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標(biāo)簽 > 晶圓

晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

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???? 本文主要介紹功率器件晶圓測(cè)試及封裝成品測(cè)試。?????? ? 晶圓測(cè)試(CP)???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測(cè)試的系統(tǒng),主...

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封裝功能設(shè)計(jì)及基本工藝流程

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倒裝芯片,挑戰(zhàn)越來越大

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正在開發(fā)新的凸點(diǎn)(bump)結(jié)構(gòu)以在倒裝芯片封裝中實(shí)現(xiàn)更高的互連密度,但它們復(fù)雜、昂貴且越來越難以制造。

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MEMS是Micro Electro Mechanical Systems(微機(jī)電系統(tǒng))的縮寫,具有微小的立體結(jié)構(gòu)(三維結(jié)構(gòu)),是處理各種輸入、輸出信號(hào)...

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在集成電路(IC)制造與測(cè)試過程中,CP(ChipProbing,晶圓探針測(cè)試)和FT(FinalTest,最終測(cè)試)是兩個(gè)重要的環(huán)節(jié),它們承擔(dān)了不同的...

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晶圓為什么要減薄

300mm晶圓的厚度為775um,200mm晶圓的度為725um,這個(gè)厚度在實(shí)際封裝時(shí)太厚了。前段制程中晶圓要被處理、要在設(shè)備內(nèi)和設(shè)備間傳送,這時(shí)候上面...

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為什么45納米至130納米的工藝節(jié)點(diǎn)如此重要呢?

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如今,一顆芯片可以集成數(shù)十億個(gè)晶體管,晶體管排列越緊密,所需的工藝節(jié)點(diǎn)就越小,某些制造工藝已經(jīng)達(dá)到 5 納米甚至更小的節(jié)點(diǎn)。

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在科技日新月異的今天,芯片作為數(shù)字時(shí)代的“心臟”,其制造過程復(fù)雜而精密,涉及眾多關(guān)鍵環(huán)節(jié)。提到芯片制造,人們往往首先想到的是光刻機(jī)這一高端設(shè)備,但實(shí)際上...

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晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料,超過90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力,直接關(guān)乎集成...

2025-01-09 標(biāo)簽:晶圓晶圓制造 1102 0

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與亞微米工藝類似,源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝,降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻,提高器件的速度。同時(shí)源漏離子注入也會(huì)形成n型和p型阱接...

2024-11-09 標(biāo)簽:晶圓工藝離子注入 1101 0

Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用有哪些呢?

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2024-04-28 標(biāo)簽:CMOS晶圓大電流 1095 0

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材料往往因特定優(yōu)勢(shì)而聞名。金剛石正因?yàn)樵谑覝叵戮哂凶罡叩臒釋?dǎo)率(2000W/m.K),兼具帶隙寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗...

2023-07-19 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 1093 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長和硅片準(zhǔn)備(二)

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長和硅片準(zhǔn)備(二)

晶體材料可能有兩層原子結(jié)構(gòu)。首先是原子以特定的形狀排列在單個(gè)晶胞的特定的點(diǎn)上。

2023-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓砷化鎵 1088 0

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