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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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TPIC46L01 1.2mA/1.2mA 6 通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPIC46L01、TPIC46L02 和 TPIC46L03 是低側(cè)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,提供串行輸入接口和 并行輸入接口,用于控制 6 個(gè)外部場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (F...
2025-05-22 標(biāo)簽:輸入接口電源開關(guān)FET 230 0
LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器、5V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間數(shù)據(jù)手冊(cè)
LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 驅(qū)動(dòng)器,專為超高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì),具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間能...
2025-05-24 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器ldo可編程 204 0
TPS7H6003-SP 抗輻射 QMLV 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...
2025-05-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 215 0
TPS7H6013-SP 抗輻射 QMLV 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...
2025-05-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器ldo電源電壓 271 0
TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...
2025-05-15 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaN 222 0
TPS7H6005-SEP 耐輻射 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
2025-05-15 標(biāo)簽:ldoFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 242 0
TPS7H6025-SEP 耐輻射 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
2025-05-15 標(biāo)簽:封裝FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 225 0
TPS7H6015-SEP 耐輻射 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
OPA1S2385 具有集成低電平有效開關(guān)和緩沖器的、250MHz、CMOS跨阻放大器技術(shù)手冊(cè)
OPA1S2384 和 OPA1S2385 (OPA1S238x) 將高帶寬,場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 輸入運(yùn)算放大器與一個(gè)快速 SPST COMS 開...
2025-04-30 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管高帶寬跨阻放大器 271 0
在現(xiàn)代電子學(xué)的宏偉建筑中,場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET-Field Effect Transistor)是其不可或缺的基石。這些精巧的電子組件以其卓越的性能優(yōu)勢(shì)...
技術(shù)資料#TPS7B4261-Q1 汽車級(jí) 300mA 40V 電壓跟蹤低壓差穩(wěn)壓器,具有獨(dú)立的使能和電源良好狀態(tài)
TPS7B4261-Q1 是一款單片集成低壓差電壓跟蹤器。該器件采用 8 引腳 HSOIC 封裝。TPS7B4261-Q1 設(shè)計(jì)用于在汽車環(huán)境中為非車載...
2025-02-26 標(biāo)簽:封裝電纜場(chǎng)效應(yīng)晶體管 654 0
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評(píng)估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個(gè)以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成,...
2025-02-21 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 424 0
用戶指南:LMG2100EVM-097 LMG2100R026評(píng)估模塊介紹
LMG2100R026 評(píng)估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級(jí)模塊,通過(guò)外部 PWM 信號(hào)進(jìn)行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的...
2025-02-21 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 535 0
用戶指南#LMG3100 評(píng)估模塊 LMG3100EVM-089介紹
LMG3100 評(píng)估模塊 (EVM) 是一款緊湊、易于使用的功率級(jí),帶有外部 PWM 信號(hào)。該板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?..
2025-02-21 標(biāo)簽:電源模塊降壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 547 0
在數(shù)字電路和功率電子中,MOS管(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常見的開關(guān)元件,廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路中。MOS管不僅在電源管理和信號(hào)放大...
2025-02-14 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管OD 938 0
在MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)中,Vgs(柵極-源極電壓)和Vds(漏極-源極電壓)之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。 一、基...
2024-09-29 標(biāo)簽:MOSFET源極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.1萬(wàn) 0
VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...
2024-09-29 標(biāo)簽:電阻VDMOS器件場(chǎng)效應(yīng)晶體管 790 0
VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作機(jī)制和命名方式介紹
場(chǎng)效應(yīng)晶體管以其獨(dú)特的電壓控制特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在電子技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。它主要分為兩種類型:JFET(結(jié)型)和MOS-FET(金屬-氧...
2024-09-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管電壓 1040 0
在選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)時(shí),需要考慮多個(gè)因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求,同時(shí)保證電路的性能和可靠性。以下是一個(gè)詳細(xì)的選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管的指南...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1105 0
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