目前，只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個(gè)平臺(tái)可以達(dá)到10TB/s的帶寬，單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率，內(nèi)存容量高達(dá)141GB。
2024-02-25 11:22:42
121 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對(duì)此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對(duì) HBM 存儲(chǔ)的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場需求，保護(hù)其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00247 韓國存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士計(jì)劃在美國印第安納州投資興建一座先進(jìn)封裝工廠，專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片。這一舉措旨在與英偉達(dá)（NVIDIA）的AI GPU進(jìn)行深度整合，共同推動(dòng)美國本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:29663 SK海力士近日宣布，將進(jìn)一步擴(kuò)大高帶寬內(nèi)存生產(chǎn)設(shè)施的投資，以滿足高性能AI產(chǎn)品市場的不斷增長需求。
2024-01-29 16:54:44428 近日，據(jù)報(bào)道，三星電子正計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)大其HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)能，以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進(jìn)一步加劇與SK海力士的競爭。
2024-01-26 15:33:09271 ABSTRACT摘要Nvidia表示，H200TensorCoreGPU具有更大的內(nèi)存容量和帶寬，可加快生成AI和HPC工作負(fù)載的速度。NvidiaH200是首款提供HBM3e的GPU，HBM
2024-01-17 08:25:26269 
HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器，通過使用先進(jìn)封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個(gè)DRAM芯片進(jìn)行堆疊，并與GPU一同進(jìn)行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:131323 
據(jù)最新傳聞，英偉達(dá)正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級(jí)芯片，這也進(jìn)一步說明了對(duì)于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04231 英偉達(dá)（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內(nèi)存，為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場將新一輪競爭。
2023-12-29 16:32:50584 谷歌正迅速成為 BFF Nvidia 的強(qiáng)大對(duì)手——為其超級(jí)計(jì)算機(jī)提供動(dòng)力的 TPU v5p AI 芯片速度更快，內(nèi)存和帶寬比以往任何時(shí)候都多，甚至擊敗了強(qiáng)大的 H100
2023-12-26 09:31:091216 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理能力成為科技進(jìn)步的關(guān)鍵。在這種背景下，高帶寬內(nèi)存（High-Bandwidth Memory，簡稱HBM）應(yīng)運(yùn)而生，以其超高的數(shù)據(jù)傳輸速率和卓越的能效，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了廣闊的應(yīng)用前景。
2023-12-21 09:52:28193 
數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加，HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場景。最近，內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競爭當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:48885 
