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場效應(yīng)晶體管

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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場效應(yīng)晶體管技術(shù)

TPIC46L01 1.2mA/1.2mA 6 通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

TPIC46L01、TPIC46L02 和 TPIC46L03 是低側(cè)預(yù)驅(qū)動器，提供串行輸入接口和并行輸入接口，用于控制 6 個外部場效應(yīng)晶體管（F...

2025-05-22 標(biāo)簽：輸入接口電源開關(guān)FET 230 0

LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200V 半橋柵極驅(qū)動器、5V UVLO 和可編程死區(qū)時間數(shù)據(jù)手冊

LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）驅(qū)動器，專為超高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計，具有可調(diào)死區(qū)時間能...

2025-05-24 標(biāo)簽：驅(qū)動器 ldo 可編程 204 0

TPS7H6003-SP 抗輻射 QMLV 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 T...

2025-05-15 標(biāo)簽：驅(qū)動器 FET 場效應(yīng)晶體管 213 0

TPS7H6013-SP 抗輻射 QMLV 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 T...

2025-05-15 標(biāo)簽：驅(qū)動器 ldo 電源電壓 271 0

TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 T...

2025-05-15 標(biāo)簽：FET 場效應(yīng)晶體管 GaN 222 0

TPS7H6005-SEP 耐輻射 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

TPS7H60x5 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：ldo FET 場效應(yīng)晶體管 242 0

TPS7H6025-SEP 耐輻射 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

TPS7H60x5 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：封裝 FET 場效應(yīng)晶體管 225 0

TPS7H6015-SEP 耐輻射 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

TPS7H60x5 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：ldo 封裝 FET 275 0

OPA1S2385 具有集成低電平有效開關(guān)和緩沖器的、250MHz、CMOS跨阻放大器技術(shù)手冊

OPA1S2384 和 OPA1S2385 (OPA1S238x) 將高帶寬，場效應(yīng)晶體管 (FET) 輸入運算放大器與一個快速 SPST COMS 開...

2025-04-30 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管高帶寬跨阻放大器 271 0

場效應(yīng)晶體管入門指南

在現(xiàn)代電子學(xué)的宏偉建筑中，場效應(yīng)晶體管（FET-Field Effect Transistor）是其不可或缺的基石。這些精巧的電子組件以其卓越的性能優(yōu)勢...

2025-03-03 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 FET 1098 0

場效應(yīng)晶體管帖子

互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管點火和只用一個場效應(yīng)晶體管點火與PWM的區(qū)別？

標(biāo)簽：PWM 場效應(yīng)晶體管 303 1

倒置降壓器是如何提供非隔離反激器的拓?fù)溥x擇的呢？

標(biāo)簽：變壓器 FET 交流電源 4184 0

MOS管的主要用途及其使用要點簡析

標(biāo)簽：MOSFET MOS管場效應(yīng)晶體管 945 0

降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻的原理與方法

標(biāo)簽：MOSFET IGBT 場效應(yīng)晶體管 2507 0

什么是鰭式場效應(yīng)晶體管？鰭式場效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點？

標(biāo)簽：MOSFET 晶體管場效應(yīng)晶體管 14238 0

MOSFET和鰭式場效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變

標(biāo)簽：MOSFET 晶體管場效應(yīng)晶體管 13184 0

如何為氮化鎵場效應(yīng)晶體管提供更高的短路能力？

標(biāo)簽：短路場效應(yīng)晶體管氮化鎵 9810 0

講解一下N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管

標(biāo)簽：MOSFET MOS管 FET 4249 1

為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件？

標(biāo)簽：MOSFET IGBT PNP晶體管 2128 0

帶你一起去發(fā)掘MOS管在電路中電源反接

標(biāo)簽：MOS管 MOS 場效應(yīng)晶體管 1296 0

場效應(yīng)晶體管資料下載

AET3152AP常用P溝道場效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2025-05-23 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管 p溝道 128 0

ZSKY-WNM2030規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2025-05-14 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管 N溝道 39 0

ZSKY-CCS3125BP N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-05-13 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管 N溝道 61 0

WNM2030英文規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2025-05-14 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管 N溝道 DMOS 50 0

LT8822SS共漏N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2025-03-26 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管 N溝道 332 0

LT8814EFF具有ESD保護(hù)的雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載

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LT8814EFD具有ESD保護(hù)的共漏N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2025-03-25 標(biāo)簽：ESD 場效應(yīng)晶體管 N溝道 116 0

TC1201低噪聲和中功率GaAs場效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2025-03-17 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管 GaAs 160 0

LT1541SIJ P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)表立即下載

類別：IC datasheet pdf 2025-03-07 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管 p溝道 109 0

LT1756SJ N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2025-03-05 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管 N溝道 123 0

場效應(yīng)晶體管資訊

一文解析現(xiàn)代場效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)

朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利為場效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。雖然第一個工作的場效應(yīng)晶體管（FET）直到1945年才出現(xiàn)，但這個想...

2025-01-23 標(biāo)簽：FET 場效應(yīng)晶體管 681 0

電子開關(guān)常見故障及解決方法

一、電子開關(guān)的基本原理電子開關(guān)通常由半導(dǎo)體材料制成，如硅或鍺。它們可以是雙極型晶體管（BJT）或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。這些開關(guān)...

2024-12-30 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體材料電子開關(guān) 1012 0

IEDM2024:TSMC關(guān)于未來整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析

在技術(shù)推動下，半導(dǎo)體領(lǐng)域不斷突破界限，實現(xiàn)人工智能（AI）、高性能計算（HPC）、5G/6G、自動駕駛、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等領(lǐng)域的變革性應(yīng)用。 AI Se...

2024-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管人工智能 1690 0

射頻放大器信號處理方法如何選擇合適的射頻放大器

射頻放大器信號處理方法射頻放大器在信號處理中扮演著至關(guān)重要的角色，其處理方法涉及多個層面，以確保信號的有效放大和傳輸。以下是一些關(guān)鍵的射頻放大器信號處...

2024-12-13 標(biāo)簽：帶寬場效應(yīng)晶體管射頻放大器 1252 0

安森美宣布將收購碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管技術(shù)

安森美宣布與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Ca...

2024-12-13 標(biāo)簽：安森美場效應(yīng)晶體管碳化硅 841 0

晶體管工作狀態(tài)的分類與分析

晶體管的基本結(jié)構(gòu) 晶體管主要分為兩大類：雙極型晶體管（BJT）和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。BJT由發(fā)射極（Emitter）、基極（B...

2024-12-03 標(biāo)簽：電流半導(dǎo)體晶體管 1718 0

mos管故障分析與維護(hù)

MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）因其高輸入阻抗、低功耗和快速開關(guān)特性而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。 MOSFET的工作原理在深入故障分...

2024-11-15 標(biāo)簽：MOS管電子設(shè)備場效應(yīng)晶體管 2000 0

如何判斷MOS管是否損壞

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是電子電路中常用的一種功率放大器件，因其體積小、功耗低、驅(qū)動簡單等優(yōu)點而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，由于其...

2024-11-05 標(biāo)簽：MOS管場效應(yīng)晶體管電子電路 1730 0

常見MOS管型號及參數(shù)

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSF...

2024-11-05 標(biāo)簽：MOS管參數(shù)場效應(yīng)晶體管 1.2萬 0

MOS管的特點與應(yīng)用

MOS管，全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一...

2024-11-05 標(biāo)簽：MOS管場效應(yīng)晶體管金屬 1965 0

場效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)手冊

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場上高精度模擬和數(shù)字信號處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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　　柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機(jī)視覺算法運行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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