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IGBT模塊封裝之高精貼片

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2024-03-11 17:12:05587

Vishay發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊

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2024-02-22 10:03:54639

IGBT的短路過程分析

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2024-02-21 20:12:42

淺談IGBT模塊使用溫度范圍

IGBT模塊的運(yùn)行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下,而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫度范圍內(nèi)(如-40℃~+65℃)。溫度和散熱對(duì)于系統(tǒng)的可靠和有效運(yùn)行非常重要。如果實(shí)際要求IGBT
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igbt模塊型號(hào)及參數(shù) igbt怎么看型號(hào)和牌子

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如何拆卸IGBT模塊

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IGBT模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹

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IGBT單管和模塊的對(duì)比和分析

最近很多朋友和我聊到IGBT單管和模塊的區(qū)別,優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比等。本人從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)十幾年有余,對(duì)單管和模塊都有一定的應(yīng)用,開發(fā)過的產(chǎn)品包括工頻塔式機(jī)UPS、500KW光伏逆變器、模塊化UPS、充電
2024-01-09 09:04:35258

IGBT模塊封裝工藝流程 IGBT封裝技術(shù)的升級(jí)方向

IGBT模塊封裝技術(shù)難度高,高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。IGBT模塊具有使用時(shí)間長(zhǎng)的特點(diǎn),汽車級(jí)模塊的使用時(shí)間可達(dá)15年。因此在封裝過程中,模塊對(duì)產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量穩(wěn)定性要求非常高。高可靠性設(shè)計(jì)需要考慮材料匹配、高效散熱、低寄生參數(shù)、高集成度。
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谷景科普不同封裝貼片共模電感電性能可以相同嗎

貼片共模電感是貼片電感中非常重要的一種封裝類型,在眾多電子產(chǎn)品中都有非常重要的應(yīng)用。我們經(jīng)常會(huì)遇到有客戶咨詢,關(guān)于不同封裝貼片共模電感的電性能的問題,本篇我們就來探討一個(gè)非常比較熱門
2023-12-27 21:58:170

你知道IGBT模塊的12道封裝工藝嗎?

作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件,IGBT應(yīng)用非常廣泛,如家用電器、電動(dòng)汽車、鐵路、充電基礎(chǔ)設(shè)施、充電樁,光伏、風(fēng)能,工業(yè)制造、電機(jī)驅(qū)動(dòng),以及儲(chǔ)能等領(lǐng)域。
2023-12-22 10:23:482077

2.0間距排針排母插件貼片封裝簡(jiǎn)析

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封裝不同的功率貼片電感性能可以做一樣的嗎

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IGBT單管及IGBT模塊的區(qū)別在哪?

IGBT最常見的形式其實(shí)是模塊(Module),而不是單管。
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英飛凌IGBT模塊封裝

英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,專注于電力管理、汽車和電動(dòng)汽車解決方案、智能家居和建筑自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域,英飛凌的IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21469

常見的汽車IGBT模塊封裝類型有哪些?

IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測(cè)試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
2023-12-07 10:05:35710

R課堂 | IGBT IPM實(shí)例:封裝

本文的關(guān)鍵要點(diǎn) 以實(shí)際的IPM產(chǎn)品為例,介紹了封裝類型、外形尺寸、引腳配置、印標(biāo)和散熱器安裝方法等內(nèi)容。 本文將為大家介紹IGBT IPM的封裝。與 上一篇 中的示例一樣,在本文中我們也以ROHM
2023-12-07 09:30:02263

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2023-12-05 14:26:22288

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2023-11-23 15:53:38280

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壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同,如表1所示。本文針對(duì)兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機(jī)理進(jìn)行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ),尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07721

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從零了解電控IGBT模塊

驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor絕緣柵雙極型晶體管芯片)。從零了解汽車電控IGBT模塊電驅(qū)系統(tǒng)和IGBT
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汽車IGBT模塊功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì)

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2023-11-19 10:03:53293

IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問題

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IGBT模塊損壞時(shí) 如何測(cè)量好壞

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貼片電感封裝大小對(duì)電路有什么影響

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功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