市場非常吃香的 HBM 內(nèi)存。 ? AI 芯片帶來的 HBM 熱潮 ? 在 AI 芯片的設(shè)計(jì)中，除了需要先進(jìn)工藝和先進(jìn)封裝在有限的面積下提供足夠的算力和擴(kuò)展性外，被提及最多的一個(gè)問題就是內(nèi)存墻。過去內(nèi)存墻的問題在AI 計(jì)算還不盛行的時(shí)代并不突出，而且 HBM 當(dāng)時(shí)還被視作高
2023-12-13 01:27:001179 
大模型時(shí)代AI芯片必備HBM內(nèi)存已是業(yè)內(nèi)共識(shí)，存儲(chǔ)帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關(guān)健指標(biāo)，甚至某些場合超越算力，是最關(guān)鍵的性能指標(biāo)，而汽車行業(yè)也開始出現(xiàn)HBM內(nèi)存。
2023-12-12 10:38:11219 
作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 內(nèi)存控制器 IP 現(xiàn)在可提供高達(dá) 9.6
2023-12-07 14:16:06329 為增強(qiáng)AI/ML及其他高級(jí)數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達(dá)9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率，支持HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的未來演進(jìn) 實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115 
HBM 存儲(chǔ)器堆棧通過微凸塊連接到 HBM 堆棧中的硅通孔（TSV 或連接孔），并與放置在基礎(chǔ)封裝層上的中間件相連，中間件上還安裝有處理器，提供 HBM 到處理器的連接。
2023-12-06 10:40:49136 
你好，我現(xiàn)在的設(shè)計(jì)使用AD9122，希望AD9122的輸出帶寬（60M),設(shè)計(jì)要求帶外滾降1M -20dB，可我設(shè)置AD9122，發(fā)現(xiàn)其帶外滾降只能做到5M -20DB,請(qǐng)問是否有特殊方法，達(dá)到帶外1m-20DB的要求。謝謝
2023-12-06 06:32:09
最近，隨著人工智能行業(yè)的高速崛起，大算力芯片業(yè)成為半導(dǎo)體行業(yè)為數(shù)不多的熱門領(lǐng)域HBM(高寬帶內(nèi)存：High-bandwidthmemory)作為大算力芯片里不可或缺的組成部分，也因此走入了行業(yè)
2023-12-05 16:14:18553 
速度優(yōu)勢是HBM產(chǎn)品成功的關(guān)鍵
2023-11-29 16:22:53172 
由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購買分配權(quán)重值，還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-29 14:13:30353 
目前，AI服務(wù)器對(duì)HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求量越來越大，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">HBM大大縮短了走線距離，從而大幅提升了AI處理器運(yùn)算速度。HBM經(jīng)歷了幾代產(chǎn)品，包括HBM、HBM2、HBM2e和HMB3，最新的HBM3e剛出樣品。
2023-11-28 09:49:10408 
由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購買分配權(quán)重值，還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-27 15:03:57443 
hbm spot目前位于cpu或gpu旁邊的中間層，使用1024位接口連接邏輯芯片。sk hynix制定了將hbm4直接堆積在logic芯片上，完全消除中介層的目標(biāo)。
2023-11-21 09:53:04414 最近在用AD8367做音頻AGC想達(dá)到的目的就是 不管電腦音量加大還是減?。ㄒ簿褪禽斎耄?輸出保持在一定值
照著手冊(cè)上面試了幾次都不能做到AGC只能做到輸入越大輸出越大相當(dāng)于就是很普通的放大
2023-11-20 06:20:16
NVIDIA H200的一大特點(diǎn)就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來自SK海力士)，單顆容量就多達(dá)141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了一點(diǎn)點(diǎn))，同時(shí)帶寬多達(dá)4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:13358 
Rambus產(chǎn)品營銷高級(jí)總監(jiān) Frank Ferro 在 Rambus 設(shè)計(jì)展會(huì)上發(fā)表演講時(shí)表示：“
HBM 的優(yōu)點(diǎn)在于，可以在可變的范圍內(nèi)獲得所有這些
帶寬，并且表示獲得了非常好的功耗?！?/div>
2023-11-15 15:50:19265 
