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中科院半導(dǎo)體所

文章:1350 被閱讀:393.9w 粉絲數(shù):254 關(guān)注數(shù):0 點贊數(shù):41

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單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積

本文介紹了單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨特的工藝優(yōu)勢,它具....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-11 09:19 ?541次閱讀
單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積

芯片中介質(zhì)及其性能解析

本文介紹了芯片里的介質(zhì)及其性能。 介電常數(shù)k概述 在介質(zhì)薄膜的沉積過程中,除了薄膜質(zhì)量如均勻性、致密....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-10 11:09 ?865次閱讀
芯片中介質(zhì)及其性能解析

PECVD中影響薄膜應(yīng)力的因素

本文介紹了PECVD中影響薄膜應(yīng)力的因素。 影響PECVD 薄膜應(yīng)力的因素有哪些?各有什么優(yōu)缺點? ....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-10 10:27 ?881次閱讀
PECVD中影響薄膜應(yīng)力的因素

如何在光子學(xué)中利用電子生態(tài)系統(tǒng)

本文介紹了如何在光子學(xué)中利用電子生態(tài)系統(tǒng)。 這一目標(biāo)要求光子學(xué)制造利用現(xiàn)有的電子制造工藝和生態(tài)系統(tǒng)。....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-10 10:24 ?558次閱讀
如何在光子學(xué)中利用電子生態(tài)系統(tǒng)

磁性靶材磁控濺射成膜影響因素

本文主要介紹磁性靶材磁控濺射成膜影響因素 ? 磁控濺射作為一種重要的物理氣相沉積技術(shù),在薄膜制備領(lǐng)域....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-09 09:51 ?926次閱讀
磁性靶材磁控濺射成膜影響因素

軟件在芯片設(shè)計中有什么作用

? 本文主要介紹軟件在芯片設(shè)計中的作用 在芯片設(shè)計中,軟件扮演著非常重要的角色,它不僅幫助芯片設(shè)計驗....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-09 09:43 ?822次閱讀

光纖耦合器的基礎(chǔ)知識

本文主要介紹光纖耦合器 ? 光纖耦合器也叫光纖分路器。光纖耦合器的原理與水管接頭或者電力分路器不同,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-08 11:25 ?650次閱讀
光纖耦合器的基礎(chǔ)知識

為什么采用多晶硅作為柵極材料

本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-08 11:22 ?635次閱讀
為什么采用多晶硅作為柵極材料

如何理解芯片設(shè)計中的IP

本文主要介紹如何理解芯片設(shè)計中的IP 在芯片設(shè)計中,IP(知識產(chǎn)權(quán)核心,Intellectual P....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-08 10:43 ?1038次閱讀

LPCVD氮化硅薄膜生長的機理

可以看出, SiH4提供的是Si源,N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應(yīng)溫度較高,氫原子....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-07 09:44 ?608次閱讀
LPCVD氮化硅薄膜生長的機理

詳解晶圓的劃片工藝流程

在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中,晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后,劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié),....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-07 09:41 ?1602次閱讀
詳解晶圓的劃片工藝流程

一文詳解銅大馬士革工藝

但隨著技術(shù)迭代,晶體管尺寸持續(xù)縮減,電阻電容(RC)延遲已成為制約集成電路性能的關(guān)鍵因素。在90納米....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-07 09:39 ?2906次閱讀
一文詳解銅大馬士革工藝

利用彩色光刻膠的光學(xué)菲涅爾波帶片平面透鏡設(shè)計

光學(xué)操控技術(shù)已成為諸多應(yīng)用領(lǐng)域中的有力工具,它的蓬勃發(fā)展也使得學(xué)界對光學(xué)器件小型化的需求日益增長。因....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-06 10:16 ?634次閱讀
利用彩色光刻膠的光學(xué)菲涅爾波帶片平面透鏡設(shè)計