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自從特斯拉第三代電驅(qū)系統(tǒng)選用TPAK SiC模塊獲得廣泛應(yīng)用和一致好評(píng)后,國(guó)內(nèi)各大IGBT模塊封測(cè)廠家、新能源汽車主機(jī)廠及電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)開發(fā)商也紛紛把目光投向了這個(gè)簡(jiǎn)小精悍的半導(dǎo)體功率模塊封裝-TPAK
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貼片共模電感封裝尺寸的變化對(duì)電性能產(chǎn)生什么影響

貼片共模電感作為貼片電感類型中非常重要的一款電感系列產(chǎn)品,在很多電子設(shè)備中都具有不可替代的作用。我們?cè)谶x擇貼片共模電感的時(shí)候,會(huì)重點(diǎn)關(guān)注它的封裝尺寸,那么你知道貼片共模電感封裝尺寸的變化對(duì)電性能會(huì)產(chǎn)生什么樣的影響嗎?本篇谷景就與大家來一起探討一下這個(gè)問題。
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功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個(gè)最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等應(yīng)用,但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同,那么
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中最具代表性的產(chǎn)品。將多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起形成IGBT模塊,其功率更大、散熱能力更強(qiáng),在新能源汽車領(lǐng)域發(fā)揮著極為重要的功用和影響。
2023-08-23 11:24:461682

IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊的散熱方式

IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力,良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件,且功率密度隨著對(duì)新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23907

igbt模塊的作用 igbt模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

? IGBT模塊內(nèi)部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當(dāng)IGBT1開通關(guān)斷時(shí)的電壓電流波形如圖1所示,Lσ代表整個(gè)換流回路(條紋區(qū)域內(nèi))所有的雜散電感之和(電容器,母排,IGBT模塊
2023-08-18 09:08:182224

IGBT模塊參數(shù)之NTC熱敏電阻

IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一,器件在運(yùn)行中測(cè)量此溫度是非常困難的。一個(gè)方法是通過使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工作狀態(tài)的溫度,此方法不適用與測(cè)量快速變化的IGBT溫度。
2023-08-11 09:03:22751

igbt模塊三個(gè)接線端怎么接 IGBT怎么看引腳

在大多數(shù)情況下,IGBT模塊的引腳通常會(huì)以標(biāo)號(hào)或文字標(biāo)識(shí)進(jìn)行標(biāo)記。以下是常見的IGBT模塊引腳標(biāo)記:   1. 柵極(Gate):通常標(biāo)記為G,也可能是“G”或“GATE”。   2. 發(fā)射極
2023-08-09 14:52:5010671

貼片電阻功率和尺寸的10種封裝表示法

貼片電阻10種封裝表示法以及對(duì)應(yīng)功率我們?cè)诠ぷ鞯臅r(shí)候,經(jīng)常會(huì)把貼片電阻這些型號(hào)尺寸弄錯(cuò),我們?yōu)榱俗尶蛻舾涌焖俦憬莸牟樵?。為此我們?b class="flag-6" style="color: red">貼片電阻封裝英制和公制的關(guān)系及詳細(xì)的尺寸和對(duì)應(yīng)功率制定成表格以便查詢。
2023-08-08 14:29:251104

IGBT工藝流程 IGBT模塊封裝流程

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由 BJT(雙 極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體
2023-08-08 10:14:122

電驅(qū)系統(tǒng)三大核心之IGBT模塊如何工作?主要汽車IGBT模塊供應(yīng)商介紹

最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片)。作為電力電子行業(yè)里的“CPU”,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是國(guó)際上公認(rèn)的電子革命中最具代表性的產(chǎn)品。將多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起形成IGBT模塊,其功率更大、散熱能力
2023-08-07 10:29:201349

IGBT模塊短路的性能有哪些?寄生導(dǎo)通現(xiàn)象有哪些?

IGBT模塊短路特性強(qiáng)烈地依賴于具體應(yīng)用條件,如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動(dòng)電路及短路回路阻抗。
2023-08-04 09:01:17917

貼片電容封裝詳細(xì)資料

貼片電容封裝詳細(xì)資料,單片陶瓷電容器(通稱貼片電容)是目前用量比較大的常用元件,就AVX公司生產(chǎn)的貼片電容來講有NPO、X7R、Z5U、Y5V-電子器件知識(shí)電路圖
2023-07-28 13:21:13876

IGBT集成功率模塊原理簡(jiǎn)圖

電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器基本結(jié)構(gòu)可分為:殼體、高低壓連接器、電子控制元件、電氣控制元件、電氣功率元件。 電氣功率元件主要為IGBT集成功率模塊,是電氣控制器關(guān)鍵零部件。 通過電子控制元件與電氣控制
2023-07-28 11:03:451569

igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?

IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù),結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543287

國(guó)產(chǎn)igbt模塊品牌

根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看,按照其封裝形式的不同,可分為IGBT分立器件、IPM模塊IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502

IGBT模塊的常規(guī)檢查以及常見故障問題維修方法

IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;
2023-07-14 08:55:101659

聊聊IGBT功率模塊的結(jié)溫計(jì)算及其模型

電機(jī)控制器的功率模塊,即IGBT器件和續(xù)流二極管,在開關(guān)和導(dǎo)通電流會(huì)產(chǎn)生損耗,損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化成熱能,表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。
2023-07-12 15:53:142506

2023年IGBT產(chǎn)業(yè)論壇會(huì)圓滿舉辦

發(fā)展、IGBT芯片研發(fā)、創(chuàng)新材料、工藝制造及應(yīng)用等方面展開探討。 ? ? ?翠展微電子研發(fā)副總吳瑞先生應(yīng)邀作為此次論壇的演講嘉賓,并做《一體化高性能逆變磚模塊技術(shù)研究》主體演講,結(jié)合功率模塊封裝的發(fā)展趨勢(shì)、先進(jìn)功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)、一體化高性能逆變磚模塊及產(chǎn)品介紹
2023-07-03 12:10:05798

車規(guī)IGBT模塊封裝趨勢(shì)和SHAREX燒結(jié)銀應(yīng)用#

IGBT模塊
善仁(浙江)新材料科技有限公司發(fā)布于 2023-07-01 21:45:11

探究IGBT功率模塊封裝的挑戰(zhàn)與前景:關(guān)鍵技術(shù)與市場(chǎng)需求分析

IGBT功率模塊
北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-07-01 12:51:41

如何選擇IGBT模塊(電壓、電流規(guī)格、靜電)

IGBT的VGE的耐壓值為±20V,在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場(chǎng)合,由于會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的危險(xiǎn),因而在柵極-發(fā)射極之間不能超出耐壓值的電壓,這點(diǎn)請(qǐng)注意。
2023-06-30 09:19:221150

IGBT模塊焊機(jī)看看怎么樣!

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-27 18:36:19

快來!芯控源IGBT模塊AGM25T12W2T4直接對(duì)標(biāo)英飛凌!

芯控源IGBT模塊
2023-06-21 10:17:24320

1200V-600A/450A IGBT模塊產(chǎn)品性能

對(duì)應(yīng)用系統(tǒng)的性能具有決定性的影響。為響應(yīng)上述應(yīng)用市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的發(fā)展需求,JSAB推出了兼容國(guó)外一流進(jìn)口品牌的Econodual3和62mm封裝的1200V-600A/450A大功率模塊。相關(guān)模塊IGBT
2023-06-20 11:26:021328

IGBT功率模塊封裝工藝介紹

IGBT 功率模塊基本的封裝工藝詳細(xì)講解,可以作為工藝工程師的一個(gè)參考和指導(dǎo)。 絲網(wǎng)印刷目的: 將錫膏按設(shè)定圖形印刷于DBC銅板表面,為自動(dòng)貼片做好前期準(zhǔn)備 設(shè)備: BS1300半自動(dòng)對(duì)位SMT錫漿絲印機(jī)
2023-06-19 17:06:410

針對(duì)IGBT模塊多層掃描

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-10 22:34:15

IGBT模塊里面長(zhǎng)什么樣?都有什么?

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-10 22:33:42

IGBT模塊是如何失效的?

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29583

貼片晶振和直插晶振哪個(gè)封裝好?

根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景,晶振通常有貼片和直插兩類封裝形式。但是,對(duì)于常規(guī)應(yīng)用來說,貼片晶振和直插晶振的選擇會(huì)有爭(zhēng)議。JSK晶鴻興將為大家詳細(xì)講解兩種晶振封裝形式的優(yōu)缺點(diǎn),幫助您了解貼片晶振和直插晶振哪個(gè)
2023-06-01 14:31:281633

IGBT模塊是如何失效的?