基于英偉達(dá)的“Hopper”架構(gòu)的H200也是該公司第一款使用HBM3e內(nèi)存的芯片，這種內(nèi)存速度更快，容量更大，因此更適合大語言模型。英偉達(dá)稱：借助HBM3e，H200以每秒4.8TB的速度提供141GB的內(nèi)存，與A100相比，容量幾乎是其兩倍，帶寬增加了2.4倍。
2023-11-15 11:17:31337 據(jù)預(yù)測，進(jìn)入今年以來一直萎靡不振的三星電子半導(dǎo)體業(yè)績明年將迅速恢復(fù)。部分人預(yù)測，三星電子明年下半年的hbm市場占有率將超過sk海力士。
2023-11-14 11:50:57449 HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM，它可以為高性能計(jì)算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲(chǔ)解決方案。本文將介紹HBM技術(shù)的原理、優(yōu)勢、應(yīng)用和發(fā)展趨勢。
2023-11-09 12:32:524328 點(diǎn)陣怎樣級(jí)聯(lián)能做到廣告牌效果
2023-11-03 06:45:04
3E共五代產(chǎn)品。對(duì)于HBM3E，SK海力士預(yù)計(jì)2023年底前供應(yīng)HBM3E樣品，2024年開始量產(chǎn)。8層堆疊，容量達(dá)24GB，帶寬為1.15TB/s。 ? 近日，三星電子也更新了HBM3E的進(jìn)展。據(jù)韓媒報(bào)道
2023-10-25 18:25:242087 
，skjmnft同時(shí)已經(jīng)向英偉達(dá)等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局，每個(gè)堆棧為24 GB，采用1β 技術(shù)生產(chǎn)，具備出色的性能。Multiable萬達(dá)寶ERP具備數(shù)字化管理各個(gè)業(yè)務(wù)板塊,提升
2023-10-10 10:25:46400 為什么SD卡的容量不能做到跟硬盤一樣大
2023-10-09 08:54:33
全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出一項(xiàng)強(qiáng)大的內(nèi)存賦能技術(shù)，可助力客戶在主流應(yīng)用場景中實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的邊緣 AI 計(jì)算。
2023-09-27 10:49:231517 2023 年 9 月 27 日，中國，蘇州 —— 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出一項(xiàng)強(qiáng)大的內(nèi)存賦能技術(shù)，可助力客戶在主流應(yīng)用場景中實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的邊緣 AI 計(jì)算。華邦的CUBE
2023-09-27 10:44:01136 
封裝的新型內(nèi)存器件。在采用HBM芯粒集成方案的智能計(jì)算芯片中，HBM芯粒通過硅轉(zhuǎn)接板與計(jì)算芯粒實(shí)現(xiàn)2.5D封裝互聯(lián)，具有高帶寬、高吞吐量、低延遲、低功耗、小型化等技術(shù)優(yōu)勢，可以滿足AI大模型高訪存的需求，成為當(dāng)前高性能智能計(jì)算芯片最主要的技術(shù)路線，其中核心技術(shù)是計(jì)算芯粒與
2023-09-20 14:36:32664 BM1684編解碼性能是同時(shí)支持32路解碼和2路編碼嗎？內(nèi)存大小和內(nèi)存帶寬會(huì)不會(huì)成為瓶頸？
2023-09-19 06:33:40
目前，HBM產(chǎn)品的主要供應(yīng)商是三星、SK海力士和美光。根據(jù)全球市場調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢的調(diào)查顯示，2022年，SK海力士在HBM市場占據(jù)了50%的份額，三星占據(jù)了40%，美光占據(jù)了10%。
2023-09-15 16:21:16374 
sk海力士負(fù)責(zé)市場營銷的管理人員表示：“一臺(tái)ai服務(wù)器至少需要500gb的hbm高帶寬內(nèi)存和2tb的ddr5內(nèi)存。人工智能是拉動(dòng)內(nèi)存需求的強(qiáng)大力量?！眘k海力士預(yù)測，到2027年，隨著人工智能的發(fā)達(dá)，hbm市場將綜合年均增長82%。
2023-09-12 11:32:59566 HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展，它有著當(dāng)前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對(duì)AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07559 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41541 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）隨著AI芯片逐漸成為半導(dǎo)體市場的香餑餑，與之相關(guān)的附屬產(chǎn)物也在不斷升值，被一并炒熱。就拿高帶寬內(nèi)存HBM來說，無論是英偉達(dá)的GPU芯片，還是初創(chuàng)公司打造的AI芯片
