第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì)，且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有....
填充片的定義及作用
本文介紹填充片的定義及作用 一、Dummy Wafer 的定義與作用 Dummy Wafer，中文稱....
鍵合絲焊接質(zhì)量控制說(shuō)明
本文重點(diǎn)圍繞焊點(diǎn)機(jī)械性能指標(biāo)的測(cè)試方法和判定標(biāo)準(zhǔn)，介紹了焊點(diǎn)測(cè)試、過(guò)程能力指數(shù)以及焊接不良的分析。 ....
電光效應(yīng)之普克爾效應(yīng)和克爾效應(yīng)
本文介紹了電光效應(yīng)之普克爾效應(yīng)和克爾效應(yīng)。 電光是光子學(xué)的一個(gè)分支，研究光束的調(diào)制、切換、偏轉(zhuǎn)、掃描....
干法刻蝕工藝的不同參數(shù)
? ? ? 本文介紹了干法刻蝕工藝的不同參數(shù)。 干法刻蝕中可以調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)有哪些？各有什么作用？ ....
晶圓制造生產(chǎn)周期時(shí)間的概念及意義
本文介紹生產(chǎn)周期時(shí)間的概念以及其意義。 生產(chǎn)周期時(shí)間的概念 生產(chǎn)周期時(shí)間是指從生產(chǎn)原料（如硅片）進(jìn)入....
常見(jiàn)的表面測(cè)量方法簡(jiǎn)介
可實(shí)現(xiàn)更小晶體管的下一代技術(shù)是高數(shù)值孔徑EUV光刻。 眼睛是心靈的窗戶，人腦接收到的信息80%都是來(lái)....
一文看懂光刻技術(shù)的演進(jìn)
光刻機(jī)的分辨率受光源波長(zhǎng)（λ）、工藝因子（k1）和數(shù)值孔徑（NA）三個(gè)主要參數(shù)的影響。根據(jù)瑞利第一公....
激光束能投射陰影,科學(xué)家顛覆傳統(tǒng)認(rèn)知
??? 光及其與物質(zhì)的各種相互作用的研究，幾個(gè)世紀(jì)以來(lái)一直是科學(xué)探究的基石。從早期對(duì)反射和折射現(xiàn)象的....
第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)
第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我....
一種名為MARORA的等離子體選擇氧化裝置
??? 隨著半導(dǎo)體器件的精細(xì)化，晶體管柵極的尺寸逐漸縮小或微小結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜。蝕刻過(guò)程中，蝕刻損傷會(huì)....
硅晶棒產(chǎn)率提升措施
??? 主要回答以下兩個(gè)問(wèn)題:加大硅芯直徑對(duì)產(chǎn)率有什么影響？加大硅棒的最終直徑對(duì)產(chǎn)率有什么影響？??....
隧穿晶體管的原理及優(yōu)勢(shì)
本文介紹了隧穿晶體管的原理及它的優(yōu)勢(shì)。 ? 我們所處的這個(gè)由永遠(yuǎn)在線的個(gè)人電腦、平板電腦和智能手機(jī)構(gòu)....
等離子清洗技術(shù)原理??、分類???、特點(diǎn)、應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)
??? 等離子清洗技術(shù)是一種新型的表面處理技術(shù)，它通過(guò)利用等離子體中的活性粒子與材料表面的化學(xué)反應(yīng)，....
晶圓/晶粒/芯片之間的區(qū)別和聯(lián)系
本文主要介紹??????晶圓 （wafer）/晶粒 （die）/芯片 （chip）之間的區(qū)別和聯(lián)系。....
顯微鏡在芯片失效分析中的具體應(yīng)用場(chǎng)景及前景
??? 在芯片這個(gè)微觀且精密的領(lǐng)域，失效分析猶如一場(chǎng)探秘之旅，旨在揭開(kāi)芯片出現(xiàn)故障背后的秘密。而顯微....
塑封、切筋打彎及封裝散熱工藝設(shè)計(jì)
本文介紹塑封及切筋打彎工藝設(shè)計(jì)重點(diǎn)，除此之外，封裝散熱設(shè)計(jì)是確保功率器件穩(wěn)定運(yùn)行和延長(zhǎng)使用壽命的重要....
工商網(wǎng)監(jiān)