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中科院半導(dǎo)體所

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多晶硅錠定向凝固生長(zhǎng)方法

鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-13 14:41 ?537次閱讀

晶體管柵極結(jié)構(gòu)形成

柵極(Gate)是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu),位于源極(Source)和漏極(Drain)之間。其功能類似....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-12 17:33 ?1208次閱讀
晶體管柵極結(jié)構(gòu)形成

封裝基板設(shè)計(jì)的詳細(xì)步驟

封裝基板設(shè)計(jì)是集成電路封裝工程中的核心步驟之一,涉及將芯片與外部電路連接的基板(substrate)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-12 17:30 ?856次閱讀

集成電路制造工藝中的High-K材料介紹

本文介紹了在集成電路制造工藝中的High-K材料的特點(diǎn)、重要性、優(yōu)勢(shì),以及工藝流程和面臨的挑戰(zhàn)。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-12 17:00 ?1177次閱讀
集成電路制造工藝中的High-K材料介紹

集成電路制造中的劃片工藝介紹

本文概述了集成電路制造中的劃片工藝,介紹了劃片工藝的種類、步驟和面臨的挑戰(zhàn)。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-12 16:57 ?1600次閱讀
集成電路制造中的劃片工藝介紹

PMOS與NMOS的工作原理

此處以增強(qiáng)型PMOS,NMOS為例,通常說的MOS管說的都是增強(qiáng)型MOS管。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-12 15:31 ?2101次閱讀
PMOS與NMOS的工作原理

金絲鍵合的主要過程和關(guān)鍵參數(shù)

金絲鍵合主要依靠熱超聲鍵合技術(shù)來(lái)達(dá)成。熱超聲鍵合融合了熱壓鍵合與超聲鍵合兩者的長(zhǎng)處。通常情況下,熱壓....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-12 15:28 ?1611次閱讀
金絲鍵合的主要過程和關(guān)鍵參數(shù)

硅導(dǎo)熱系數(shù)的基本特性和影響因素

本文介紹了硅的導(dǎo)熱系數(shù)的特性與影響導(dǎo)熱系數(shù)的因素。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-12 15:27 ?1319次閱讀
硅導(dǎo)熱系數(shù)的基本特性和影響因素

集成電路和光子集成技術(shù)的發(fā)展歷程

本文介紹了集成電路和光子集成技術(shù)的發(fā)展歷程,并詳細(xì)介紹了鈮酸鋰光子集成技術(shù)和硅和鈮酸鋰復(fù)合薄膜技術(shù)。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-12 15:21 ?829次閱讀
集成電路和光子集成技術(shù)的發(fā)展歷程

淺談集成電路設(shè)計(jì)中的標(biāo)準(zhǔn)單元

本文介紹了集成電路設(shè)計(jì)中Standard Cell(標(biāo)準(zhǔn)單元)的概念、作用、優(yōu)勢(shì)和設(shè)計(jì)方法等。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-12 15:19 ?679次閱讀

光通信中光電二極管的工作原理

本文介紹了光通信中的光電二極管的工作原理,及其響應(yīng)度和效率的概念。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-12 14:27 ?922次閱讀
光通信中光電二極管的工作原理

一文詳解淺溝槽隔離技術(shù)

隨著集成電路尺寸縮小至亞微米技術(shù)節(jié)點(diǎn),原始的本征氧化隔離技術(shù)(LocOS)已不適應(yīng)?!案綦x”是指利用....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-12 14:05 ?1348次閱讀
一文詳解淺溝槽隔離技術(shù)

芯片封裝中的焊點(diǎn)圖案設(shè)計(jì)

Bump Pattern Design(焊點(diǎn)圖案設(shè)計(jì)) 是集成電路封裝設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵部分,尤其在BGA....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-06 16:44 ?917次閱讀

如何進(jìn)行晶圓檢測(cè)

在關(guān)鍵尺寸的在線量測(cè)環(huán)節(jié),所運(yùn)用的設(shè)備主要涵蓋 CD-SEM 以及 OCD(optical crit....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-06 16:42 ?2169次閱讀
如何進(jìn)行晶圓檢測(cè)

深度解讀芯片封裝設(shè)計(jì)

封裝設(shè)計(jì)是集成電路(IC)生產(chǎn)過程中至關(guān)重要的一環(huán),它決定了芯片的功能性、可靠性和制造工藝。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-06 09:21 ?594次閱讀
深度解讀芯片封裝設(shè)計(jì)

一文詳解共晶鍵合技術(shù)

鍵合技術(shù)主要分為直接鍵合和帶有中間層的鍵合。直接鍵合如硅硅鍵合,陽(yáng)極鍵合等鍵合條件高,如高溫、高壓等....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-04 17:10 ?1183次閱讀
一文詳解共晶鍵合技術(shù)

