波器中電子束產(chǎn)生的聚焦作用,這種效應(yīng)與光學(xué)透鏡對(duì)可....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-15 09:38 ?1204次閱讀
電子顯微鏡中的磁透鏡設(shè)計(jì)

化學(xué)機(jī)械拋光液的基本組成

化學(xué)機(jī)械拋光液是化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝中關(guān)鍵的功能性耗材,其本質(zhì)是一個(gè)多組分的液體復(fù)合體系,在拋....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-14 17:05 ?427次閱讀
化學(xué)機(jī)械拋光液的基本組成

芯片制造中的鎢栓塞與銅互連

在指甲蓋大小的芯片上,數(shù)十億晶體管需要通過(guò)比頭發(fā)絲細(xì)千倍的金屬線連接。隨著制程進(jìn)入納米級(jí),一個(gè)看似微....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-14 17:04 ?285次閱讀
芯片制造中的鎢栓塞與銅互連

宇航級(jí)封裝簡(jiǎn)介

在現(xiàn)代電子工業(yè)領(lǐng)域,依據(jù)使用環(huán)境、性能參數(shù)及可靠性標(biāo)準(zhǔn),電子器件可以被系統(tǒng)劃分為商業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)、汽車(chē)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-14 11:13 ?377次閱讀