MEMS制造中玻璃的刻蝕方法
在MEMS中,玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學(xué)穩(wěn)定性及可鍵合性(如與硅陽極鍵合),常被用作襯底、....
CMP工藝中的缺陷類型
CMP是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的平坦化工藝,它通過機械磨削和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的方式,去除材料以實現(xiàn)平坦化。然....
晶圓制造中的WAT測試介紹
Wafer Acceptance Test (WAT) 是晶圓制造中確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵步驟。....
鋁絲鍵合的具體步驟
鋁絲鍵合常借助超聲楔焊技術(shù),通過超聲能量實現(xiàn)鋁絲與焊盤的直接鍵合。由于鍵合所用劈刀工具頭為楔形,使得....
晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的原因
在集成電路生產(chǎn)過程中,晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個常見但復(fù)雜的問題。每個環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背....
淺談封裝材料失效分析
在電子封裝領(lǐng)域,各類材料因特性與應(yīng)用場景不同,失效模式和分析檢測方法也各有差異。
芯片封裝失效的典型現(xiàn)象
本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象:金線偏移、芯片開裂、界面開裂、基板裂紋和再流焊缺陷。
淺談無線通信的基本概念
從工作頻段到信道的劃分,再到多址方式、雙工方式、調(diào)制方式、分集技術(shù)和MIMO,這些概念共同作用,使得....
半導(dǎo)體摻雜濃度及圖形測量方法
熱波系統(tǒng)通過激光誘導(dǎo)熱效應(yīng)與晶格缺陷的關(guān)聯(lián)性實現(xiàn)摻雜濃度評估。其核心機制為:氬泵浦激光經(jīng)雙面鏡聚焦于....

半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)過程中的常用摻雜技術(shù)
在半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)過程中,精確調(diào)控材料的電阻率是實現(xiàn)器件功能的關(guān)鍵,而原位摻雜、擴散和離子注入正是達成....

常見氣體傳感器的類型和工作原理
在萬物互聯(lián)的社會,氣體感知技術(shù)已成為各領(lǐng)域發(fā)展的 “隱形衛(wèi)士”。消費場景中,守護家居空氣質(zhì)量;汽車領(lǐng)....

電子衍射技術(shù)的原理與分類
隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和性能要求的日益提高,應(yīng)變工程半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)在現(xiàn)代電子器件中發(fā)揮著關(guān)鍵作....
