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HMC1114 10W GaN功率放大器,2.7GHz至3.8GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC1114是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在帶寬范圍為2.7 GHz至3.8 GHz時(shí)提供10 W功率,PAE超過(guò)50 %。 HMC1114提...
基于RC熱阻SPICE模型的GaNPX?和PDFN封裝的熱特性建模
GaN Systems提供RC熱阻模型,使客戶能夠使用SPICE進(jìn)行詳細(xì)的熱模擬。 模型基于有限元分析(FEA)熱模擬創(chuàng)建,并已由GaN Systems...
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實(shí)測(cè)特性描述了當(dāng)前版本的模型。該模型專(zhuān)為與PSpice和LTspice配...
HMC7885 2GHz至6GHz,45dBm功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC7885是一款32 W氮化鎵(GaN)、單芯片微波集成電路(MMIC)功率放大器(PA)模塊,工作頻率范圍為2 GHz至6 GHz,提供18引腳密...
HMC8205BF10 0.3或0.4 GHz至6 GHz、35W、GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC8205BF10是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在瞬時(shí)帶寬范圍為0.3 GHz至6 GHz時(shí)提供45.5 dBm (35 W)功率和38%功...
HMC8500PM5E 10W (40dBm) 0.01GHz至2.8 GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC8500PM5E 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器,可在 30 dBm 的輸入功率下,在 0.01 GHz 至 2.8 GHz 瞬時(shí)帶寬上...
HMC1099PM5E 10W (40dBm) 0.01GHz至1.1GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC1099PM5E 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器,可在 0.01 GHz 到 1.1 GHz 瞬時(shí)帶寬上實(shí)現(xiàn) >10 W 輸出,P...
HMC8415 40W(46 dBm),9GHz至10.5GHz,GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC8415LP6GE 是一款氮化鎵 (GaN) 功率放大器,可在 9 GHz 至 10.5 GHz 的帶寬范圍內(nèi)提供 40 W (46 dBm) 的...
HMC1114PM5E 2.7GHz3.8GHz,GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC1114PM5E 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器,可在 18 dBm 的輸入功率 (P ~IN) 下,在 2.7 GHz 至 3.8 G...
ADPA1105 46 dBm (40W)、0.9GHz至1.6GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
ADPA1105是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在帶寬范圍為0.9 GHz至1.4 GHz時(shí)提供46 dBm (40 W)功率和60%典型功率附加...
ADPA1107 45.0 dBm (35W)、4.8GHz到6.0GHz、GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
ADPA1107 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器,可在 4.8 GHz 至 6.0 GHz 帶寬范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 45.0 dBm (35 W) 輸...
ADPA1106 46 dBm (40W)、2.7GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
ADPA1106是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在2.7 GHz至3.1 GHz的帶寬內(nèi),可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...
ADPA1113 2GHz至6GHz,46 dBm (40 W),GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
ADPA1113 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器,可在 2.3 GHz 至 5.7 GHz 帶寬范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 46.5 dBm (44.7 W)...
ADPA1116 0.3GHz至6GHz、39.5 dBm、GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
ADPA1116 是一款 0.3 GHz 至 6 GHz 功率放大器,具有 飽和輸出功率 (P~OUT)~ 為 39.5 dBm,功率附加效率 (PAE...
BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場(chǎng)長(zhǎng)期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過(guò)將650V增強(qiáng)型GaNHEMT和Si...
2025-03-09 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 267 0
BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場(chǎng)長(zhǎng)期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過(guò)將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和S...
2025-03-09 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 272 0
BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,是適用于這些應(yīng)用場(chǎng)景的最佳產(chǎn)品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最優(yōu)解決方案。...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊(cè) 304 0
BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,是這些應(yīng)用場(chǎng)景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過(guò)將...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊(cè) 290 0
BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過(guò)...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊(cè) 282 0
GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊(cè)
GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT,屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品的低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)的特性,有助...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 300 0
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