芯片封裝中的RDL(重分布層)技術(shù)

封裝中的RDL(Redistribution Layer,重分布層)是集成電路封裝設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要層....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-04 17:08 ?2134次閱讀
芯片封裝中的RDL(重分布層)技術(shù)

半導(dǎo)體芯片加工工藝介紹

光刻是廣泛應(yīng)用的芯片加工技術(shù)之一,下圖是常見的半導(dǎo)體加工工藝流程。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-04 17:07 ?962次閱讀
半導(dǎo)體芯片加工工藝介紹

速率可調(diào)的光傳輸和彈性光網(wǎng)絡(luò)

當(dāng)前光纖系統(tǒng)已廣泛應(yīng)用于從接入到核心骨干網(wǎng)的各個(gè)層級(jí)。各層級(jí)因功能需求差異采用不同技術(shù)方案:例如核心....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-04 11:17 ?930次閱讀
速率可調(diào)的光傳輸和彈性光網(wǎng)絡(luò)

芯片有源區(qū)的作用和工藝流程

在芯片制造中,有源區(qū)(Active Area)是晶體管的核心工作區(qū)域,負(fù)責(zé)電流的導(dǎo)通與信號(hào)處理。它如....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-04 09:49 ?1388次閱讀
芯片有源區(qū)的作用和工藝流程

集成電路封裝設(shè)計(jì)為什么需要Design Rule

封裝設(shè)計(jì)Design Rule 是在集成電路封裝設(shè)計(jì)中,為了保證電氣、機(jī)械、熱管理等各方面性能而制定....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-04 09:45 ?458次閱讀

納米技術(shù)的發(fā)展歷程和制造方法

納米技術(shù)是一個(gè)高度跨學(xué)科的領(lǐng)域,涉及在納米尺度上精確控制和操縱物質(zhì)。集成電路(IC)作為已經(jīng)達(dá)到納米....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-04 09:43 ?1803次閱讀
納米技術(shù)的發(fā)展歷程和制造方法

半導(dǎo)體集成電路的可靠性評(píng)價(jià)

半導(dǎo)體集成電路的可靠性評(píng)價(jià)是一個(gè)綜合性的過程,涉及多個(gè)關(guān)鍵技術(shù)和層面,本文分述如下:可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)概....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-04 09:17 ?542次閱讀
半導(dǎo)體集成電路的可靠性評(píng)價(jià)

熱管理在芯片封裝中的重要性

如果將芯片封裝比作“房屋結(jié)構(gòu)”,那么熱仿真就像在建造前做“房屋通風(fēng)模擬”。在圖紙階段先預(yù)測(cè)各房間是否....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-03 11:33 ?472次閱讀

芯片制造中的淺溝道隔離工藝技術(shù)

淺溝道隔離(STI)是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù),用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域,防止相鄰晶體管之....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-03 10:00 ?1632次閱讀
芯片制造中的淺溝道隔離工藝技術(shù)

集成電路設(shè)計(jì)與制造過程

一個(gè)復(fù)雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十(百)億個(gè)晶體管,這些晶體管通過細(xì)金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過程....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-03 09:56 ?1847次閱讀
集成電路設(shè)計(jì)與制造過程

硅集成電路技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)

硅作為半導(dǎo)體材料在集成電路應(yīng)用中的核心地位無(wú)可爭(zhēng)議,然而,隨著科技的進(jìn)步和器件特征尺寸的不斷縮小,硅....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-03 09:21 ?529次閱讀
硅集成電路技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)

芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素

芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)的目標(biāo)是達(dá)到功能、性能、功耗、面積(FPA)的平衡。好的芯片架構(gòu)能有效提升系統(tǒng)的整體性能....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-01 16:23 ?624次閱讀

等離子體蝕刻工藝對(duì)集成電路可靠性的影響

隨著集成電路特征尺寸的縮小,工藝窗口變小,可靠性成為更難兼顧的因素,設(shè)計(jì)上的改善對(duì)于優(yōu)化可靠性至關(guān)重....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-01 15:58 ?794次閱讀
等離子體蝕刻工藝對(duì)集成電路可靠性的影響

集成電路開發(fā)中的器件調(diào)試環(huán)節(jié)

本文介紹了集成電路開發(fā)中的器件調(diào)試環(huán)節(jié),包括其核心目標(biāo)、關(guān)鍵技術(shù)與流程等內(nèi)容。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-01 14:29 ?434次閱讀
集成電路開發(fā)中的器件調(diào)試環(huán)節(jié)