2023-08-15 01:14:001097 NVIDIA官方宣布了新一代GH200 Grace Hopper超級(jí)芯片平臺(tái)，全球首發(fā)采用HBM3e高帶寬內(nèi)存，可滿足世界上最復(fù)雜的生成式AI負(fù)載需求。
2023-08-10 09:37:12892 
容量HBM3 Gen2內(nèi)存樣品，其帶寬超過1.2TB/s，引腳速度超過9.2Gb/s，相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。美光的HBM3 Gen2產(chǎn)品的每瓦性能是前幾代產(chǎn)品的2.5倍，據(jù)稱
2023-08-07 17:38:07587 比如LPDDR和HBM卷成本，如果考慮的是$/GB，那LPDDR確實(shí)有優(yōu)勢，但如果考慮的是$/GBps，HBM還是最具性價(jià)比的選擇。而LLM雖然對(duì)內(nèi)存容量有比較大的需求，但對(duì)于內(nèi)存帶寬同樣有巨大的需求。
2023-08-03 15:43:36391 
（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存，其帶寬超過1.2TB/s，引腳速率超過9.2Gb/s，比當(dāng)前市面上現(xiàn)有的HBM3解決方案
2023-08-01 15:38:21488 
我也研究過無源PFC電路,最高能做到多少,這個(gè)請(qǐng)有經(jīng)驗(yàn)的大俠來解釋
2023-07-31 11:41:17
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存，其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40535 與包括三星在內(nèi)的潛在供應(yīng)商進(jìn)行交易談判。 目前，英偉達(dá)的A100、H100和其他AI GPU均使用臺(tái)積電進(jìn)行晶圓制造和2.5封裝工作的前端工藝。英偉達(dá)AI GPU使用的HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片由SK海力士獨(dú)家提供。然而，臺(tái)積電沒有能力處理這些芯片所需的2.5D封裝的所有工作量。消息人士稱，英
2023-07-20 17:00:02404 
我不得不說說卡爾曼濾波，因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">能做到的事情簡直讓人驚嘆!意外的是很少有軟件工程師和科學(xué)家對(duì)對(duì)它有所了解，這讓我感到沮喪，因?yàn)榭柭鼮V波是一個(gè)如此強(qiáng)大的工具
2023-07-13 16:20:591690 
時(shí)任AMD CEO的蘇姿豐表示，HBM采用堆疊式設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)速度的提升，大幅改變了GPU邏輯結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，DRAM顆粒由“平房設(shè)計(jì)”改為“樓房設(shè)計(jì)”，所以HBM顯存能夠帶來遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過當(dāng)前GDDR5所能夠提供的帶寬上限，其將率先應(yīng)用于高端PC市場，和英偉達(dá)（NVIDIA）展開新一輪的競爭。
2023-07-13 15:18:24497 
HBM（High Bandwidth Memory）是一種創(chuàng)新的CPU/GPU內(nèi)存芯片，它通過堆疊多個(gè)DDR芯片并與GPU封裝在一起，實(shí)現(xiàn)了高容量和高位寬的DDR組合陣列。
2023-07-13 14:53:051111 SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請(qǐng)求。英偉達(dá)首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會(huì)在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39684 
近日，HBM成為芯片行業(yè)的火熱話題。據(jù)TrendForce預(yù)測，2023年高帶寬內(nèi)存（HBM）比特量預(yù)計(jì)將達(dá)到2.9億GB，同比增長約60%，2024年預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增長30%。
2023-07-11 18:25:08702 
7月5日，在三星每周三舉行的員工內(nèi)部溝通活動(dòng)期間，三星電子負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的 DS 部門總裁 Kyung Kye-hyun 表示，“三星高帶寬內(nèi)存 (HBM) 產(chǎn)品的市場份額仍超過 50%”，他駁斥了有關(guān)該公司內(nèi)存競爭力正在下降的擔(dān)憂。