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝,IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555

IGBT結(jié)溫估算—(二)IGBT/Diode損耗的計(jì)算

IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231254

IGBT模塊封裝形式及失效形式

單元,IGBT模塊得到越來越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種,其中焊接式發(fā)展成熟,應(yīng)用廣泛。IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜,是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522951

igbt模塊是什么東西

igbt模塊是什么東西 什么是 IGBTIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由 BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
2023-05-17 15:10:46957

igbt模塊的作用是什么

igbt模塊的作用是什么 IGBT模塊主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極,陽極,和控制極。關(guān)斷的時(shí)候其阻抗是非常大的基本是斷路,接通的時(shí)候存在很小的電阻
2023-05-17 15:09:125481

IGBT模塊主要失效形式

隨著IGBT的耗散功率和開關(guān)頻率不斷增大,以及工作環(huán)境嚴(yán)苛,使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量,由于模塊內(nèi)的熱量無法及時(shí)得到釋放,從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25512

工業(yè)、EV、軌道交通用IGBT模塊的選材及封裝工藝對(duì)比

由下圖我們可以看到,外殼選材上,工業(yè)用IGBT模塊外殼一般采用通用型PBT材料,EV用IGBT模塊外殼采用增強(qiáng)型PBT材料,軌道交通用IGBT模塊外殼采用更耐溫綜合性能更好的PPS材料。工業(yè)、EV、軌道交通用IGBT模塊用的硅膠分別采用普通型凝膠、改進(jìn)型凝膠以及高溫型凝膠。
2023-05-04 11:04:161274

新能源汽車IGBT模塊結(jié)構(gòu)講解

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-04-26 21:28:55

IGBT模塊測(cè)量方法

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-04-26 18:53:27

IGBT模塊導(dǎo)通原理

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-04-26 18:37:25

常用貼片SOP 3D封裝

常用貼片SOP 3D封裝庫免費(fèi)下載。
2023-04-24 09:19:240

?大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展,對(duì)于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高,難度較大,特別是要求封裝材料散熱性能更好
2023-04-21 10:18:28728

IGBT模塊如何逆變以及好壞測(cè)量?

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-04-18 12:19:30

貼片一體電感怎么看封裝規(guī)格大小

貼片一體電感的選型中有兩個(gè)非常重要的信息內(nèi)容:一是封裝規(guī)格大小;二是電性能信息。這兩個(gè)方面的信息都直接影響到選型的正確與否,因此要做好貼片一體電感的選型工作,就必須熟練掌握這兩個(gè)方面的內(nèi)容。本篇我們探討一下關(guān)于貼片一體電感怎么看封裝規(guī)格大小。
2023-04-17 10:28:431

大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

陶瓷覆基板是影響模塊長(zhǎng)期使用的關(guān)鍵部分之一,IGBT模塊封裝中所產(chǎn)生的熱量主要是經(jīng)陶瓷覆銅板傳到散熱板最終傳導(dǎo)出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的決定因素。
2023-04-17 09:54:48703

瞬態(tài)熱阻抗準(zhǔn)確計(jì)算IGBT模塊結(jié)殼熱阻的方法

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅速發(fā)展以及絕緣柵雙極型晶體管(insulatedgatebipolartranslator,IGBT模塊的普遍應(yīng)用,電力電子可靠性要求不斷提高,而過熱失效這一主要失效原因亦成為
2023-04-04 10:14:09965

全面的IGBT封裝設(shè)計(jì)解決方案

國(guó)內(nèi)龐大的市場(chǎng)基礎(chǔ)、 潛在的電力電子裝備關(guān)鍵器件完全依靠進(jìn)口的風(fēng)險(xiǎn)和國(guó)家產(chǎn)業(yè)升級(jí)共同推動(dòng)了本土IGBT芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝的技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新。
2023-03-27 09:34:091296

環(huán)氧灌封膠及在IGBT功率模塊封裝中的應(yīng)用簡(jiǎn)析

功率半導(dǎo)體模塊主要應(yīng)用于電能轉(zhuǎn)換和電能 控制,是電能轉(zhuǎn)換與電能控制的關(guān)鍵器件,被譽(yù)為 電能處理的“CPU”,是節(jié)能減排的基礎(chǔ)器件和核心技術(shù)之一
2023-03-24 17:29:233745

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