在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓揀選測試（Wafer Sort）堪稱芯片從“原材料”到“成品”的關(guān)鍵質(zhì)控節(jié)點....

本文系統(tǒng)梳理了直寫式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑，涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系....

本文總結(jié)了FPGA選型的核心原則和流程，旨在為設(shè)計人員提供決策依據(jù)，確保項目成功。

光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其....

微管是SiC晶體中極為有害的缺陷，哪怕數(shù)量極少，也會對SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相....

本文介紹了6G技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)之一：通訊非地面網(wǎng)絡(luò)。

本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會引入的工藝問題：射程末端（EOR）缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子....

芯片，是人類科技的精華，也被稱為現(xiàn)代工業(yè)皇冠上的明珠。芯片的基本組成是晶體管。晶體管的基本工作原理其....

裝片工序完成后，芯片雖已穩(wěn)固于載體（基板或框架）之上，但其表面預(yù)設(shè)的焊盤尚未與封裝體構(gòu)建電氣連接，因....

張量處理單元（TPU，Tensor Processing Unit）是一種專門為深度學(xué)習(xí)應(yīng)用設(shè)計的硬....

本文介紹了倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點和實現(xiàn)過程以及詳細工藝等。

文介紹了高壓CMOS技術(shù)與基礎(chǔ)CMOS技術(shù)的區(qū)別與其應(yīng)用場景。

激光劃片作為新興材料加工技術(shù)，近年來憑借非接觸式加工特性實現(xiàn)快速發(fā)展。其工作機制是將高峰值功率激光束....

本文介紹了用抗反射涂層來保證光刻精度的原理。

SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環(huán)境下，SiC并無熔點，一旦溫度攀升至2000℃以上，便會直....

裝片（Die Bond）作為半導(dǎo)體封裝關(guān)鍵工序，指通過導(dǎo)電或絕緣連接方式，將裸芯片精準(zhǔn)固定至基板或引....

在集成電路設(shè)計中，CPU的指令是指計算機中央處理單元（CPU）用來執(zhí)行計算任務(wù)的基本操作指令集。這些....

本主要講解了芯片封裝中銀燒結(jié)工藝的原理、優(yōu)勢、工程化應(yīng)用以及未來展望。

本文從多個角度分析了在晶圓襯底上生長外延層的必要性。

本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測試三個關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

本文介紹了在芯片制造中的應(yīng)變硅技術(shù)的原理、材料選擇和核心方法。

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。

激光束的輸出實際上由在寬頻率范圍內(nèi)的許多不同頻率的緊密間隔的光譜線組成。離散光譜分量稱為激光模式la....

從某種層面來說，氣密封裝存在理論與現(xiàn)實的矛盾，正如中國古話“沒有不透風(fēng)的墻”所描述的那樣，絕對密封難....

半導(dǎo)體元素是芯片制造的主要材料，芯片運算主要是用二進制進行運算。所以在電流來代表二進制的0和1，即0....

本文通過介紹傳統(tǒng)平面晶體管的局限性，從而引入FinFET技術(shù)的原理、工藝和優(yōu)勢。

SAW（聲表面波）和BAW（體聲波）是兩種常用于射頻濾波器中的技術(shù)，它們在頻率響應(yīng)、損耗、適用頻段等....

深入理解設(shè)計規(guī)則，設(shè)計者可在可靠性測試結(jié)構(gòu)優(yōu)化中兼顧性能、成本與質(zhì)量，推動半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新。

半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電性，半導(dǎo)體通過參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動。通過基于晶....

二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應(yīng)用場景，解析SiO?在柵極氧化....