本文介紹了High-K材料的物理性質(zhì)、制備方法及其應(yīng)用。

經(jīng)過封裝與測試的芯片，理論上已具備使用條件。然而在現(xiàn)實(shí)生活里，一個集成電路產(chǎn)品通常需要眾多芯片共同組....

多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly）是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶....

3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。

本文介紹了MOS集成電路中的等比例縮小規(guī)則和超大規(guī)模集成電路的可靠性問題。

在集成電路設(shè)計(jì)中，版圖（Layout）是芯片設(shè)計(jì)的核心之一，通常是指芯片電路的物理實(shí)現(xiàn)圖。它描述了電....

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。

本文介紹了集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域中混合信號設(shè)計(jì)的概念、挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢。

本文通過分析器件制造中的影響因素，提出了版圖設(shè)計(jì)技術(shù)與匹配原則及其應(yīng)用。

本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝，以及先進(jìn)柵極工藝技術(shù)。

Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片....

光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)....

半導(dǎo)體集成電路失效機(jī)理中除了與封裝有關(guān)的失效機(jī)理以外，還有與應(yīng)用有關(guān)的失效機(jī)理。

在材料納米力學(xué)性能測試的眾多方法中，納米壓痕技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢脫穎而出，成為當(dāng)前的主流測試手段。

Bi-CMOS工藝將雙極型器件（Bipolar）與CMOS工藝結(jié)合，旨在融合兩者的優(yōu)勢。CMOS具有....

化學(xué)元素鋰于1817年由Johan August Arfwedson通過分析礦物鋰長石（LiAlSi....

本文主要介紹CMOS集成電路基本制造工藝，特別聚焦于0.18μm工藝節(jié)點(diǎn)及其前后的變化，分述如下：前....

封裝設(shè)計(jì)圖紙是集成電路封裝過程中用于傳達(dá)封裝結(jié)構(gòu)、尺寸、布局、焊盤、走線等信息的重要文件。它是封裝設(shè)....

無線通信系統(tǒng)從 1980 年代的第一代發(fā)展到最近的第五代 （5G），一直是推動這項(xiàng)技術(shù)在通信和我們?nèi)?...

薄膜外延生長是一種關(guān)鍵的材料制備方法，其廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域。

本文介紹了N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對氧含量的影響。

本文介紹了晶圓清洗的污染源來源、清洗技術(shù)和優(yōu)化。

氮化鈦（TiN）是一種具有金屬光澤的陶瓷材料，其晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系，化學(xué)穩(wěn)定性高、硬度大（莫氏硬度9....

新一代封裝技術(shù)中出現(xiàn)了嵌入多個芯片的復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計(jì)。倒裝芯片和銅柱互連、多MEMS-IC系統(tǒng)以及新型傳....

在之前的文章中我們已經(jīng)對集成電路工藝的可靠性進(jìn)行了簡單的概述，本文將進(jìn)一步探討集成電路前段工藝可靠性....

光電探測器,作為光電子技術(shù)的核心,在信息轉(zhuǎn)換和傳輸中扮演著不可或缺的角色,其在圖像傳感和光通信等領(lǐng)域....

微波、低頻無線電波和高頻光波都是電磁波譜中的不同部分，它們在頻率范圍、波長、傳播特性、應(yīng)用領(lǐng)域等方面....

本文介紹了影響集成電路可靠性的Cu/low-k互連結(jié)構(gòu)中的電遷移問題。

本文介紹了集成電路制造工藝中的電鍍工藝的概念、應(yīng)用和工藝流程。

本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機(jī)理的統(tǒng)計(jì)，然后詳細(xì)介紹了封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備。