提高SiC外延生長速率和品質(zhì)的方法

SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-06 10:10 ?726次閱讀

利用拉曼光譜測量二硫化鉬薄片層數(shù)的三種方法

2024年12月31日,國家市場監(jiān)督管理總局(國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會)發(fā)布2024年第32號中華人民共....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-05 14:04 ?1120次閱讀
利用拉曼光譜測量二硫化鉬薄片層數(shù)的三種方法

NFC技術(shù)在手機中的應(yīng)用

在數(shù)字支付技術(shù)迅猛發(fā)展的今天,支付寶推出的“碰一下”支付功能以其便捷性和高效性迅速吸引了廣泛關(guān)注。這....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-05 14:01 ?1774次閱讀
NFC技術(shù)在手機中的應(yīng)用

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-05 13:49 ?870次閱讀
碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

芯片制造:光刻工藝原理與流程

光刻是芯片制造過程中至關(guān)重要的一步,它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案,并且要求極高的精度。以下是光刻過程....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-28 16:36 ?1405次閱讀
芯片制造:光刻工藝原理與流程

晶圓拋光在芯片制造中的作用

晶圓,作為芯片制造的基礎(chǔ)載體,其表面平整度對于后續(xù)芯片制造工藝的成功與否起著決定性作用。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-24 10:06 ?818次閱讀

互補場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用

隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應(yīng)晶體管(FinF....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-24 10:03 ?3189次閱讀
互補場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用

一文看懂激光的性質(zhì)

激光具有多種特性,使其在許多實際應(yīng)用中都很有用。激光是單色的、定向的、相干的。相比之下,普通白光是許....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-23 10:10 ?856次閱讀
一文看懂激光的性質(zhì)

ALD和ALE核心工藝技術(shù)對比

ALD 和 ALE 是微納制造領(lǐng)域的核心工藝技術(shù),它們分別從沉積和刻蝕兩個維度解決了傳統(tǒng)工藝在精度、....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-23 09:59 ?1021次閱讀
ALD和ALE核心工藝技術(shù)對比

一文解析現(xiàn)代場效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)

朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利為場效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個工作的....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-23 09:42 ?746次閱讀
一文解析現(xiàn)代場效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)

衍射光柵的歷史及重要作用

本文簡單介紹了衍射光柵的歷史及其重要作用。 很難指出還有哪一種裝置比衍射光柵為每個科學(xué)領(lǐng)域帶來了更重....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-22 11:06 ?811次閱讀
衍射光柵的歷史及重要作用

干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

碳化硅(SiC)作為一種高性能材料,在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中,基....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-22 10:59 ?1125次閱讀
干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

干法刻蝕使用脈沖電源有什么好處

本文簡單介紹了連續(xù)波和脈沖波的概念、連續(xù)波電流與脈沖波電源的定義以及脈沖波電源相對于連續(xù)波的電源模式....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-22 10:11 ?559次閱讀
干法刻蝕使用脈沖電源有什么好處

數(shù)據(jù)I/O模塊的概念、特點以及作用

? 本文簡單介紹了數(shù)據(jù)I/O模塊的概念、特點以及作用。 一、數(shù)據(jù) I/O 模塊是什么 1. 承接內(nèi)外....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-21 11:10 ?918次閱讀

如果光速逃跑,能甩開射來的激光嗎

本文從愛因斯坦追光實驗入手,用通俗易懂的語言介紹了多普勒頻移現(xiàn)象。 ? 愛因斯坦是20世紀(jì)最偉大的天....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-21 11:06 ?401次閱讀
如果光速逃跑,能甩開射來的激光嗎

離子注入工藝中的重要參數(shù)和監(jiān)控手段

本文簡單介紹了離子注入工藝中的重要參數(shù)和離子注入工藝的監(jiān)控手段。 在硅晶圓制造過程中,離子的分布狀況....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-21 10:52 ?1466次閱讀
離子注入工藝中的重要參數(shù)和監(jiān)控手段

集成電路制造中良率損失來源及分類

本文介紹了集成電路制造中良率損失來源及分類。 良率的定義 良率是集成電路制造中最重要的指標(biāo)之一。集成....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-20 13:54 ?864次閱讀
集成電路制造中良率損失來源及分類