2023-07-10 10:56:03516 據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，隨著人工智能（AI)服務(wù)器需求的激增，高帶寬內(nèi)存(HBM)的價(jià)格開始上漲。
2023-07-07 12:23:41387 HBM技術(shù)之下，DRAM芯片從2D轉(zhuǎn)變?yōu)?D，可以在很小的物理空間里實(shí)現(xiàn)高容量、高帶寬、低延時(shí)與低功耗，因而HBM被業(yè)界視為新一代內(nèi)存解決方案。
2023-06-30 16:31:33625 
據(jù)韓媒報(bào)道，韓國三星電子公司正在加緊努力，更深入地滲透到HBM3市場，由于其在整個(gè)內(nèi)存芯片市場中所占的份額很小，因此相對(duì)于其他高性能芯片來說，該公司一直忽視了這一領(lǐng)域。
2023-06-27 17:13:03453 HBM（高帶寬內(nèi)存）于 2013 年推出，是一種高性能 3D 堆疊 SDRAM架構(gòu)。如其名稱所述，HBM最重要的是帶寬更高，盡管HBM的內(nèi)存都以相對(duì)較低的數(shù)據(jù)速率運(yùn)行，但其通道數(shù)更多。例如，以3.6
2023-05-29 09:34:57312 
HBM2E（高帶寬內(nèi)存）是一種高性能 3D 堆疊 DRAM，用于高性能計(jì)算和圖形加速器。它使用更少的功率，但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)（如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線和處理器）結(jié)構(gòu)復(fù)雜，驗(yàn)證內(nèi)存的性能和利用率對(duì)用戶來說是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:38437 
在這個(gè)技術(shù)革命的時(shí)代，人工智能應(yīng)用程序、高端服務(wù)器和圖形等領(lǐng)域都在不斷發(fā)展。這些應(yīng)用需要快速處理和高密度來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，其中高帶寬內(nèi)存 （HBM） 提供了最可行的內(nèi)存技術(shù)解決方案。
2023-05-25 16:39:333398 
憑借Rambus GDDR6 PHY所實(shí)現(xiàn)的新一級(jí)性能，設(shè)計(jì)人員可以為帶寬要求極為苛刻的工作負(fù)載提供所需的帶寬。和我們領(lǐng)先的HBM3內(nèi)存接口一樣，這項(xiàng)最新成就表明了我們不斷致力于開發(fā)最先進(jìn)的內(nèi)存性能，以滿足生成式AI等先進(jìn)計(jì)算應(yīng)用的需求。
2023-05-17 14:22:36554 為什么我fpga的io口輸出速率只能做到8mhz呢？
2023-05-16 14:36:45
請(qǐng)問電子穿戴設(shè)備的充電正負(fù)極如何能做到單向充電？正負(fù)極短路不影響功能運(yùn)行？
2023-05-10 12:00:33
為什么同樣采樣率1GS/s的示波器，A廠帶寬是100MHz，B廠是200MHz？
既然采樣率都是1GS/s，是示波器哪個(gè)部分限制了帶寬呢？
既然A采樣率也能做到1GS/s，為啥不把帶寬做到200Mhz呢？
2023-04-26 14:12:08
示波器探頭是測量信號(hào)時(shí)的必備工具，它能夠接收并將被測信號(hào)轉(zhuǎn)換為示波器能夠識(shí)別和顯示的信號(hào)。在選擇示波器探頭時(shí)，用戶通常會(huì)關(guān)注探頭的帶寬和精度，以確保測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。關(guān)于示波器探頭的帶寬和示波器帶寬之間的關(guān)系，有人認(rèn)為示波器探頭的帶寬必須是示波器帶寬的三到五倍。但事實(shí)真的如此嗎？
2023-04-17 10:58:291499 HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)高帶寬，完美解決傳統(tǒng)存儲(chǔ)效率低的問題。HBM 的核心原理和普通的 DDR、GDDR 完全一樣，但是 HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)了高帶寬。HBM/HBM2 使用 1024 根數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)
2023-04-16 10:42:243537 “存”“算”性能失配，內(nèi)存墻導(dǎo)致訪存時(shí)延高，效率低。內(nèi)存墻，指內(nèi)存的容量或傳輸帶寬有限而嚴(yán)重限制 CPU 性能發(fā)揮的現(xiàn)象。內(nèi)存的性能指標(biāo)主要有“帶寬”(Bandwidth)和“等待時(shí)間”(Latency)。
2023-04-12 13:53:221005 ）查看內(nèi)存地址是否存在有效數(shù)據(jù)（與 hex 文件/ srec 文件中的數(shù)據(jù)相同）我正在使用 S32 DS IDE我怎樣才能做到這一點(diǎn)？
2023-04-04 08:11:30
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