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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱(chēng)為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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音頻模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADAU7112的產(chǎn)品特性及應(yīng)用范圍
ADAU7112 將立體聲脈沖密度調(diào)制 (PDM) 比特流轉(zhuǎn)換為一個(gè)脈沖編碼調(diào)制 (PCM) 輸出流。PDM 數(shù)據(jù)的源可以是兩個(gè)麥克風(fēng)或其他 PDM 源...
2020-12-02 標(biāo)簽:芯片晶圓模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1247 0
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能,GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...
光刻膠不能太厚或太薄,需要按制程需求來(lái)定。比如對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景,較厚的光刻膠層能提供更長(zhǎng)的耐蝕刻時(shí)間。
先進(jìn)封裝技術(shù)及其對(duì)電子產(chǎn)品革新的影響
有一種先進(jìn)封裝技術(shù)被稱(chēng)為“晶圓級(jí)封裝”(WLP),即直接在晶圓上完成集成電路的封裝程序。通過(guò)該工藝進(jìn)行封裝,可以制成與原裸片大小近乎相同的晶圓。
光刻機(jī)的鏡頭要實(shí)現(xiàn)納米級(jí)的成像分辨率,就得拼命增大鏡片的數(shù)值孔徑(Numerical Aperture),但這同時(shí)會(huì)導(dǎo)致焦深(DoF)的下降,焦深是指...
2024-01-22 標(biāo)簽:晶圓芯片制造半導(dǎo)體器件 1232 0
硅晶片的酸基蝕刻:傳質(zhì)和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)
拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(pán)(晶片),然后是一個(gè)稱(chēng)為拍打的扁平過(guò)程,包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)...
造成芯片短缺的原因十分復(fù)雜,其中之一在于制造產(chǎn)能的缺口不均。傳統(tǒng)工藝節(jié)點(diǎn)的制造產(chǎn)能明顯不足,但12nm、16nm等工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能卻仍有富余,因此前者受到...
GaAs晶圓作為常用的一類(lèi)晶圓,在半導(dǎo)體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應(yīng)用。而如何處理好該類(lèi)晶圓的清洗和進(jìn)一步的鈍化工作是生產(chǎn)工藝過(guò)程中需要關(guān)注的點(diǎn)。
典型的IC值不能直接測(cè)試,因?yàn)樗鼈兪且粋€(gè)統(tǒng)計(jì)值。例如,這就像說(shuō)人類(lèi)成年人的平均身高是 5 英尺 5 英寸。測(cè)量任何一個(gè)人都無(wú)法確定平均身高、平均身高或典...
下圖列出了一個(gè)11步工藝,如第5章所示。典型的站點(diǎn)良率列在第3列,累積良率列在第5列。對(duì)于單個(gè)產(chǎn)品,從站點(diǎn)良率計(jì)算的累積fab良率與通過(guò)將fab外的晶圓...
器件的良率在很大程度上依賴(lài)于適當(dāng)?shù)墓に囈?guī)格設(shè)定和對(duì)制造環(huán)節(jié)的誤差控制,在單元尺寸更小的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上就更是如此。
2020-08-26 標(biāo)簽:晶圓7nm工藝泛林集團(tuán) 1202 0
由于同質(zhì)外延結(jié)構(gòu)帶來(lái)的晶格匹配和熱匹配,自支撐氮化鎵襯底在提升氮化鎵基器件性能方面有著巨大潛力,如發(fā)光二極管,激光二極管,功率器件和射頻器件等。相比異質(zhì)...
扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)分析
扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于能夠利用高密度布線制造工藝,形成功率損耗更低、功能性更強(qiáng)的芯片封裝結(jié)構(gòu),讓系統(tǒng)級(jí)封裝(System in a Packag...
先進(jìn)封裝中的翻轉(zhuǎn)芯片技術(shù)概述
引言 翻轉(zhuǎn)芯片技術(shù)已成為半導(dǎo)體行業(yè)中不可或缺的封裝方法,在性能、尺寸減小和功能增加方面具有優(yōu)勢(shì)。本文概述翻轉(zhuǎn)芯片技術(shù),包括晶圓凸塊制作工藝、組裝方法和進(jìn)...
本文詳細(xì)介紹了在集成電路的制造和測(cè)試過(guò)程中CP測(cè)試(Chip Probing)和WAT測(cè)試(Wafer Acceptance Test)的目的、測(cè)試對(duì)象...
半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新長(zhǎng)期以來(lái)的持續(xù)發(fā)展趨勢(shì)正在減緩。經(jīng)過(guò)幾十年對(duì)摩爾定律的顯著遵從性,即半導(dǎo)體晶圓上的晶體管密度大約每?jī)赡攴槐?,但是在過(guò)去幾年中,晶體管...
化學(xué)鍍鎳和銅工藝的應(yīng)用對(duì)導(dǎo)體和絕緣體的金屬化技術(shù)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。印刷電路工業(yè)實(shí)際上是建立在無(wú)電鍍銅以不均勻的金屬厚度覆蓋絕緣體和導(dǎo)體的能力上的;同時(shí),...
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